GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GB/T 14144-2009 Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
国家标准
中文简体
现行
页数：8页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 14144-2009
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。
本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。
本标准测量氧含量的有效范围从1×1016 at·cm-3至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。
本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。
本标准测量氧含量的有效范围从1×1016 at·cm-3至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。
发布历史
-
1993年02月
-
2009年10月
研制信息
- 起草单位：
- 峨嵋半导体材料厂
- 起草人：
- 杨旭、江莉
- 出版信息：
- 页数：8页 | 字数：13 千字 | 开本： 大16开
内容描述
犐犆犛２９．０４５
犎８０
中华人民共和国国家标准
／—
犌犅犜１４１４４２００９
代替／—
ＧＢＴ１４１４４１９９３
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
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２００９１０３０发布２０１００６０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
／—
犌犅犜１４１４４２００９
前言
本标准修改采用《用红外吸收法测量硅中间隙氧原子含量的标准方法》。
ＳＥＭＩＭＦ１１８８１１０５
本标准与ＳＥＭＩＭＦ１１８８１１０５相比，主要有如下不同：
———增加了测量点选取方案；
———标准编写按／格式，部分标准中的章节进
定制服务
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