适用范围：本文件规定了OLED用螺芴氧杂蒽的技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存

适用范围：本文件规定了螺芴氧杂蒽(SFX)材料的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存

适用范围：本文件规定了螺芴氧杂蒽(SFX)绿色合成的工艺设计、绿色工艺要求、质量控制要求、安全、环境与职业健康

适用范围：本文件规定了半导体致冷器件致冷功率与致冷系数的测试方法的术语和定义、原理、环境试试条件、试剂和材料、测试设备、样品、实验步骤、试验数据处理、精密度和试验报告。 本文件适用于平板式半导体致冷器件在热面工况温度233 K ~ 400 K范围内的致冷功率与致冷系数测试，其他类型的半导体致冷性能或者其他温度工况下的性能测试可以参考使用。 本文件规定了半导体致冷器件致冷功率与致冷系数的测试方法的术语和定义、原理、环境试试条件、试剂和材料、测试设备、样品、实验步骤、试验数据处理、精密度和试验报告。 本文件适用于平板式半导体致冷器件在热面工况温度233 K ~ 400 K范围内的致冷功率与致冷系数测试，其他类型的半导体致冷性能或者其他温度工况下的性能测试可以参考使用

适用范围：本文件规定了基于集成电路用高性能晶圆的生产流程、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于直拉法制造的、用于先进集成电路制造的硅单晶抛光片（以下简称“晶圆”），主要应用于逻辑、存储等高性能计算芯片的制造。其他半导体材料（如SiC、GaN）或用于其他领域的晶圆可参照使用

适用范围：本文件规定了智能设备用电源管理芯片的技术要求、性能参数要求、可靠性要求、封装与引脚要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于智能手机、平板电脑、智能可穿戴设备（如智能手表、手环、AR/VR眼镜）、物联网终端模块、智能家居控制器等由电池供电的便携式及固定式智能终端设备

适用范围：本文件规定MF5605型热敏电阻器（以下简称热敏电阻器）的详细技术要求、产品质量保证要求和交货准备以及技术性能参数的具体检测试验方法。 本文件适用于热敏电阻器生产过程控制、承制方筛选、鉴定检验、质量一致性检验、用户验收等。 1）试验条件均按照GJB601B-2018《热敏电阻器通用规范》和GJB360B-2009《电子及电气元件试验方法》的规定。对于用户的使用条件超出以上规范试验条件的在详细规范中具体说明； 2）破坏性物理分析（DPA）试验条件完全按照GJB4027A-2006《军用电子元器件破坏性物理分析方法》规定； 3）标称零功率电阻值：本规范的标称零功率电阻值范围为10KΩ～500KΩ，B值范围为220K～800K，可调范围较大，可以根据用户需求定制不同规格的产品； 4）外形尺寸也可以根据用户不同需求进行定制； 5）电阻比和B值是从不同角度和方法表征热敏电阻器同一特性的两个不同参数，两者试验条件也不相同。国内热敏电阻器研制、生产方及用户都习惯采用B值。GJB601B-2018采用电阻比，本规范规定了B值及其试验条件，未规定电阻比及试验条件； 6）短期负荷、负荷寿命：用户实际使用最大功率＜1mW，本规范规定最大额定功率为1mW； 7）低温贮存：采用最低工作温度液氮（77K）为低温贮存工作温度介质； 8）高温贮存：采用比实际最高工作温度高的85℃±3℃为高温贮存温度； 9）温度冲击的极限温度规定为实际工作温度的最低工作温度（77K）和125℃的上限温度，且转换时间大于10min，并且符合低温贮存和高温贮存试验条件的规定； 8）剩余电流、动作电流、不动作电流、表面温度、浪涌电流：MF5605型热敏电阻器属于负温度系数热敏电阻器，其使用主要是测控温用，故不适用； 9）电阻温度特性：只作典型示例不做检验要求； 10）热时间常数：由于使用条件下的热时间常数无法测量，故不适用； 11）耗散常熟：由于使用条件下的耗散常数无法测量，故不适用； 12）可焊性试验：明确试验方法及老化条件； 13）响应时间：热时间常数与热响应时间均是反映电阻器与温度的响应速度，根据用户使用方法，响应时间不适用； 14）引出端强度：明确拉力条件； 15）耐焊接热：浸入深度为距元件本体1.5±0.5mm处（总规范为离电阻体（3~5）mm处）受产品产品结构影响

适用范围：本文件提出了碳化硅器件在进行功率循环试验时需要遵循的方法和步骤。 本文件适用于碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）、碳化硅（SiC）二极管以及二者混 合封装器件的测试。 本文件规定了碳化硅（SiC）二极管器件、碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）器件以及二者混合封装的器件，在进行功率循环试验时，需要遵循的方法和步骤

适用范围：本文件规定了高功率片式多层陶瓷电容器的技术要求 、试验方法 、检验规则 、标识 、包装 、运输和贮存等。 本文件适用于高功率片式多层陶瓷电容器。 本文件规定了高功率片式多层陶瓷电容器的技术要求 、试验方法 、检验规则 、标识 、包装 、运输和贮存等

适用范围：本文件描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100 kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。 本文件适用于GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： 1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件； 2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件； 3） 以上的晶圆级及封装级产品。 本文件描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100 kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。 本文件适用于GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： 1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件； 2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件； 3） 以上的晶圆级及封装级产品

适用范围：本文件规定了机架式服务器嵌入式电源模块（以下简称服务器电源）的产品分类、技术要求、检验规则、测试方法、标志、运输、贮存等。 本文件适用于服务器电源的设计、实现、部署和使用。为用户选型或第三方机构对产品评测提供参考。 本文件规定了机架式服务器嵌入式电源模块（以下简称服务器电源）的产品分类、技术要求、检验规则、测试方法、标志、运输、贮存等。 本文件适用于服务器电源的设计、实现、部署和使用。为用户选型或第三方机构对产品评测提供参考

适用范围：本文件规定了先进制程关键器件层刻蚀及表面处理超低损伤技术的术语和定义、不同类型层刻蚀损伤要求、表面处理损伤要求、检验方法及超低损伤控制。 本文件适用于半导体制造、微电子器件加工过程中使用化学、物理方法选择性去除器件特定材料层（3nm节点）的质量控制

适用范围：本文件规定了二次电池用涂碳箔的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和包装、运输、贮存及订货单内容。 本文件适用于二次电池中用以承载活性材料的集流体，即涂碳箔。 本文件规定了二次电池用涂碳箔的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和包装、运输、贮存及订货单内容。 本文件适用于二次电池中用以承载活性材料的集流体，即涂碳箔

适用范围：本文件规定了柔性OLED显示屏封装的技术要求、检测方法。 本文件适用于柔性OLED显示屏的封装设计、材料选择、生产工艺、检测方法及相关的环境保护要求，适用于各类柔性OLED显示屏的生产企业、研发机构及相关检测机构。 本文件规定了柔性OLED显示屏封装的技术要求、检测方法。 本文件适用于柔性OLED显示屏的封装设计、材料选择、生产工艺、检测方法及相关的环境保护要求，适用于各类柔性OLED显示屏的生产企业、研发机构及相关检测机构

适用范围：本文件规定了超级电容器活性炭电极材料的电化学性能要求及试验方法。 本文件适用于超级电容器活性炭电极材料。 本文件规定了超级电容器活性炭电极材料的电化学性能要求及试验方法。 本文件适用于超级电容器活性炭电极材料

适用范围：本文件给出了汽车用硅光电倍增管的缩略语，规定了汽车用硅光电倍增管的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于汽车用硅光电倍增管的制造和检验

适用范围：本文件规定了集成式抗谐波电容器（以下简称“电容器”）的术语和定义、分类与命名、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存

适用范围：本文件规定了高端石英空白掩模版及相关工艺装备的术语和定义、工艺装备、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等内容。 本文件适用于由石英基板、低反射率Cr膜和光刻胶层组成的掩模版

适用范围：范围:本文件适用于半导体激光治疗仪故障诊断及维护; 主要技术内容:本文件规定了半导体激光治疗仪故障诊断及维护的基本要求、故障诊断与分析、维护、故障诊断及维护记录

适用范围：范围:本标准规定了电子听诊器的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存。 本标准适用于心脏、肺部等部位听诊的电子听诊器; 主要技术内容:外观和结构、传音特性、音量调节、录音功能、安全要求、电磁兼容性、生物相容性、环境适应性