GB/T 4023.2-2026 半导体分立器件 第2部分：整流二极管

ICS3108010

CCSL.41.

中华人民共和国国家标准

GB/T40232—2026/IEC60747-22025

.:

代替GB/T4023—2015

半导体分立器件第2部分

:

整流二极管

Discretesemiconductordevices—Part2Rectifierdiodes

:

IEC60747-22025Semiconductordevices—Part2Discretedevices—

(:,:

RectifierdiodesIDT

,)

2026-09-28发布2027-04-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T40232—2026/IEC60747-22025

.:

目次

前言

…………………………Ⅴ

引言

…………………………Ⅶ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

一般术语和定义

3.1……………………2

电压

3.2…………………2

电流

3.3…………………3

功率耗散

3.4……………5

开关特性

3.5……………6

机械额定值

3.6…………………………8

文字符号

4…………………9

概述

4.1…………………9

文字符号表

4.2…………………………9

基本额定值和特性

5………………………10

通则

5.1…………………10

额定值极限值

5.2()……………………10

特性

5.3…………………12

验证和测量方法

6…………………………14

通则

6.1…………………14

额定值极限值的验证方法

6.2()………………………14

电特性测量方法

6.3……………………22

热特性测量方法

6.4……………………34

型式试验常规试验耐久性试验和标志的要求

7、、………36

型式试验

7.1……………36

常规试验

7.2……………36

耐久性试验

7.3…………………………37

测量和试验方法

7.4……………………38

标志

7.5…………………38

参考文献

……………………39

图反向电压额定值

1………………………2

Ⅰ

GB/T40232—2026/IEC60747-22025

.:

图正向电流额定值

2………………………4

图正向恢复期间的电压波形方法

3(Ⅰ)…………………6

图正向恢复期间的电压波形方法

4(Ⅱ)…………………6

图反向恢复期间的电流波形

5……………7

图反向恢复期间的电压和电流波形及恢复电荷

6………8

图恢复电荷Q反向恢复峰值电流I反向恢复时间t理想特性曲线

7r,rrm,rr()………13

图反向不重复峰值电压的验证电路

8…………………15

图正向不重复浪涌电流的验证电路

9…………………16

图雪崩整流二极管的反向重复峰值功率P或反向浪涌功率P的验证电路

10(RRM)(RSM)…………17

图三角波反向电流

11……………………18

图正弦波反向电流

12……………………18

图矩形波反向电流

13……………………19

图反向浪涌功率P与击穿电压的关系

14RSM…………20

图管壳不破裂峰值电流的验证电路

15…………………21

图通过被测二极管的反向电流波形

16…………………21

图正向电压的直流测量电路

17…………22

图正向平均电压和或正向峰值电压的测量电路交流法

18/()………23

图正向峰值电压和电流特性的图示

19…………………24

图正向峰值电压的测量电路脉冲法

20()………………24

图击穿电压的测量电路

21………………25

图反向电流的测量电路

22………………26

图反向重复峰值电流的测量电路

23……………………27

图反向恢复特性的测量电路

24…………28

图反向恢复期间通过二极管的电流波形半正弦波法

25()……………28

图反向恢复特性的测量电路矩形波法

26()……………30

图反向恢复期间通过二极管的电流波形矩形波法

27()………………30

图电容性电荷的测量电路

28……………32

图正向恢复的测量电路

29………………33

图正向恢复期间的电流波形

30…………33

图正向恢复期间的电压波形

31…………33

图热阻和瞬态热阻抗测量电路

32………………………35

图测量电流下的正向电压随管壳温度变化的典型校准曲线外部加热时即TT

33(,c=vj)………36

表电压

1……………………9

表电流

2……………………9

表功率耗散

3……………10

Ⅱ

GB/T40232—2026/IEC60747-22025

.:

表开关

4…………………10

表整流二极管的型式试验和常规试验的最少试验项目

5……………37

表耐久性试验后判定接收的特性

6……………………38

Ⅲ

GB/T40232—2026/IEC60747-22025

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体分立器件的第部分已经发布了以下部分

GB/T4023《》2。GB/T4023:

第部分分规范

———1:;

第部分整流二极管

———2:;

第部分信号开关和调整二极管

———3:、;

第部分微波二极管和晶体管

———4:;

第部分场效应晶体管

———8:;

第部分绝缘功率半导体器件

———15:。

本文件代替半导体分立器件和集成电路第部分整流二极管与

GB/T4023—2015《2:》,

相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

GB/T4023—2015,,:

更改了范围见第章年版的第章

a)(1,20151);

增加了正向峰值电压正向平均电压正向恢复峰值电压正向峰值电流反向重复峰值

b)“”“”“”“”“

电流反向恢复峰值电流正向恢复耗散反向恢复耗散反向重复峰值功率反向平均功

”“”“”“”“”“

率耗散阳极侧结壳分热阻阴极侧结壳分热阻电容性电荷反向恢复能量机械额定

”“-”“-”“”“”“

值安装扭矩紧固力的术语和定义见

”“”“”(3.2.6、3.2.7、3.2.8、3.3.4、3.3.9、3.3.10、3.4.4、3.4.6、

3.4.8、3.4.9、3.4.10、3.4.11、3.5.6、3.5.7、3.6、3.6.1、3.6.2);

更改了术语总功率耗散和反向恢复时间的定义见年版的

c)“”“”(3.4.1、3.5.2,20153.4.1、

3.5.4);

删除了整流堆臂门槛电压正向恢复电压反向工作峰值电压正向过载电流反向阻

d)“”“”“”“”“”“

性电流反向恢复电流管壳不破裂I2t开通耗散功率关断耗散功率正向特性近似

”“”“RC”“”“”“

直线正向斜率电阻上升时间电荷和下降时间电荷的术语和定义见年版的

”“”“”“”(2015

3.1.5、3.2.2、3.2.3、3.2.5、3.3.5、3.3.8、3.3.9、3.3.12、3.4.6、3.4.7、3.5.1、3.5.2、3.5.8、3.5.9);

增加了正向峰值电流反向重复峰值电流反向恢复峰值电流正向平均功率耗散正向恢

e)“、、”,“、

复耗散反向平均功率耗散反向恢复耗散反向重复峰值功率反向浪涌功率总功率耗散及

、、、、、”

电容性电荷反向恢复能量的文字符号见

“、”(4.2);

更改了正向浪涌电流的名称和反向恢复软度因子的文字符号见年版的

f)“”“”(4.2,20154.3.2、

4.3.4);

删除了电压参数中的反向工作峰值电压正向恢复电压正向斜率电阻门槛电压电流参数

g)“、、、”,

中的正向过载电流反向峰值电流反向恢复电流功率参数中的开通耗散功率开通平均

“、、”,“、

耗散功率开通瞬时总耗散功率开通峰值耗散功率关断耗散功率关断平均耗散功率关断

、、、、、

瞬时总耗散功率关断峰值耗散功率及开关参数中的上升时间电荷下降时间电荷的文字

、”“、”

符号见年版的

(20154.3.1、4.3.2、4.3.3、4.3.4);

增加了正向方均根电流正向浪涌电流的I2t值安装扭矩平板型二极管的紧固力等额

h)“、()、、”

定值以及反向直流电流电容性电荷反向恢复能量热阻等特性见

“、、、”(5.2.6.2、5.2.6.6、

5.2.9.1、5.2.9.2、5.3.3、5.3.5.2、5.3.5.5、5.3.7);

更改了正向平均电流正向重复峰值电流正向峰值电压等额定值和特性的相关内容见

i)“”“”“”(

年版的

5.2.6.1、5.2.6.4、5.3.1.2,20155.3.5、5.3.6、5.7.2.2);

Ⅴ

GB/T40232—2026/IEC60747-22025

.:

删除了反向工作峰值电压正向过载电流频率额定值等额定值以及正向特性总耗散功

j)“、、”“、

率一个正弦半波正向电流脉冲的最大总能量等特性见年版的

、”(20155.3.3、5.3.7、5.4、5.7.1、

5.7.5、5.7.6);

增加了反向恢复能量和反向恢复软度因子测量要求电容性电荷的测量方法热特性的种测

k),,3

试方法说明见

(6.3.5、6.3.6、6.4.1);

更改了恢复电荷的矩形波法测量电路及测量方法热阻和瞬态热阻抗的测量合并采用同一

l)“”,

个测量方法见年版的

(6.3.5.2、6.4.2,20157.1.5.2、7.2.2);

删除了正向平均电压示波器法有正向平均电流耗散时的反向峰值电流的测量方法见

m)“”“”“”(

年版的

20157.1.2.4、7.1.4.2、7.1.4.4);

更改了耐久性试验中的接收判据对判据进行了加严见年版的

n),(7.3.4,20157.4.3)。

本文件等同采用半导体器件第部分分立器件整流二极管

IEC60747-2:2025《2:》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

将标准名称更改为半导体分立器件第部分整流二极管

———《2:》;

删除了术语和定义中和术语数据库网址

———ISOIEC。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位石家庄天林石无二电子有限公司西安电力电子技术研究所有限公司安徽北方

:、、

微电子研究院集团有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所常州银河电器有限公司日月新半

、、、

导体威海有限公司江苏长晶科技股份有限公司扬州扬杰电子科技股份有限公司江西德尔诚半导

()、、、

体有限公司深圳市秀武电子有限公司杭州高裕电子科技股份有限公司浙江固驰电子有限公司黄山

、、、、

芯微电子股份有限公司黄山市七七七电子有限公司浙江博星电子有限公司

、、。

本文件主要起草人赵玉玲蔚红旗吕瑞芹董添华王文婧宋凤领张世景韩东庄建军钱进

:、、、、、、、、、、

成蕾杨国江刘建王毅尧地长赵越吴志刚范雯雯王民安戴立新周凯游

、、、、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布为年第一次修订

———1983GB4023—1983,1986;

年第二次修订标准编号调整为年第三次修订

———1997,GB/T4023—1997,2015;

本次为第四次修订标准编号调整为

———,GB/T4023.2—2026。

Ⅵ

GB/T40232—2026/IEC60747-22025

.:

引言

半导体分立器件是电子行业的通用基础产品为电子系统中的最基本单元其性能与可靠性直接影

,,

响工程质量和可靠性作为基础标准旨在规范半导体分立器件的参数体系测试方法及

。GB/T4023,、

可靠性评价拟由个部分构成

,9。

第部分分规范目的在于规定半导体分立器件除光电子器件和分立器件模块外的质量

———1:。()

保证要求

。

第部分整流二极管目的在于规定整流二极管的术语文字符号基本额定值和特性以及

———2:。