GB/T 42706.2-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分:退化机理

ICS31.020

CCSL40

中华人民共和国国家标准

/—/:

GBT42706.22023IEC62435-22017

电子元器件半导体器件长期贮存

:

第部分退化机理

2

——

ElectroniccomonentsLon-termstoraeofelectronicsemiconductordevices

pgg

:

Part2Deteriorationmechanisms

(:,)

IEC62435-22017IDT

2023-05-23发布2023-09-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—/:

GBT42706.22023IEC62435-22017

目次

前言…………………………Ⅲ

引言…………………………Ⅳ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

、………………………

3术语定义和缩略语1

3.1术语和定义…………………………1

3.2缩略语………………1

4退化类型…………………2

4.1概述…………………2

4.2引线镀层的可焊性和氧化…………2

“”………………………

4.3爆米花效应2

4.4分层…………………2

4.5腐蚀和变色…………………………2

4.6静电影响……………2

4.7高能电离辐射损伤…………………2

4.8贮存温度对半导体器件的风险……………………3

4.9贵金属镀层…………………………3

4.10雾锡和其他镀层……………………3

4.11焊料球和焊料凸点…………………3

、…

4.12含可编程闪存可编程逻辑单元的器件和其他含非易失性存储单元的器件3

5元器件的技术验证………………………3

5.1目的…………………3

5.2试验选择准则………………………3

5.3测量和试验…………………………4

5.4定期评价……………5

()………………

附录规范性封装和未封装有源元器件的失效机理

A7

参考文献………………………9

Ⅰ

/—/:

GBT42706.22023IEC62435-22017

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

/《》。/

本文件是电子元器件半导体器件长期贮存的第部分已经发布

GBT42706