GB/T 15651.4-2017 半导体器件 分立器件 第5-4部分：光电子器件 半导体激光器

ICS31.260

L51

中华人民共和国国家标准

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GBT15651.42017IEC60747-5-42006

半导体器件分立器件

:

第5-4部分光电子器件

半导体激光器

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SemiconductordevicesDiscretedevicesPart5-4Otoelectronicdevices

p

Semiconductorlasers

(:,)

IEC60747-5-42006IDT

2017-05-31发布2017-12-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

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GBT15651.42017IEC60747-5-42006

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………2

3.1物理概念……………2

———()………

3.2器件类型半导体激光器激光二极管2

3.3一般术语……………2

3.4与额定值和特性有关的术语………………………3

4基本额定值和特性………………………7

4.1类型…………………7

4.2半导体………………7

4.3外形与封装细节……………………7

()…………

4.4极限值绝对最大额定值7

4.5光电特性……………8

4.6补充资料———温度对波长的影响…………………9

5测试方法…………………10

5.1功率测试……………10

5.2输出功率稳定性……………………10

5.3时域分布……………12

5.4寿命…………………14

5.5激光束的光学特性…………………14

()…………………

附录资料性附录空间分布和光谱特性相关术语及定义参照表

A18

()……

附录资料性附录空间分布和光谱特性相关测试方法参照表

B22

()、…………

附录资料性附录功率测试和寿命相关术语定义及测试方法参照表

C23

参考文献……………………24

图带端口无透镜器件……………………

13

图开关时间………………

24

图激光二极管的阈值电流………………

35

图基本电路图…………………………

410

图基本电路图…………………………

512

图典型脉冲响应图……………………

613

图基本电路图…………………………

714

Ⅰ

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GBT15651.42017IEC60747-5-42006

图半强度角……………

815

图指定平面和机械参考面的关系……………………

915

图10基本测量装置图…………