GB/T 47239.6-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第6部分:柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法

GB/T 47239.6-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 6:Test method for sheet resistance of flexible conducting films

国家标准 中文简体 即将实施 页数:28页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 47239.6-2026
标准类型
国家标准
标准状态
即将实施
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2026-08-28
实施日期
2027-03-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
适用范围
本文件界定了弯曲试验条件下柔性导电薄膜薄层电阻测试的术语和定义,描述了测试方法。测试方法包括两探针法、四探针法和蒙哥马利法,这些方法能用于原位、异位测量以及各向异性薄层电阻的测量。

文前页预览

研制信息

起草单位:
中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子技术标准化研究院、浙江清华柔性电子技术研究院、工业和信息化部电子第五研究所、广东南海启明光大科技有限公司、江苏纳美达光电科技有限公司、深圳意杰新技术有限公司、中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院、浙江骐盛电子有限公司、昆山一鼎工业科技有限公司、爱利彼半导体设备(上海)有限公司
起草人:
高杨、佘茜玮、赵先恒、薛爱杰、周廷宝、薛春宝、闫美存、何志峰、杨晓峰、牛皓、赵昊、黄良辉、刘腾蛟、宫立霞、王振、唐宗飘、周爱和、肖学才
出版信息:
页数:28页 | 字数:41 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS3108099

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T472396—2026/IEC62951-62019

.:

半导体器件柔性可拉伸半导体器件

第6部分柔性导电薄膜的薄层电阻

:

测试方法

Semiconductordevices—Flexibleandstretchablesemiconductordevices—

Part6Testmethodforsheetresistanceofflexibleconductinfilms

:g

IEC62951-62019IDT

(:,)

2026-08-28发布2027-03-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T472396—2026/IEC62951-62019

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

环境条件

4…………………2

两探针法原位测试

5………………………2

四探针法均匀性测试

6……………………5

蒙哥马利法各向异性测试

7………………7

附录资料性弯曲试验

A()………………9

附录资料性四探针测试

B()……………10

附录资料性蒙哥马利法

C()……………16

参考文献

……………………19

GB/T472396—2026/IEC62951-62019

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

本文件是半导体器件柔性可拉伸半导体器件的第部分已经发

GB/T47239《》6。GB/T47239

布了以下部分

:

第部分柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法

———1:;

第部分柔性器件的电子迁移率亚阈值摆幅和阈值电压评价方法

———2:、;

第部分柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价

———3:;

第部分柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价

———4:;

第部分柔性材料热特性测试方法

———5:;

第部分柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法

———6:;

第部分柔性有机半导体封装薄膜阻挡特性测试方法

———7:;

第部分柔性电阻存储器延展性柔韧性和稳定性测试方法

———8:、;

第部分一晶体管一电阻式电阻存储单元性能测试方法

———9:(1T1R)。

本文件等同采用半导体器件柔性可拉伸半导体器件第部分柔性导电薄

IEC62951-6:2019《6:

膜的薄层电阻测试方法

》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

删除了术语和定义中和术语数据库网址

———ISOIEC;

将图中样品长度表示符号由W更改为L图和图中的V更改为VV更改为

———3“”“”,5C.34334,14

V公式中的a更改为a

41,(B.6)2。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第五十五研究所中国电子技术标准化研究院浙江清华

:、、

柔性电子技术研究院工业和信息化部电子第五研究所广东南海启明光大科技有限公司江苏纳美达

、、、

光电科技有限公司深圳意杰新技术有限公司中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研

、、

院浙江骐盛电子有限公司昆山一鼎工业科技有限公司爱利彼半导体设备上海有限公司

、、、()。

本文件主要起草人高杨佘茜玮赵先恒薛爱杰周廷宝薛春宝闫美存何志峰杨晓峰牛皓

:、、、、、、、、、、

赵昊黄良辉刘腾蛟宫立霞王振唐宗飘周爱和肖学才

、、、、、、、。

GB/T472396—2026/IEC62951-62019

.:

引言

柔性可拉伸半导体器件具有可拉伸可弯曲可变形质量轻形态可变等特点可在机器人皮肤可

、、、、,、

穿戴设备光电产品及储能类产品等领域应用随着半导体器件工艺的发展和柔性可拉伸半导体器件

、。

的广泛应用对产品的质量和可靠性水平提出了更高的要求半导体器件柔性可拉伸

,。GB/T47239《

半导体器件是柔性可拉伸半导体器件进行测试和试验的基础性标准对于评估柔性可拉伸器件的性

》,

能稳定性及可靠性起着重要的作用拟由个部分构成

、。9。

第部分柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法目的是规定柔性半导体基板上导电薄膜弯

———1:。

曲试验方法

第部分柔性器件的电子迁移率亚阈值摆幅和阈值电压评价方法目的是规定弯曲状态下

———2:、。

柔性薄膜晶体管器件的迁移率亚阈值摆幅和阈值电压等电参数评价方法

、。

第部分柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价目的是规定柔性基板在凸起状态

———3:。

下薄膜晶体管特性的评价方法

第部分柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价目的是规定柔性半导体器件基

———4:。

板上柔性导电薄膜的疲劳评价方法

第部分柔性材料热特性测试方法目的是规定柔性材料热特性的测试方法

———5:。。

第部分柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法目的是规定柔性导电薄膜的薄层电阻测试

———6:。

方法

第部分柔性有机半导体封装薄膜阻挡特性测试方法目的是规定柔性有机半导体封装薄

———7:。

膜阻挡特性的测试方法

第部分柔性电阻存储器延展性柔韧性和稳定性测试方法目的是规定柔性电阻存储器的

———8:、。

术语和定义以及延展性柔韧性和稳定性的测试设备和测试流程

,、。

第部分一晶体管一电阻式电阻存储单元性能测试方法目的是规定一晶体管一电

———9:(1T1R)。

阻式电阻存储单元的术语和定义以及电阻存储单元性能参数的测试装置测试激励

(1T1R),、

和测试流程

所有部分均对应采用所有部分统一了柔性可拉伸半导体器件的测试

GB/T47239()IEC62951(),

和试验方法支撑柔性半导体器件产业的发展

,。

GB/T472396—2026/IEC62951-62019

.:

半导体器件柔性可拉伸半导体器件

第6部分柔性导电薄膜的薄层电阻

:

测试方法

1范围

本文件界定了弯曲试验条件下柔性导电薄膜薄层电阻测试的术语和定义描述了测试方法测试

,。

方法包括两探针法四探针法和蒙哥马利法这些方法能用于原位异位测量以及各向异性薄层电阻的

、,、

测量

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

塑料试样状态调节和试验的标准环境

GB/T2918—2018(ISO291:2008,IDT)

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

31

.

电阻率resistivity

电导率的倒数

来源

[:GB/T2900.60—2002,121.12.04]

32

.

薄层电阻sheetresistance

RS

电阻率除以导电薄膜的厚度

33

.

电阻resistance

对于端子为和的电阻性二端元件或二端电路端子间电压u除以元件或电路中电流i的商

AB,AB:

Rui

=AB/

式中如果电流i的方向从到时则电流i前取正号否则冠以负号

:AB,,。

注1电阻不能为负值

:。

注2电阻也是交流电阻的简称的

:“”“”。(GB/T2900.74—2008131-12-45)

注3国际单位制中电阻单位为欧姆

:(Ω)。

来源

[:GB/T2900.74—2008,131-12-04]

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