适用范围：范围:本标准规定了分布式薄膜压力传感器（以下简称“传感器”）的结构、参数、技术要求、试验方法和检验规则。 本标准适用于所有以网格化半导体基材构成传感器基本感测原件，以单层厚度不超过 0.5mm 的薄膜作为唯一绝缘材料覆盖压敏电阻器形成的分布式薄膜压力传感器的生产、技术控制和检验; 主要技术内容:（1）范围本标准规定了分布式薄膜压力传感器（以下简称“传感器”）的型号、结构、参数、基本要求、技术要求、试验方法和检验规则。本标准适用于分布式薄膜压力传感器的检验和技术控制。（2）规范性引用文件本标准主要引用的文件主要包括：GB/T 191  包装储运图示标志GB/T 2423.5  环境试验  第 2 部分：试验方法  试验Ea和导则：冲击GB/T 2828.1  计数抽样检验程序  第 1 部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T 7665  传感器通用术语GB/T 13384  机电产品包装通用技术条件GB/T 15478—2015  压力传感器性能试验方法GB/T 17626.2  电磁兼容  试验和测量技术  静电放电抗扰度试验GB/T 17626.3  电磁兼容  试验和测量技术  射频电磁场辐射抗扰度试验GB/T 17626.9  电磁兼容  试验和测量技术  脉冲磁场抗扰度试验GB/T 18806—2002  电阻应变式压力传感器总规范（3）术语及定义主要包括分布式薄膜压力传感器、准确度和滞后性的定义。（4）结构介绍了传感器内部呈多层结构。最核心的两层是行列交织的网格化压阻半导体基材，外层依次分布走线层和保护层。并以图示进行说明。（5）参数明确了传感器的厚度、传感器点数、传感器最大行列数、量程等基本参数。（6）技术要求主要从外观、尺寸偏差、性能要求、电磁兼容性、抗冲击性能、环境适应性和绝缘电阻这几个方面出发进行规范。性能要求中包括了准确度、线性误差、重复性、滞后性等关键性能指标；电磁兼容性中的静电放电抗扰度、射频电磁场辐射抗扰度、脉冲磁场抗扰度以及抗冲击性能体现了传感器在外磁场、冲击影响下的动态性能。（7）试验方法首先对试验的环境条件等作出一般性规定，其次针对技术要求中的各项要求规定了相应的试验方法。（8）检验规则分为出厂检验和型式检验，同时对检验的组批、抽样、判定规则进行规范

适用范围：主要技术内容:本标准规定了粘滞阻尼器产品的结构形式、规格和型号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存等。本标准适用于粘滞阻尼器的设计、生产和检验

适用范围：主要技术内容:本标准规定了粘滞阻尼器产品的结构形式、规格和型号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存等。本标准适用于粘滞阻尼器的设计、生产和检验

适用范围：主要技术内容:本文件规定了用于管道减震的SNC系列液压阻尼器的术语和定义、分类和命名、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于核电站、发电站、钢铁、石化等行业的工业管道或设备在遭受突加载荷时，对工业管道或设备提供保护所使用的管道支吊架用SNC系列液压阻尼器（以下简称阻尼器）

适用范围：主要技术内容:本文件规定了光伏及低压直流电子设备用电涌保护模块（SPM）的技术要求、测试方法和检验规则。本文件适用于在不超过直流1500V的光伏直流以及其他低压直流系统中的电子设备内印刷电路板上安装使用的， 至少包含一个用来限制电压和泄放电流的非线性元件（压敏电阻MOV）的电涌保护模块

适用范围：主要技术内容:本文件规定了金属应变片式微型力传感器的基本参数和优先值、技术要求、试验方法和验收规则及标志、包装、储存。本文件适用于金属应变片式微型力传感器

适用范围：适用于MYL1型防雷用氧化锌压敏电阻器

适用范围：适用于MYG3型过压保护用氧化锌压敏电阻器

适用范围：适用于MYG2型过压保护用氧化锌压敏电阻器

适用范围：主要技术内容:本文件规定了接触式位移传感器（通过内部触点运动测量位移的传感器）（以下简称传感器）的技术要求、试验方法和质量保证要求。本文件适用于可变电阻原理的接触式线位移传感器（驱动机构作直线运动）、接触式角位移传感器（驱动机构作旋转运动）

适用范围：主要技术内容:本规范规定了有可靠性指标的金属氧化物压敏电阻器（Metal Oxide Varistor，MOV）的性能要求，试验方法和质量评定程序。这些MOV安装在交流1000V（50/60Hz、有效值）以下或直流1500 V以下的电源、通信及信号系统中，用来保护设备和人员免受高瞬态电压危害,提高被保护设备的抗扰度。本规范适用于金属氧化物压敏电阻器，包括带有内置过热脱离器的热保护金属氧化物压敏电阻器(Thermal Disconnector-protected Metal Oxide Varistor，TDMOV)。不适用于金属氧化物压敏电阻器与其他过电压保护元件构成的组件