GB/T 42706.2-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分:退化机理
GB/T 42706.2-2023 Electronic components—Long-term storage of electronic semiconductor devices—Part 2:Deterioration mechanisms
基本信息
发布历史
-
2023年05月
研制信息
- 起草单位：
- 中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、池州华宇电子科技有限公司、河北中电科航检测技术服务有限公司、深圳市标准技术研究院、北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司、绵阳迈可微检测技术有限公司、武汉格物芯科技有限公司、惠州市特创电子科技股份有限公司、佛山市毅丰电器实业有限公司
- 起草人：
- 刘玮、石东升、晋李华、彭勇、闫萌、张鑫、彭浩、崔波、魏兵、赵鹏、麦日容、徐昕、米村艳、何黎、陈金星、吴卫斌
- 出版信息：
- 页数：15页 | 字数：23 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS31.020
CCSL40
中华人民共和国国家标准
/—/:
GBT42706.22023IEC62435-22017
电子元器件半导体器件长期贮存
:
第部分退化机理
2
——
ElectroniccomonentsLon-termstoraeofelectronicsemiconductordevices
pgg
:
Part2Deteriorationmechanisms
(:,)
IEC62435-22017IDT
2023-05-23发布2023-09-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—/:
GBT42706.22023IEC62435-22017
目次
前言…………………………Ⅲ
引言…………………………Ⅳ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
、………………………
3术语定义和缩略语1
3.1术语和定义…………………………1
3.2缩略语………………1
4退化类型…………………2
4.1概述…………………2
4.2引线镀层的可焊性和氧化…………2
“”………………………
4.3爆米花效应2
4.4分层…………………2
4.5腐蚀和变色…………………………2
4.6静电影响……………2
4.7高能电离辐射损伤…………………2
4.8贮存温度对半导体器件的风险……………………3
4.9贵金属镀层…………………………3
4.10雾锡和其他镀层……………………3
4.11焊料球和焊料凸点…………………3
、…
4.12含可编程闪存可编程逻辑单元的器件和其他含非易失性存储单元的器件3
5元器件的技术验证………………………3
5.1目的…………………3
5.2试验选择准则………………………3
5.3测量和试验…………………………4
5.4定期评价……………5
()………………
附录规范性封装和未封装有源元器件的失效机理
A7
参考文献………………………9
Ⅰ
/—/:
GBT42706.22023IEC62435-22017
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.120201
起草。
/《》。/
本文件是电子元器件半导体器件长期贮存的第部分已经发布
GBT42706
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