GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法
GB/T 36477-2018 Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for flash memory
国家标准
中文简体
现行
页数:18页
|
格式:PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2018-06-07
实施日期
2019-01-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
适用范围
本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。
本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。
本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。
发布历史
-
2018年06月
研制信息
- 起草单位:
- 中国电子技术标准化研究院、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、上海复旦微电子集团股份有限公司、深圳市中兴微电子技术有限公司、北京兆易创新科技股份有限公司、复旦大学、中兴通讯股份有限公司
- 起草人:
- 菅端端、陈大为、钟明琛、罗晓羽、冯光涛、倪昊、赵子鉴、董艺、田万廷、高硕、闵昊、刘刚
- 出版信息:
- 页数:18页 | 字数:32 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS31.200
L56
中华人民共和国国家标准
/—
GBT364772018
半导体集成电路
快闪存储器测试方法
—
Semiconductorinteratedcircuit
g
Measurinmethodsforflashmemor
gy
2018-06-07发布2019-01-01实施
国家市场监督管理总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT364772018
目次
前言…………………………Ⅰ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4一般要求…………………1
4.1设备和条件…………………………1
4.2电参数测试向量……………………1
5详细要求…………………2
5.1输出高电平电压和输出低电平电压………………2
5.2输入高电平电压和输入低电平电压………………3
5.3输入高电平电流和输入低电平电流………………5
5.4输出高电平电流和输出低电平电流………………5
5.5输出高电阻状态电流………………6
5.6电源电流和漏电流…………………6
5.7传输时间……………7
5.8建立时间和保持时间………………9
5.9延迟时间……………11
()…………………
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