GB/T 15651.7-2024 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管

ICS31.260

CCSL53

中华人民共和国国家标准

/—

GBT15651.72024

:

半导体器件第部分光电子器件

5-7

光电二极管和光电晶体管

—:—

SemiconductordevicesPart5-7Otoelectronicdevices

p

Photodiodesandhototransistors

p

(:,)

IEC60747-5-72016MOD

2024-03-15发布2024-07-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT15651.72024

目次

前言…………………………Ⅲ

引言…………………………Ⅳ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4光电二极管的基本额定值和特性………………………9

5光电晶体管的基本额定值和特性………………………10

6光敏器件的测试方法……………………12

参考文献……………………16

Ⅰ

/—

GBT15651.72024

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

本文件是/的第部分,/已经发布了以下部分:

GBT156515-7GBT15651

———:(/—);

半导体器件分立器件和集成电路第部分光电子器件

5GBT156511995

———:(/—

半导体分立器件和集成电路第部分光电子器件基本额定值和特性

5-2GBT15651.2

2003);

———:(/—);

半导体分立器件和集成电路第部分光电子器件测试方法

5-3GBT15651.32003

———:(/—);

半导体器件分立器件第部分光电子器件半导体激光器

5-4GBT15651.42017

———:(/—);

半导体器件第部分光电子器件光电耦合器

5-5GBT15651.52024

———:(/—);

半导体器件第部分光电子器件发光二极管

5-6GBT15651.62023

———:(/—)。

半导体器件第部分光电子器件光电二极管和光电晶体管

5-7GBT15651.72024

:《:

本文件修改采用半导体器件第部分光电子器件光电二极管和光电

IEC60747-5-720165-7

晶体管》。

,,,

本文件将国际文件的第章第章调整到第章符合我国标准的要求便于标准的使用之后

4~73

的章条号顺延。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动:

),;

删除了资料性附录与本文件内容无关

aA

)“()()

将光学辐射波长位于向射线过渡区和向无线电波过渡区之间

b3.2Xλ≈1nmλ≈1mm

”()(),。

的电磁辐射第二个λ≈1nm改为λ≈1mm改正其中的编辑性错误

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口。

:、、

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院厦门市产品质量监督检验院惠州仲恺高新区LED

、、、

品牌发展促进会浙江智菱科技有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所厦门华联电子股份有

、、、。

限公司中国光学光电子行业协会四川华体照明科技股份有限公司北京大学东莞光电研究院

:、、、、、、、、、。

本文件主要起草人刘秀娟葛莉荭成森继李俊凯刘东月郑智斌洪震段琼李俊李成明

Ⅲ

/—

GBT15651.72024

引言

/,、

制定GBT15651系列的第5-7部分为一般工业应用的光电二极管和光电晶体管产品的测试评

价等提供适当的依据。

/,、

GBT15651是半导体光电子器件的系列标准主要规定了光电子器件的总体要求基本额定值和

、、、、、、

特性测试方法半导体激光器光电耦合器发光二极管光电二极管和光电晶体管等器件的技术要求

,。

质量保证规定等内容拟由以下几个部分构成

———:。、、

第部分光电子器件目的在于给出半导体光电子发射器件半导体光敏元器件内部工作

5

机理与光辐射有关的半导体器件和分类型器件的标准。

———:。、

第部分光电子器件基本额定值和特性目的在于给出半导体光电子发射器件半导体

5-2

、、

光电探测器件半导体光敏器件内部进行光辐射工作的半导体器件及分类为光电子器件的基

,。

本额定值和特性用于光纤系统或子系统的除外

———:。,

第部分光电子器件测试方法目的在于给出光电子器件的测试方法用于光纤系统或

5-3

子系统的除外。

———:。、

第部分光电子器件半导体激光器目的在于给出半导体激光器的基本额定值特性和

5-4

测试方法。

———:。、、、

第部分光电子器件光电耦合器目的在于给出光电耦合器的术语基本额定值特性

5-5

安全试验及测量方法。

———:。、、

第部分光电子器件发光二极管目的在于给出发光二极管的术语额定值和特性测

5-6

试方法和质量评估方法。

———:。

第部分光电子器件光电二极管和光电晶体管目的在于给出光电二极管和光电晶体

5-7

、。

管的术语基本额定值和特性以及测量方法

Ⅳ

/—

GBT15651.72024

:

半导体器件第部分光电子器件

5-7

光电二极管和光电晶体管

1范围

(“”)(“”)、

本文件规定了光电二极管以下简称PDs和光电晶体管以下简称PTs的术语基本额定值和

特性以及测试方法。

本文件适用于光电二极管和光电晶体管。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1物理概念

3.1.1

电磁辐射electromaneticradiation

g

辐射radiation

)能量以与光子有关联的电磁波的形式发射或传播。

a

)电磁波或光子。

b

[:/—,,]

来源GBT2900.652004845-01-01有修改

3.1.2

光学辐射oticalradiation

p

波长位于向射线过渡区()和向无线电波过渡区()之间的电磁辐射。

Xλ≈1nmλ≈1mm

[:/—,]

来源GBT2900.652004845-01-02

3.1.3

可见辐射visibleradiation

任何能够直接引起视觉的光学辐射。

:,。

注可见辐射的光谱范围没有明确的界限因为它取决于到达视网膜的辐射功率和观察者的响应度下限一般在

,。

和之间上限在和之间

360nm400nm760nm830nm

[:/—,]

来源GBT2900.652004845-01-03

3.1.4

红外辐射infraredradiation

波长大于可见辐射波长的光学辐射。

[:/—,,]

来源GBT2900.652004845-01-04有修改

1