GB/T 14144-1993 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

中华人民共和国国家标准

硅晶体中间隙氧含量径向变化

GB/T14144一.9

测量方法

Testmethodfordeterminationofradial

interstitialoxygenvariationinsilicon

1主题内容与适用范围

本标准规定了硅晶体中间隙氧含量径向变化的测量方法。

本标准适用于室温电阻率大于0.1S2"cm的硅晶体中间隙氧含量径向变化的测量。侧量范围为

3.5x1015at"cm-“至间隙氧在硅中的最大固溶度。

2引用标准

GB1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收侧量方法

GB/T1414330。一900[m硅片间隙氧含量红外吸收侧量方法

8方法提要

根据待测硅晶体的生长工艺特点，在四种测量点选取方案中选择一种适用的方案。在规定的侧t

位置，按GB1557或GB/T14143规定的方法测定硅中间隙氧含量，并将其值代入计算公式，求出

间隙氧含量径向百分变化。

4测t仪器

4.1红外光谱仪。仪器分辩率小于5cm-’。

.‘之样品架。具备按选点方案要求作测量位置调整的功能.其光栏孔径为05一8mm,

4.8厚度侧量仪。精度优于2Wm.

4.4标准平面平晶。

4.578K低温侧量装置。

肠试样要求

5.1试样厚度约为2mm或。.3.0.9mma当间隙氧含量低于1X1010at"cm-3时可选用厚度约为

5mm或1Omm的硅片。

5.2试样经双面机械抛光或化学抛光(仅适用于单晶)，表面呈镜面，无桔皮状皱纹和凹坑。厚度为

0.3--0.9mm的试样表面应符合GB/T14143中5.1一5.2条的规定。

5.3试样在测量光栏孔径范围内，平整度应不大于2.2tim.

5.4作差别法测量的试样，其测量位置的厚度与参比样品的厚度差小于0.5%0

5.5仲裁侧量的试样需经双面机械抛光。

6测f点选取方案

二1方案A

国家技术监份局1998-02一06批准1998一10-01实旅

GB/T14144一.3

6.1.1mt点位置见图1。

图1方案A侧量点位置

试祥上选两个浏量点(一个中心点和一个边缘点)。

:一:一:

中心点的位置，选在任意两条至少成45。相交的直径的交点上，偏离试样中心不大于1.0mm,

: