国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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被代替
译：GB/T 20871.2-2007 Organic light emitting diode display—Part 2:Terminology and letter symbols适用范围：本部分给出了有机发光二极管显示器优先采用的术语、定义和文字符号。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.120电子显示器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L47其他发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2007-02-09 | 实施时间： 2007-09-01收藏 -
现行
译：GB/T 20870.1-2007 Semiconductor devices—Part 16-1:Microwave integrated circuits—Amplifiers适用范围：本部分规定了微波集成电路放大器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2007-02-09 | 实施时间： 2007-09-01收藏
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现行
译：GB/T 20516-2006 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 4:Microwave devices适用范围：本标准给出了以下门类分立器件的标准： ——变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管（用于调谐、上变频器或谐波倍频器、开关、限幅器、移相器、参量放大器等） ——混频二极管和检波二极管 ——雪崩二极管（用于谐波发生器、放大器等） ——体效应二极管（用于振荡器、放大器等） ——双极型晶体管（用于放大器、振荡器等） ——场效应晶体管（用于放大器、振荡器等）【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-10-10 | 实施时间： 2007-02-01收藏
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现行
译：GB/T 4589.1-2006 Semiconductor devices—Part 10:Generic specification for discrete devices and integrated circuits适用范围：本规范构成国际电工委员会电子元器件质量评定体系（IECQ）的一部分。 本规范是半导体器件（分立器件和集成电路，包括多片集成电路，但不包括混合电路）的总规范。 本规范规定了在IECQ体系内采用的质量评定的总程序，并给出了下述方面的总原则： ——电特性测试方法； ——气候和机械试验； ——耐久性试验。 注:当存在已批准的、适用于特定的一种或几种器件类型的分规范、族规范和空白详细规范时，必须用这些规范来补充本规范【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-10-10 | 实施时间： 2007-02-01收藏
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现行
译：GB/T 20521-2006 Semiconductor devices—Part 14-1:Semiconductor sensors—General and classification适用范围：本标准描述了有关传感器规范的基本条款，这些条款适用于由半导体材料制造的传感器，也适用于由其他材料（例如绝缘或铁电材料）所制造的传感器。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-08-23 | 实施时间： 2007-02-01收藏
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现行
译：GB/T 4937.1-2006 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 1:General适用范围：本部分适用于半导体器件（分立器件和集成电路）并为GB/T 4937系列的其他部分建立通用准则。 当本部分与相应的详细规范有矛盾时，以详细规范为准。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-08-23 | 实施时间： 2007-02-01收藏
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现行
译：GB/T 4937.2-2006 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 2:Low air pressure适用范围：本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力，而这种失效是由于气压减小时，空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1 000 V的器件。 本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-08-23 | 实施时间： 2007-02-01收藏
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现行
译：GB/T 20522-2006 Semiconductor devices—Part 14-3:Semiconductor sensors—Pressure sensors适用范围：本标准规定了测量绝压、表压和差压的半导体传感器的要求。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-08-23 | 实施时间： 2007-02-01收藏
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被代替
译：GB/T 18910.2-2003 Liquid crystal and solid-state display devices—Part 2:Liquid crystal display modules sectional specification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.120电子显示器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2003-11-24 | 实施时间： 2004-08-01收藏
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现行
译：GB/T 6589-2002 Semiconductor devices—discrete devices—Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes—blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2002-12-04 | 实施时间： 2003-05-01收藏
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被代替
译：GB/T 18910.1-2002 Liquid crystal and solid-state display devices—Part 1:Generic specification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.120电子显示器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2002-12-04 | 实施时间： 2003-05-01收藏
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现行
译：GB/T 18680-2002 The transparent conductive glass with indium-tin oxide films used in liquid crystal display【国际标准分类号(ICS)】 ：31.120电子显示器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L47其他发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2002-03-10 | 实施时间： 2002-08-01收藏
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现行
译：GB/T 11499-2001 Letter symbols for discrete semiconductor devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2001-11-05 | 实施时间： 2002-06-01收藏
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现行
译：GB/T 6588-2000 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes Section One—Blank detail specification for signal diodes,switching diodes and controlled-avalanche diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2000-10-17 | 实施时间： 2001-10-01收藏
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现行
译：GB/T 12560-1999 Semiconductor devices Sectional specification for discrete devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1999-08-02 | 实施时间： 2000-03-01收藏
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现行
译：GB/T 6352-1998 Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section One-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient or case-rated,up to 100A【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.20晶体闸流管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L43半导体整流器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-11-17 | 实施时间： 1999-06-01收藏
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现行
译：GB/T 6351-1998 Semiconductor devices Discrete devices Part 2:Rectifier diodes Section One-Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti-fier diodes), ambient and case-rated,up to 100A【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L43半导体整流器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-11-17 | 实施时间： 1999-06-01收藏
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现行
译：GB/T 17573-1998 Semiconductor devices Discrete devices and integrated circuits Part 1:General【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-11-17 | 实施时间： 1999-06-01收藏
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现行
译：GB/T 6217-1998 Semiconductor devices-Discrete devices Part 7:Bipolar transistors Section One-Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-11-17 | 实施时间： 1999-06-01收藏
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现行
译：GB/T 7576-1998 Semiconductor devices—Discrete devices Part 7:Bipolar transistors Section Four—Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-11-17 | 实施时间： 1999-06-01收藏
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