GB/T 15877-2013 半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范

ICS31.200

L56

中华人民共和国国家标准

/—

GBT158772013

代替/—

GBT158771995

半导体集成电路

蚀刻型双列封装引线框架规范

—

Semiconductorinteratedcircuits

g

SecificationofDIPleadframesroducedbetchin

ppyg

2013-12-31发布2014-08-15实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT158772013

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

/—《》。/—

本标准代替GBT158771995蚀刻型双列封装引线框架规范与GBT158771995相比主

要技术变化如下:

———:/—/—,

关于第章规范性引用文件抽样标准由代替

2GBT2828.12012SJZ90071987

/—/—;/—、;

GBT141121993改为GBT141122015增加引用文件GBT2423.602008SJ20129

———、、、;

第章增加了标称长度侧蚀表面腐蚀芯片粘接区下陷的术语和定义

3

———,、;

4.1引线框架尺寸中删除了引线键合区的最小面积金属间的间隔的有关内容

———,、,