国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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现行
译：GB/T 6590-1998 Semiconductor device-Discrete devices—Part 6:Thyristors Section Two-Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient or case-rated,up to 100A【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.20晶体闸流管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L43半导体整流器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-11-17 | 实施时间： 1999-06-01收藏 -
现行
译：GB/T 6219-1998 Semiconductor devices-Discrete devices Part 8:Field-effect transistors Section One-Blank detail specification for singe-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-11-17 | 实施时间： 1999-06-01收藏
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被代替
译：GB/T 4023-1997 Semiconductor devices—Discrete devices and integrated circuits—Part 2:Rectifier diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-10-07 | 实施时间： 1998-09-01收藏
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现行
译：GB/T 6218-1996 Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1996-07-09 | 实施时间： 1997-01-01收藏
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现行
译：GB/T 16468-1996 Series programmes for static induction transistors【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L44场效应器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1996-07-09 | 实施时间： 1997-01-01收藏
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现行
译：GB/T 7577-1996 Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1996-07-09 | 实施时间： 1997-01-01收藏
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被代替
译：GB/T 4937-1995 Mechanical and climatic test methods for semiconductor devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-12-22 | 实施时间： 1996-08-01收藏
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现行
译：GB/T 15651-1995 Semiconductor devices Discrete devices and integrated circuits—Part 5:Optoelectronic devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-07-24 | 实施时间： 1996-04-01收藏
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现行
译：GB/T 6571-1995 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 3:Signal(including switching)and regulator diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-07-24 | 实施时间： 1996-04-01收藏
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现行
译：GB/T 15529-1995 Blank detail specification for LED numeric displays【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L45微波、毫米波二、三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-04-06 | 实施时间： 1995-11-01收藏
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废止
译：GB/T 15450-1995 Blank detail specification for silicon dual-gate field-effect transistors【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L44场效应器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-01-05 | 实施时间： 1995-08-01收藏
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现行
译：GB/T 15449-1995 Blank detail-specification for field-effect transistors for case-rated swatching application【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L44场效应器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-01-05 | 实施时间： 1995-08-01收藏
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被代替
译：GB/T 4587-1994 Semiconductor discrete devices and integrated circuits—Part 7:Bipolar transistors【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-12-30 | 实施时间： 1995-08-01收藏
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现行
译：GB/T 4586-1994 Semiconductor devices Discrete devices—Part 8:Field-effect transistors【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-12-30 | 实施时间： 1995-08-01收藏
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废止
译：GB/T 15177-1994 Blank detail specification for microwave detectors and mixer diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-08-20 | 实施时间： 1995-04-01收藏
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废止
译：GB/T 15178-1994 Blank detail specification for variable capacitance diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-08-20 | 实施时间： 1995-04-01收藏
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废止
译：GB/T 15167-1994 General specification for light source of semiconductor lasers【国际标准分类号(ICS)】 ：31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 ：L47其他发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-08-15 | 实施时间： 1995-03-01收藏
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废止
译：GB/T 15137-1994 Blank detail specification for gunn diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-06-25 | 实施时间： 1995-04-01收藏
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被代替
译：GB/T 14863-1993 Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1993-12-30 | 实施时间： 1994-10-01收藏
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废止
译：GB/T 13063-1991 Blank detail specification for current-regulator and current-reference diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1991-07-06 | 实施时间： 1992-03-01收藏
现行
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被代替
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