适用范围：本文件规定了电容电压法测试硅外延层载流子浓度的方法，包括汞探针电容电压法和无接触电容电压法。 本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试，测试范围为4×1013 cm-3～8×1016 cm-3，其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行，其中无接触电容电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。

适用范围：本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。 本文件适用于硅单晶电阻率的测试，其中直排四探针法可测试的p型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm～8×103 Ω·cm，n型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm～1.5×104 Ω·cm；直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率，测试范围为1×10-3 Ω·cm～1×104 Ω·cm，样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。

适用范围：本文件规定了锂离子电池正极材料锰酸锂的首次放电比容量及首次充放电效率测试方法。本文件适用于锂离子电池正极材料锰酸锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试。

适用范围：本文件规定了振实密度的测定方法，即粉末在规定条件下在容器中被振实后的密度。

适用范围：本文件规定了锂离子电池正极材料锰酸锂的放电平台容量比率及循环寿命测试方法。本文件适用于锂离子电池正极材料锰酸锂放电平台容量比率及循环寿命的测试。

适用范围：本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。 本标准适用于{100}、{111}面砷化镓单晶位错密度的测试，测试范围为0 cm-2～100 000 cm-2。

适用范围：本标准规定了锆管探伤用对比试样人工缺陷（人工槽/通孔）尺寸的复型及显微测量方法。本标准适用于锆管超声、涡流等无损探检测对比试样上人工槽/通孔尺寸的测量。其他金属对比试样中的类似人工缺陷尺寸的测量也可参照执行。

适用范围：本标准规定了在工频条件下，采用H线圈测量电工钢带（片）单片试样的磁场强度，并通过单片磁导计测试电工钢比总损耗、磁极化强度及比视在功率的测试方法。 本标准适用于晶粒取向或晶粒无取向电工钢带（片）单片试样磁性能的检测。

适用范围：本标准规定了镁及镁合金铸锭的外观检查、化学成分、纯净度检验和试验报告等内容。 本标准适用于镁及镁合金铸锭的纯净度检验。

适用范围：本标准规定了真空器件用锆铝合金粉、吸气用锆铝合金环件和片件、吸气用锆铝合金复合带材、释汞吸气用钛汞锆铝合金复合带材、室温吸气用锆石墨材料和制品等非蒸散型吸气材料及制品的吸气速率和吸气量的检测方法、检测结果的处理及试验报告。本标准适用于真空器件用锆铝合金粉、吸气用锆铝合金环件和片件、吸气用锆铝合金复合带材、释汞吸气用钛汞锆铝合金复合带材、室温吸气用锆石墨材料和制品等非蒸散型吸气材料及制品的吸气速率和吸气量的测定。

适用范围：本标准规定了金属材料高温蒸汽氧化试验方法的术语和定义、试验原理、试验装置及条件、试样、试验步骤、结果分析和试验报告。本标准适用于金属材料在高温蒸汽条件下的氧化试验。

适用范围：本标准规定了锗单晶位错密度的测试方法。 本标准适用于{111}、{100}和{113}面锗单晶位错密度的测试，测试范围为0 cm-2~100 000 cm-2。

适用范围：本标准规定了金相法测定钛合金β转变温度的原理、试样、仪器设备、试验步骤、试验结果的判定、和试验报告。 本标准适用于采用金相法测定α型、α-β型和亚稳定β型钛合金的β转变温度。

适用范围：本标准规定了用爱泼斯坦方圈测量电工钢带（片）中频交流磁性能的一般原理、比总损耗、磁极化强度峰值、磁场强度有效值、磁场强度峰值和比视在功率的测定方法、测量装置、测量步骤和检测报告。本标准适用于晶粒取向和晶粒无取向电工钢带（片）在频率范围为400 Hz~10 kHz的交流磁性测量，适用于从任何等级的电工钢带（片）上取得的试验试样。测量前对试样退磁，测量在环境温度（23±5）℃进行。注： 本标准中“磁极化强度”的定义参照GB/T 9637，电工钢系列的一些标准采用“磁通密度”的定义。

适用范围：本标准规定了难熔金属及其化合物粉末在粒度测定之前的分散处理规则。 本标准适用于钨、钼、铼、钽及碳化钨等难熔金属及化合物粉末的分散处理，其他的金属粉末（或碳化物、氮化物）也可参照本标准进行分散处理。

适用范围：本标准规定了取向和无取向电工钢带（片）的电阻率、密度和叠装系数的测定方法。这些物理参数是材料物理性能的表征。其中，密度是测定磁极化强度、电阻率和叠装系数时需要的条件参数。 由于这些性能参数与温度相关，除非另有规定，测量将在室温23 ℃±5 ℃进行。

适用范围：本标准规定了金属材料电阻率测量的术语和定义、试验设备、试样、试验、试验结果及计算、试验记录和报告。 本标准适用于测量金属材料的体积电阻率、质量电阻率、电导率及直流电阻比率等电性能的测量。 本标准所提供的方法为测定标准条件下电阻率在0.01 Ω·mm2/m～2.0 Ω·mm2/m范围内的仲裁测量方法和常规测量方法。

适用范围：本标准规定了采用激光法非接触式测量方形硅晶锭尺寸的方法，包括对角线、倒角、垂直度、边长和长度。本标准适用于半导体及光伏领域硅单晶棒或多晶硅铸锭切割成的方形硅晶锭尺寸的测量。

适用范围：本标准规定了应用扫描表面检查系统对抛光片、外延片等镜面晶片表面的局部光散射体进行测试，对局部光散射体与延伸光散射体、散射光与反射光进行区分、识别和测试的方法。针对130 nm～11 nm线宽工艺用硅片，本标准提供了扫描表面检查系统的设置。 本标准适用于使用扫描表面检查系统对硅抛光片和外延片的表面局部光散射体进行检测、计数及分类，也适用于对硅抛光片和外延片表面的划伤、晶体原生凹坑进行检测、计数及分类，对硅抛光片和外延片表面的桔皮、波纹、雾以及外延片的棱锥、乳突等缺陷进行观测和识别。本标准同样适用于锗抛光片、化合物抛光片等镜面晶片表面局部光散射体的测试。 注：本标准中将硅、锗、砷化镓材料的抛光片和外延片及其他材料的镜面抛光片、外延片等统称为晶片。

适用范围：本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法。 本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试，其他非本征半导体材料可参照本标准测试。本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得可靠结果；对于导电类型不均匀的材料，可在其表面上测出不同导电类型区域。 本标准不适用于分层结构材料（如外延片）导电类型的测试。