适用范围：本文件描述了电子元器件在实际贮存条件下随时间推移的退化机理和退化方式，以及评估一般退化机理的试验方法。通常本文件与IEC 624351一起使用，用于预计贮存时间超过12个月的长期贮存器件。特定类型电子元器件的退化机理在IEC 624355～IEC 624359中加以规定。

适用范围：本文件适用于半导体器件（分立器件和集成电路），以下简称器件。 本文件用于确定器件是否由于过负荷引起内部发热而燃烧。

适用范围：本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号，描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关，射频MEMS开关的一般说明见附录A。按接触方式分类，包括直流触点型开关和电容触点型开关；按结构分类，包括串联开关和并联开关，射频MEMS开关的几何结构说明见附录B；按开关网络分类，包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等；按驱动方式分类，包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR（软件无线电）电话、测试设备、可调谐器件和系统、卫星等方面应用广泛，射频MEMS开关的应用说明见附录E。

适用范围：本文件规定了液晶显示屏用点对点信号接口的电参数，包含发出端电参数、接收端电参数等内容。 本文件适用于液晶显示屏用时序控制器和源极驱动芯片之间的点对点信号通信接口。

适用范围：本文件规定了液晶显示屏用点对点（P2P）信号接口的传输协议，包含发送端协议、接收端协议、数据包、时钟校准等内容。 本文件中规定了两种传输协议方案： ——传输协议方案一：8位/10位编解码传输协议； ——传输协议方案二：8位/9位编解码传输协议。 本文件适用于液晶显示屏用时序控制器和源极驱动芯片之间的点对点信号通信接口。

适用范围：GB/T 38001的本部分给出了在使用、贮存和运输的规定条件下，评价包括液晶显示（LCD）、电子纸（EPD）和有机发光二极管显示（OLED）在内的柔性显示器件的环境适应性的试验方法。 本部分适用于液晶显示（LCD）、电子纸（EPD）和有机发光二极管显示（OLED）在内的柔性显示器件。

适用范围：GB/T 38001的本部分给出了柔性显示器件优先采用的术语、定义和文字符号。 本部分适用于液晶显示(LCD)、电子纸(EPD)和有机发光二极管显示(OLED)在内的柔性显示器件。

适用范围：GB/T 18910的本部分规定了反射型液晶显示模块详细的质量评价程序、检查要求、筛选程序、样品要求以及测试和测量程序要求。 本部分适用于反射型液晶显示模块，包括字段显示、有源或无源矩阵显示的反射型液晶显示模块，可以是单色、多色或彩色显示，包括背光不点亮状态时的半反半透型液晶显示模块，前置背光不点亮状态的反射型液晶显示模块。本部分不适用于包括触摸屏的液晶显示模块，也不适用与包含带前置背光的反射型液晶显示模块，为了保证测试的准确性，在测试此类产品时请取掉触摸屏和前置背光。

适用范围：GB/T 38001的本部分规定了用于评价柔性显示模块的机械应力试验方法，包括采用液晶显示（LCD）、电子纸（EPD）和有机发光二极管显示（OLED）等技术的柔性显示模块。本部分尽可能包括了各种机械应力试验方法。

适用范围：GB/T 4937的本部分适用于半导体器件（分立器件和集成电路）。 本部分的目的是测量键合强度或确定键合强度是否满足规定的要求。

适用范围：GB/T 4937的本部分规定了塑封表面安装半导体器件(SMD)的耐焊接热评价方法。该试验为破坏性试验。

适用范围：GB/T 4937的本部分对已封装的半导体集成电路和半导体分立器件进行60Co γ射线源电离辐射总剂量试验提供了一种试验程序。本部分提供了评估低剂量率电离辐射对器件作用的加速退火试验方法。这种退火试验对低剂量率辐射或者器件在某些应用情况下表现出时变效应的应用情形是比较重要的。本部分仅适用于稳态辐照，并不适用于脉冲型辐照。本部分主要针对军事或空间相关的应用。本试验可能会导致辐照器件的电性能产生严重退化，因而被认为是破坏性试验。

适用范围：GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用，是一种破坏性试验。试验目的如下：a）检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系；b）确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内（见第4章）。

适用范围：GB/T 4937的本部分用来确定将半导体芯片安装在管座或其他基板上所使用的材料和工艺步骤的完整性(基于本试验方法的目的，本部分中半导体芯片包括无源元件)。本部分适用于空腔封装，也可作为过程监测。不适用于面积大于10 mm2的芯片，以及倒装芯片和易弯曲基板。

适用范围：GB/T 4937的本部分的目的是测定在规定频率范围内，振动对器件的影响。本试验是破坏性试验，通常用于有空腔的器件。本试验与GB/T 2423.10-2008基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

适用范围：本标准规定了发光二极管芯片(以下简称“芯片”)光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测条件和点测方法。本标准适用于批量生产的可见光发光二极管正装芯片和薄膜芯片的检测方法。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。

适用范围：GB/T 4937的本部分规定了耐焊接热的试验方法，以确定通孔安装的固态封装器件承受波峰焊或烙铁焊接引线时产生的热应力的能力。 为制定具有可重复性的标准试验程序，选用试验条件较易控制的浸焊试验方法。本程序为确定器件组装到电路板时对所需焊接温度的耐受能力，要求器件的电性能不产生退化且内部连接无损伤。 本试验为破坏性试验，可以用于鉴定、批接收及产品检验。 本试验与IEC 60068-2-20基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

适用范围：GB/T 4937的本部分规定了快速温度变化--双液槽法的试验方法。当器件鉴定既可以采用空气空气温度循环又可以采用快速温度变化--双液槽法试验时，优先采用空气空气温度循环试验。本试验也可采用少量循环(5次～10次)的方式来模拟清洗器件的加热液体对器件的影响。本试验适用于所有的半导体器件。除非在有关规范中另有说明，本试验被认为是破坏性的。本试验与GB/T 2423.22-2002基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。