适用范围：本文件界定了半导体传感器的术语定义,规定了单位、符号、分类、标志、质量评定程序和试验测试程序。 本文件适用于由半导体材料制造的传感器,其他材料(如绝缘和铁电材料)制造的传感器参照执行。

适用范围：本文件描述了光学元件角分辨散射的散射几何关系、测试原理、测试环境和设备、测试方法、测试报告等内容。 本文件适用于光学元件（如镀膜或未镀膜的光学元件和透明、半透明或不透明材料）在5 nm～15 μm光谱范围内角分辨散射的测试，包括围绕被测件的散射球体内的散射，通常分为前向和后向两个半球。

适用范围：本文件规定了微波二极管和晶体管的术语和定义、基本额定值和特性、测试方法及验证方法等产品特定要求。 本文件适用于以下各类微波二极管和晶体管: ———变容二极管(用于电调谐、变频器、谐波倍频器、移相器等); ———阶跃二极管(用于梳状谱发生器、倍频器等); ———混频二极管(用于混频器等); ———检波二极管(用于检波器等); ———体效应二极管(用于振荡器、放大器等); ———PIN二极管(用于开关、限幅器、移相器、衰减器等); ———噪声二极管(用于固态噪声源等); ———双极型晶体管(用于放大器、振荡器); ———场效应晶体管(用于放大器、振荡器)。

适用范围：本文件描述了长度和宽度均小于1 mm，厚度小于10 μm的薄膜材料的拉伸试验方法，该类薄膜材料是微机电系统（MEMS)、微机械和同类微型器件的主要结构材料。 微机电系统、微机械和同类微型器件使用的薄膜结构材料具有一些特殊特征，如典型尺寸为微米级、材料采用淀积工艺制备、试验片通过刻蚀和光刻等非机械加工工艺制备。本文件规定的试验方法，能保证这类特殊性材料试验结果的准确性。

适用范围：本文件适用于印制电路板(PCB)组装期间进行批量回流焊工艺的所有器件,包括塑料包装、工艺敏感器件和其他由透湿材料(环氧树脂、硅酮等)制成的、暴露于空气环境中的潮湿敏感器件。 本文件的目的是为表面安装器件(SMD)承制方和用户提供按照IEC 60749-20中规定进行等级分类的潮湿、回流焊敏感的SMD的操作、包装、运输和使用的标准方法。提供的这些方法是为了避免因吸收湿气和暴露于回流焊的高温下造成的损伤,这些损伤会造成成品率和可靠性的降低。通过这些程序的应用,实现安全无损的回流焊,元器件通过干燥包装,提供从密封之日起保存于密封干燥袋内的货架寿命。 IEC 60749-20耐焊接热试验中规定了两种水汽浸渍试验方法,方法A和方法B。方法A在假设防潮袋内相对湿度小于30%的前提下规定的。方法B是在假设承制方暴露时间(MET)不超过24h,且防潮袋内相对湿度小于10%的前提下规定的。在实际操作环境中,使用方法A的SMD允许吸收湿气达到相对湿度30%,使用方法B的SMD允许吸收湿气达到相对湿度10%。本文件规定了在上述试验条件下SMD的操作条件。 注:气密封装的SMD不是潮湿敏感器件,不要求防潮湿处理。

适用范围：本文件规定了MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片的结构与分类、基本参数、要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输及贮存。 本文件适用于MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片,其他材料基片的压阻式芯片参照使用。

适用范围：本文件规定了在特殊情况下的贮存方法，产品内部包含以封装或电路板形式存在的各种类型的硅器件和半导体器件，贮存形式包括完整组装单元或子组装单元。本文件还适用于异构器件，但需特别注意组件或集成形式的存储器。 本文件提供了用户和供应商交互的指南及要求，以应对这类场景的复杂性。 注：在IEC 62435（所有部分）中“元器件”一词与裸片、晶圆、无源器件以及封装器件互换使用。

适用范围：本文件规定了制定大功率双极型晶体管详细规范的要求、试验条件和检验要求、包装、运输和贮存。 本文件适用于大功率双极型晶体管详细规范的制定。

适用范围：本文件规定了半导体分立器件（以下简称“器件”）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输和贮存要求。 本文件适用于除光电子器件和分立器件模块之外的半导体分立器件。

适用范围：本文件描述了激光显示器件中显示和光源组件的激光光源模组的光度和色度性能测试方法。光源模组具有一个或多个激光器件和一个光学输出装置，覆盖波长范围为380 nm～780 nm。激光器件包含一种或多种产生激光的器件，例如边缘发射激光二极管(LD)、垂直腔面发射激光二极管(VCSEL)或包括二次谐波(SHG)产生的光子上转换激光器件等。光学输出装置包括光导管、复眼透镜、透镜等空间输出，或者光纤等波导输出，用于收集多个激光器件的输出，并出射一束激光光束。 注：见3.1.5激光器件的定义。

适用范围：本文件规定了半导体分立器件的外形尺寸。 本文件适用于半导体分立器件的封装设计。

适用范围：本文件界定了半导体分立器件包括整流二极管，信号、开关和调整二极管，晶闸管，双极型晶体管，场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管，绝缘功率半导体器件和微波应用中的二极管和晶体管的文字符号。 本文件适用于半导体分立器件有关标准和产品技术资料的编写。

适用范围：本文件规定了小功率双极型晶体管(以下简称器件)(包括高低频小功率双极型晶体管和小功率双极型开关晶体管)的技术要求和质量保证规定。 本文件适用于小功率双极型晶体管详细规范的制定。

适用范围：本文件规定了适用于IEC 60747其他部分及IEC 60748(所有部分)所涵盖的半导体分立器件和集成电路的通用要求(见附录A)。 注:本文件与上一版(1998年版)章条结构的比较见附录B。

适用范围：本文件依据元器件和微电路对规定的带电器件模型(CDM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了元器件和微电路的ESD测试、评价、分级的程序。本文件适用于评价所有半导体封装器件、薄膜电路、声表面波(SAW)器件、光电器件、混合集成电路(HICs)及包括任意这些器件的多芯片组件(MCMs)。为进行测试，元器件需装配在与终端应用相似的封装中。本文件涉及的CDM模型不适用于插座式放电模型测试设备。本文件描述了场感应(FI)方法，另一种能作为替代的直接接触(DC)法见附录J。 本文件的目的是建立一种能够复现CDM失效并为不同测试设备间提供可靠、可重复的CDM ESD测试结果且不区分器件类型的测试方法。重复性数据保证了CDM ESD敏感度等级的准确划分及对比。

适用范围：本文件为评价因硫化氢导致的发光二极管(LED)封装银和银合金变色提供了一种加速试验方法，目的是确定银和银合金变色对LED封装光通量和辐射通量维持率的影响提供相关信息。此外，该试验方法能够为LED封装的电性能因受到银和银合金腐蚀的影响提供相关信息。 试验的目的是确定硫化氢气体对LED封装材料的影响： ——银或银合金； ——有其他保护层的银或银合金； ——用银或银合金覆盖的金属。 本文件不包含因其他因素退化导致的光通量维持率、辐射通量维持率和电性能(例如，铜或硅酮部件的降解)变化。 本文件仅适用于照明应用的LED封装。

适用范围：本文件适用于电子设备用的单向引出的电容器和电阻器。 本文件对单向引出的电容器和电阻器所需空间的测量方法进行了规定。 注:本方法能代替实际空间的测量。采用固定式量规的测量方法,能确保元件装入其所设计的最大空间。

适用范围：本文件适用于长期贮存的无源电子器件，能作为延缓淘汰策略的一部分。长期贮存是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。通常原始供应商将产品贴上包装日期或日期代码后才开始贮存。经销商和客户都有责任在收到标有日期的产品后控制和管理库存，或者建立供应商-客户协议来管理库存。本文件提供了有效进行无源电子器件长期贮存的原则、良好工作实践和一般方法。

适用范围：本文件描述了柔性显示器件机械可靠性的标准试验方法，特别针对柔性显示器件受到外力作用的撞击和硬度的机械可靠性。 本文件适用于评价基于液晶显示、电子纸和有机发光二极管显示技术在内的柔性显示模块（以下简称“显示模块”)的机械可靠性。

适用范围：本文件规定了微电子机械器件(MEMS)长期贮存方法和推荐条件，包括运输、控制以及贮存设施安全。长期贮存是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。本文件也提供了有效进行微电子机械器件长期贮存的原则、良好工作实践和一般方法。