GB/T 19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

ICS77.040

H17GB

中华人民共和国国彖标淮

GB/T19199—2015

代替GB/T19199—2003

半绝缘不申化圭家单晶中碳浓度的

红外吸收测试方法

Testmethodsforcarbonacceptorconcentrationinsemi-insulatinggallium

arsenidesinglecrystalsbyinfraredabsorptionspectroscopy

2015-12-10发布2016-07-01实施

幅畿勰畫曹1警彎畫发布

GB/T19199—2015

-—1—

刖旨

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本标准代替GB/T19199—2003«半绝缘神化傢单晶中碳浓度的红外吸收测试方法》。

本标准与GB/T19199-2003相比，主要有以下变化：

——增加了“规范性引用文件”“术语和定义”“干扰因素”和“测试环境”4章；

-扩展了半绝缘神化傢单晶电阻率范围，将电阻率大于IO?。•cm修改为大于10"。•cm；

——将范围由“非掺杂半绝缘神化稼单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘神化傢单晶”；

去除了0.4mm〜2mm厚度测试样品的解理制样方法；

—室温差示法测量时，将“仪器分辨率为0.5cm"或1cm-'",修改为“仪器分辨率1cm^”。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/T203)与全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分会(SAC/T203/S2)共同提出并归口。

本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中

国电子材料行业协会。

本标准起草人:何秀坤、李静、张雪因。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

GB/T19199—2003o

GB/T19199—2015

半绝缘碑化镌单晶中碳浓度的

红外吸收测试方法

1范围

本标准规定了半绝缘神化镣单晶中碳浓度的红外