GB/T 39123-2020 X射线和γ射线探测器用碲锌镉单晶材料规范

ICS07.030

Q65

中华人民共和国国家标准

/—

GBT391232020

射线和射线探测器用碲锌镉单晶

Xγ

材料规范

Secificationforcadmium-zinctelluridesinlecrstalmaterialforX-raand

pgyy

γ-radetector

y

2020-10-11发布2021-09-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT391232020

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4要求………………………2

5测试方法…………………2

6检验规则…………………6

、、…………………

7包装标识运输和贮存8

8说明事项…………………8

Ⅰ

/—

GBT391232020

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

本标准由中国建筑材料联合会提出。

(/)。

本标准由全国人工晶体标准化技术委员会SACTC461归口

:、、。

本标准起草单位西北工业大学陕西迪泰克新材料有限公司上海大学

:、、、、、、、、。

本标准主要起草人介万奇谷智徐亚东查钢强王涛汤三奇魏登科闵嘉华张继军

Ⅲ

/—

GBT391232020

射线和射线探测器用碲锌镉单晶

Xγ

材料规范

1范围

、。

本标准规定了射线和射线探测器用碲锌镉单晶材料的技术要求质量保证规定和交货准备

Xγ

本标准适用于射线和射线探测器用碲锌镉单晶材料。

Xγ

2规范性引用文件

。,

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,()。

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

/半导体单晶晶向测定方法

GBT1555

/硅片厚度和总厚度变化测试方法

GBT6618

/半导体材料术语

GBT14264

/高分辩率射线衍射测量衬底生长的中成分的试验方法

GBT24576XGaAsAlGaAsAl

/硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

GBT29505

/氮化镓单晶衬底片射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法

GBT32188X

3术语和定义

/界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

GBT14264

3.1

碲锌镉单晶cadmiumzinctelluridesinlecrstal

gy

,()();

闪锌矿结构的固溶体合金可以视为碲化镉CdTe和碲化锌ZnTe固溶而成其分子式为

(),属于点群,空间群。

CdZnTe0<x<143mF43m

1-xx

:,;,

注随着组元的含量的变化其点阵常数也随之变化主要用于室温射线和射线探测器以及碲镉汞薄

ZnxXγ

膜的外延衬底。

3.2

组分值

xcomositionx

p

,()()。

碲锌镉单晶中组元的含量可以视为碲化锌与碲锌镉的摩尔比

ZnZnTeCdZnTe

3.3

微沉淀相micro-reciitates

pp

,,

受温度场分布和分凝效应影响碲锌镉晶体生长过程中可能形成镉和碲的颗粒状微沉淀相其直径

,。

不大于100m对晶体质量存在较大的影响

μ

3.4

漏电流leakaecurrent

g

,。

在没有射线辐照并施加高电压的条件下通过碲锌镉晶体的稳定电流

1

/—

GBT391232020

4要求

4.1外形尺寸

,,。

晶片为正方形片状其外形尺寸应符合表的规定特殊要求可由供需双方协商确定

1

表1晶片外形尺寸单位为毫米

边长厚度总厚度变化量

5.0±0.22.5±0.2

≤0.05

10.0±0.25.0±0.2

4.2表面质量

,、、,、。

晶片表面无区域污染无孔洞裂纹晶界等宏观缺陷无针孔划痕等微观缺陷晶片抛光表面的

,。

表面粗糙度不大于0.12m特殊要求可由供需双方协商确定

μ

4.3晶面和晶向偏差

(),,。

晶面为晶向偏差不大于特殊要求可由供需双方协商确定

1111°

组分值

4.4x

组分值是。

x0.100±0.004

4.5双晶衍射半峰宽

()晶面的双晶衍射半峰宽()不大于·。

111FWHM60rads

4.6微沉淀相

。,

镉和碲微沉淀相颗粒直径不大于100m颗粒直径在20m~50m内颗粒密度不大于

μμμ

22

/;,/。

个颗粒直径在内颗粒密度不大于个

60mm50m~100m20mm

μμ

4.7位错腐蚀坑密度

42

位错腐蚀坑密度()不大于个/。

DEPD10mm

4.8电阻率

()10·。

电阻率不小于10Ωcm

ρ

4.9漏电流

漏电流()不大于。

I100nA

Leak

5测试方法

5.1受检样品的准备

,:

除另有规定外受检样品应在下列条件下进行测试

2

/—