GB/T 12963-1996 硅多晶

ICS29-045

H82缚臀

中华人民共和国国家标准

GB/T12963一1996

硅曰

多日日

Polycrystallinesilicon

1996-11一04发布1997一04一01实施

国家技术监督局发布

GB/T12963一1996

前言

本标准中的直拉法用硅多晶是等效采用半导体设备和材料国际组织((SEMI)标准SEMIM16-89

《硅多晶规范》，结合我国的硅多晶材料的生产和使用情况，对GB12963-91进行修订而成的;悬浮区

熔法用硅多晶是在原标准GB12963-91的基础上，结合我国的实际情况对其进行修订而成的。

本标准的内容包括直拉法和悬浮区熔法用硅多晶。对于制备更高电阻率的区熔硅单晶，应对硅多晶

进行真空区域提纯或使用纯度更高的硅多晶。

本标准与原标准GB12963-91比较，重要技术内容改变的有:删去硅多晶特级品及其温度夹层要

求，删去硅烷热分解制取硅多晶的内容，增加了块状硅多晶尺寸分布范围，硅多晶的各级“等级品”的技

术指标都有不同程度的提高。

本标准从1997年4月1日起实施。

本标准从生效之日起。代替GB12963-91,

本标准由中国有色金属工业总公司提出。

本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口。

本标准起草单位:峨眉半导体材料厂和中国有色金属工业总公司标准计量研究所。

本标准主要起草人:王鸿高、尹建华、刘文魁、吴福立.

本标准首次发布日期:1991年6月。

中华人民共和国国家标准

硅多晶GB/T12963一1996

Polycrystallinesilicon代替GB12963-91

范围

本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检