GB/T 36477-2018 半导体集成电路快闪存储器测试方法

GB/T 36477-2018 Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for flash memory

国家标准中文简体现行页数：18页 | 格式：PDF

基本信息

标准号

GB/T 36477-2018

发布历史

2018年06月

GB/T 36477-2018　半导体集成电路快闪存储器测试方法

当前标准现行 2018-06-07

文前页预览

研制信息

起草单位：: 中国电子技术标准化研究院、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、上海复旦微电子集团股份有限公司、深圳市中兴微电子技术有限公司、北京兆易创新科技股份有限公司、复旦大学、中兴通讯股份有限公司

起草人：: 菅端端、陈大为、钟明琛、罗晓羽、冯光涛、倪昊、赵子鉴、董艺、田万廷、高硕、闵昊、刘刚

出版信息：: 页数：18页 | 字数：32 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS31.200

L56

中华人民共和国国家标准

/—

GBT364772018

半导体集成电路

快闪存储器测试方法

—

Semiconductorinteratedcircuit

Measurinmethodsforflashmemor

2018-06-07发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT364772018

前言…………………………Ⅰ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4一般要求…………………1

4.1设备和条件…………………………1

4.2电参数测试向量……………………1

5详细要求…………………2

5.1输出高电平电压和输出低电平电压………………2

5.2输入高电平电压和输入低电平电压………………3

5.3输入高电平电流和输入低电平电流………………5

5.4输出高电平电流和输出低电平电流………………5

5.5输出高电阻状态电流………………6

5.6电源电流和漏电流…………………6

5.7传输时间……………7

5.8建立时间和保持时间………………9

5.9延迟时间……………11

()…………………

定制服务

关联标准

引用标准

GB/T 17574-1998

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路

现行

相似标准推荐

更多>

GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法