适用范围：本文件描述了制备在柔性基板上的薄膜晶体管在凸起状态下器件性能的评价方法。 本文件所述的薄膜晶体管,其制备在包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、合成橡胶等材料在内的柔性基板上。其性能评价过程中的应力加载方式,是借助外部设备在柔性基板上施加均匀的压力。

适用范围：本文件界定了弯曲试验条件下柔性导电薄膜薄层电阻测试的术语和定义,描述了测试方法。测试方法包括两探针法、四探针法和蒙哥马利法,这些方法能用于原位、异位测量以及各向异性薄层电阻的测量。

适用范围：本文件描述了柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜弯曲疲劳的评价方法。薄膜样品主要包括沉积或粘接在非导电柔性基板上的薄膜,例如用于柔性半导体器件的金属薄膜、透明导电电极和硅薄膜。疲劳试验方法包括动态弯曲疲劳试验和静态弯曲疲劳试验。

适用范围：本文件描述了眼戴显示器光学性能的标准测量条件和测量方法。 本文件适用于非透视型（虚拟现实“VR”眼镜）和透视型（增强现实“AR”眼镜）等使用虚拟光学图像的眼戴显示器。 本文件不适用于隐形眼镜式眼戴显示器和视网膜直接投影眼戴显示器。

适用范围：本文件描述了柔性材料热特性的测试方法,包括用于柔性材料热特性评估的相关术语、定义、符号和测试方法。该方法是一种非接触式的光学测温方法,主要基于材料光学反射率与温度之间的关系。 本文件适用于可弯曲或拉伸的柔性基板和柔性薄膜半导体材料。

适用范围：本文件描述了(光学)透视型的增强现实(AR)眼戴显示器光学特性和成像质量的标准测量条件和测量方法，包括眼戴显示器的定向光谱透射比、色度差异、前向杂散光、调制对比度等性能参数。 本文件不适用于隐形眼镜式眼戴显示器。 注： 本文件与其他文件(GB/T 48075.2010，GB/T 48075.2020)的相关性见附录A。

适用范围：本文件描述了可拉伸显示器件的光学性能测试方法。 本文件适用于基于有机发光二极管(OLED)、发光二极管(LED)等显示技术的可拉伸显示器件的光学性能的测试和评估。包括单向拉伸(一维)、平面拉伸(二维)和空间拉伸(三维)等。

适用范围：本文件界定了用于评价和确定柔性薄膜晶体管(TFT)器件性能特征的术语、定义和符号,描述了评价方法。本文件描述的评价方法和特征参数适用于准确评价柔性薄膜晶体管器件在实际弯曲状态下的性能和可靠性。

适用范围：本文件规定了微波集成电路倍频器的术语、基本额定值、特性以及测量方法。

适用范围：本文件界定了人造石英、铌酸锂(LN)、钽酸锂(LT)、四硼酸锂(LBO)和硅酸镓镧(LGS)等单晶晶片的术语,规定了技术要求和抽样方案,描述了相关检验及测量方法。 本文件适用于用作声表面波(SAW)滤波器和谐振器基片材料的单晶晶片,包含人造石英、铌酸锂(LN)、钽酸锂(LT)、四硼酸锂(LBO)和硅酸镓镧(LGS)等。

适用范围：本文件描述了通过感性负载开关应力(特别是硬开关应力)评估氮化镓(GaN)功率晶体管可靠性的应力程序和相应试验方法。

适用范围：本文件规定了用于能力批准程序或鉴定批准程序评定质量的射频体声波滤波器的通用要求和试验方法。文件不适用于IEC 60368(所有部分)中的石英晶体滤波器。

适用范围：本文件描述了基于互补金属氧化物半导体(CMOS)成像的气体传感器的性能测试方法。 本文件适用于基于CMOS无透镜成像和基于CMOS透镜成像的气体传感器的性能测试。

适用范围：本文件描述了压电、介电和静电振荡器的频率老化试验的测量和评估方法，包括介电谐振振荡器（DRO）和薄膜体声波谐振（FBAR）振荡器（以下简称“振荡器”）。试验的目的是为老化预测提供统计数据支撑。

适用范围：本文件描述了眼戴显示器图像质量的标准测量条件和测量方法。 本文件适用于非透视型（虚拟现实“VR”眼镜）和透视型（增强现实“AR”眼镜）等使用虚拟光学图像的眼戴显示器。 本文件不适用于隐形眼镜式眼戴显示器和视网膜直接投影眼戴显示器。 注： 眼戴显示器的定义见IEC TR 63145-1-1:2018，透视型的定义见ISO 9241-302:2008中3.5.45。

适用范围：本文件描述了一种松弛试验方法,该方法用于测试微电子机械器件(MEMS)的悬空导电薄膜在恒定应变和室温条件下的机电性能。悬空导电薄膜在MEMS、光电子学、柔性/可穿戴电子产品中有着广泛的应用。悬空薄膜在产品工况中会受到外部和内部的应力作用,即使在室温下,工作一段时间后也可能发生应力松弛,这种松弛会导致产品的电性能随时间而变化。 本文件适用于采用各向同性、均质或线性黏弹性材料制备的悬空导电薄膜。

适用范围：本文件规定了电子和电气设备用矩形连接器插头和插座(以下简称“连接器”)的外形尺寸、接口尺寸、技术参数、性能要求和试验方法等。本文件规定的连接器具有以下特征: ——2芯功率加2芯信号接触件; ——塑料壳体配有锁紧机构,并具有4个键位; ——功率部分的额定电流为250 A,额定电压为直流1 000 V; ——信号部分的额定电流为5 A,额定电压为直流50 V; ——每个功率接触件都配有相应的屏蔽部件实现单独屏蔽; ——插合锁紧时防护等级为IP65/IP68,未插合时防护等级为IPXXB。 本文件规定的连接器适用于Ⅱ类设备,因此,连接器没有安装接地接触件。 注:Ⅱ类设备见GB/T 16935.1—2023中4.3.2过电压类别Ⅱ的设备。

适用范围：本文件规定了集成电路电子设计自动化工具通用、工艺模型、模拟电路和光电电路、数字逻辑设计与验证、物理实现、晶圆制造和封装的测试要求，描述了相应的测试方法。 本文件适用于集成电路电子设计自动化工具的测试。

适用范围：本文件提供了测试横向型GaN HEMT动态导通电阻的方法指南,动态导通电阻测试主要用于评估GaN HEMT中电荷俘获现象,该测试方法能应用于以下情况: a) GaN增强型和耗尽型分立功率器件; b) GaN集成功率芯片; c) 上述对象的晶圆级或封装级样品。 提供的测试方法能用于GaN功率转换器中器件表征、产品测试、可靠性评估和应用场景验证。本文件不涉及动态导通电阻的基本原理及其在产品规格书中的符号表示。

适用范围：本文件描述了压电、介电和静电振荡器的测量技术方法,包括介质谐振器振荡器(DROs)和薄膜体声波谐振器振荡器(FBAR)(以下简称“振荡器”)测量技术。 本文件适用于压电、介电和静电振荡器,包括介质谐振器振荡器(DROs)和薄膜体声波谐振器振荡器(FBAR)。 注:介质谐振器振荡器(DROs)和薄膜体声波谐振器振荡器(FBAR)的测量在考虑中。