GB/T 47239.4-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第4部分:柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价
GB/T 47239.4-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 4:Fatigue evaluation for flexible conductive thin film on the substrate for flexible semiconductor devices
基本信息
发布历史
-
2026年08月
文前页预览
研制信息
- 起草单位:
- 中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子技术标准化研究院、工业和信息化部电子第五研究所、浙江清华柔性电子技术研究院、深圳市元亨光电股份有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、芯体素(杭州)科技发展有限公司、宁波甬强科技有限公司
- 起草人:
- 赵先恒、佘茜玮、高杨、倪峥、薛爱杰、闫美存、牛皓、杨晓峰、何志峰、朱海涛、褚昆、席善斌、虞勇坚、周南嘉、高蒙、黄文强
- 出版信息:
- 页数:16页 | 字数:19 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS3108099
CCSL.40.
中华人民共和国国家标准
GB/T472394—2026/IEC62951-42019
.:
半导体器件柔性可拉伸半导体器件
第4部分柔性半导体器件基板上
:
柔性导电薄膜的疲劳评价
Semiconductordevices—Flexibleandstretchablesemiconductordevices—
Part4Fatiueevaluationforflexibleconductivethinfilmonthesubstratefor
:g
flexiblesemiconductordevices
IEC62951-42019IDT
(:,)
2026-08-28发布2027-03-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T472394—2026/IEC62951-42019
.:
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范围
1………………………1
规范性引用文件
2…………………………1
术语和定义
3………………1
试验样品
4…………………2
试验方法和试验装置
5……………………3
试验
6………………………4
试验报告
7…………………4
附录资料性弯曲试验装置示例
A()……………………6
参考文献
………………………8
Ⅰ
GB/T472394—2026/IEC62951-42019
.:
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件是半导体器件柔性可拉伸半导体器件的第部分已经发
GB/T47239《》4。GB/T47239
布了以下部分
:
第部分柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法
———1:;
第部分柔性器件的电子迁移率亚阈值摆幅和阈值电压评价方法
———2:、;
第部分柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价
———3:;
第部分柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价
———4:;
第部分柔性材料热特性测试方法
———5:;
第部分柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法
———6:;
第部分柔性有机半导体封装薄膜阻挡特性测试方法
———7:;
第部分柔性电阻存储器延展性柔韧性和稳定性测试方法
———8:、;
第部分一晶体管一电阻式电阻存储单元性能测试方法
———9:(1T1R)。
本文件等同采用半导体器件柔性可拉伸半导体器件第部分柔性半导体
IEC62951-4:2019《4:
器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价
》。
本文件做了下列最小限度的编辑性改动
:
删除了术语和定义中和术语数据库网址
———ISOIEC。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出
。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口
(SAC/TC78)。
本文件起草单位中国电子科技集团公司第五十五研究所中国电子技术标准化研究院工业和信
:、、
息化部电子第五研究所浙江清华柔性电子技术研究院深圳市元亨光电股份有限公司河北北芯半导
、、、
体科技有限公司中国电子科技集团公司第五十八研究所芯体素杭州科技发展有限公司宁波甬强
、、()、
科技有限公司
。
本文件主要起草人赵先恒佘茜玮高杨倪峥薛爱杰闫美存牛皓杨晓峰何志峰朱海涛
:、、、、、、、、、、
褚昆席善斌虞勇坚周南嘉高蒙黄文强
、、、、、。
Ⅲ
GB/T472394—2026/IEC62951-42019
.:
引言
柔性可拉伸半导体器件具有可拉伸可弯曲可变形质量轻形态可变等特点可在机器人皮肤可
、、、、,、
穿戴设备光电产品及储能类产品等领域应用随着半导体器件工艺的发展和柔性可拉伸半导体器件
、。
的广泛应用对产品的质量和可靠性水平提出了更高的要求半导体器件柔性可拉伸
,。GB/T47239《
半导体器件是柔性可拉伸半导体器件进行测试和试验的基础性标准对于评估柔性可拉伸器件的性
》,
能稳定性及可靠性起着重要的作用拟由个部分构成
、。9。
第部分柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法目的是规定柔性半导体基板上导电薄膜弯
———1:。
曲试验方法
。
第部分柔性器件的电子迁移率亚阈值摆幅和阈值电压评价方法目的是规定弯曲状态下
———2:、。
柔性薄膜晶体管器件的迁移率亚阈值摆幅和阈值电压等电参数评价方法
、。
第部分柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价目的是规定柔性基板在凸起状态
———3:。
下薄膜晶体管特性的评价方法
。
第部分柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价目的是规定柔性半导体器件基
———4:。
板上柔性导电薄膜的疲劳评价方法
。
第部分柔性材料热特性测试方法目的是规定柔性材料热特性的测试方法
———5:。。
第部分柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法目的是规定柔性导电薄膜的薄层电阻测试
———6:。
方法
。
第部分柔性有机半导体封装薄膜阻挡特性测试方法目的是规定柔性有机半导体封装薄
———7:。
膜阻挡特性的测试方法
。
第部分柔性电阻存储器延展性柔韧性和稳定性测试方法目的是规定柔性电阻存储器的
———8:、。
术语和定义以及延展性柔韧性和稳定性的测试设备和测试流程
,、。
第部分一晶体管一电阻式电阻存储单元性能测试方法目的是规定一晶体管一电
———9:(1T1R)。
阻式电阻存储单元的术语和定义以及电阻存储单元性能参数的测试装置测试激励
(1T1R),、
和测试流程
。
所有部分均对应采用所有部分统一了柔性可拉伸半导体器件的测试
GB/T47239()IEC62951(),
和试验方法支撑柔性半导体器件产业的发展
,。
Ⅳ
GB/T472394—2026/IEC62951-42019
.:
半导体器件柔性可拉伸半导体器件
第4部分柔性半导体器件基板上
:
柔性导电薄膜的疲劳评价
1范围
本文件描述了柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜弯曲疲劳的评价方法薄膜样品主要包括沉积
。
或粘接在非导电柔性基板上的薄膜例如用于柔性半导体器件的金属薄膜透明导电电极和硅薄膜疲
,、。
劳试验方法包括动态弯曲疲劳试验和静态弯曲疲劳试验
。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
。,
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
,;,()
本文件
。
半导体器件微电子机械器件第部分薄膜材料拉伸试验方法
GB/T42709.2—20262:
(IEC62047-2:2006,IDT)
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件
。
31
.
弯曲半径bendingradius
柔性电子器件弯曲试验中弧对应的内表面和外表面之间中心线的曲率半径
,。
来源有修改
[:GB/T38001.11—2020,2.5.1,]
32
.
临界弯曲半径criticalbendingradius
柔性半导体器件将发生失效的弯曲半径
。
注对于导电薄膜临界弯曲半径是指器件电阻开始超过规定值或出现薄膜断裂分层潜在裂纹或基板损伤时的
:,,、、
弯曲半径
。
33
.
柔性基板flexiblesubstrate
具有柔韧性的在其上沉积黏合或附着导电薄膜的基板
、、。
来源
[:GB/T47239.1—2026,3.1.4]
34
.
外弯曲试验outerbendingtest
将试验样品弯曲成凸形的试验
(∩)。
注1外弯曲试验会在薄膜上产生拉应力
:。
注2外弯曲试验的名称很多例如向外弯曲面外弯曲或凸弯曲试验
:,、。
来源有修改
[:GB/T47239.1—2026,3.1.6,]
1
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