GB/T 12963-2009 硅多晶

GB/T 12963-2009 Specification for polycrystalline silicon

国家标准 中文简体 被代替 已被新标准代替,建议下载标准 GB/T 12963-2022 | 页数:5页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 12963-2009
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标准类型
国家标准
标准状态
被代替
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、运输、贮存。本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。

发布历史

研制信息

起草单位:
峨眉半导体材料厂
起草人:
罗莉萍、张辉坚、王炎
出版信息:
页数:5页 | 字数:7 千字 | 开本: 大16开

内容描述

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中华人民共和国国家标准

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GBT129631996

硅多晶

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狆狆狔狔

20091030发布20100601实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

犌犅犜129632009

前言

本标准修改采用:《多晶硅规范》,主要差异如下:

SEMIM1611032003

———增加了技术参数,如对基磷、基硼电阻率、碳浓度和型少子寿命的等级要求;

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