GB/T 37049-2018 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法

ICS77.040.30

H17

国

中华人民共和国国家标准

GB/T37049-2018

电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定

电感捐合等离子体质谱法

Testmethodforthecontentofmetalimpurityinelectronicgradepolysilicon-

Inductivelycoupled-plasmamassspectrometrymethod

2018-12-28发布2019-04-01实施

国家市场监督管理总局啦告

中国国家标准化管理委员会保叩

GB/T37049-2018

目u昌

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准由全同半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全同半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提州井归口。

本标准起草单位：江苏中能硅业科技发展有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分

公司、有研半导体材料有限公司、宜再南玻硅材料有限公司、新特能源股份有限公司、洛阳中硅高科技有

限公司。

本标准主要起草人：鲁文锋、刘晓霞、秦桥、孙燕、赵而敬、王桃霞、赵玉、王忠慧、柳德发、张同同、

银波、邱艳梅、刘强。

I

GB/T37049-2018

电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定

电感藕合等离子体质谱法

1范围

本标准规定了电感相合等离子体质谱仪(ICP-MS）测定电子级多品硅中痕量基体金属杂质含量的

方法。

本标准适用于GB/T12963中在基体金属杂质小于5ng/g范围内铁、恪、媒、铜、悻、饷含量的

测定。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文

件

。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T12963电子级多品硅

GB/T14264半导体材料术语

GB/T25915.1-2010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级

.TJF1159四级杆电感相合等离子体质谱仪校准规范

SEMICl液体化学品分析指南（Guidefortheanalysisofliquidchemicals)

SEMIF63半导体力J］丁，用超纯水指南（Guideforultrapurewaterusedinsemiconductorprocess-

ing)

3术语和定义

GB/T14264及.TJF1159界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

分辨率resolution

以某元素质量峰高10%处的峰宽表示。

3.2

检出限detectionlimit

质谱仪在一定的置信度内所能测定的某元素的最低极限质量浓度。

3.3

仪器检出限instrumentdetectionlimit

空向试剂（纯水）信号平均值的三f音标准偏差所对应的浓度值。

3.4

方法检出限（定量下限）mothoddetectionlimit

给定的分析方法在特定条件下能以合理的置信水平检而被测物的最小浓度。

3.5

背景R噪声backgroundnoise

未引人某元素离子时，质谱检测系统产生的该元素离子的信号响应