GB/T 44797-2025 微波混合集成电路 合成频率源

ICS31200

CCSL.57

中华人民共和国国家标准

GB/T44797—2025

微波混合集成电路合成频率源

Microwavehybridintegratedcircuits—Synthesizedfrequencysources

2025-01-24发布2025-01-24实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T44797—2025

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所中国电子技术标准化研究院合肥宝发动

:、、

力技术有限公司安徽松菱电器有限公司深圳市锦弘兴科技有限公司山东省中智科标准化研究院有

、、、

限公司安徽大衍半导体科技有限公司

、。

本文件主要起草人朱大成郭文胜蒋旭东张加程王琪陈玲玲崔从俊吴贤斌

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T44797—2025

微波混合集成电路合成频率源

1范围

本文件规定了合成频率源的定义技术要求和检验规则标志描述了测试方法

、、,。

本文件适用于采用微波混合集成电路工艺设计制造的合成频率源

、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验低温

GB/T2423.1—20082:A:

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验高温

GB/T2423.2—20082:B:

半导体器件机械和气候试验方法第部分外部目检

GB/T4937.3—20123:

半导体器件机械和气候试验方法第部分可焊性

GB/T4937.21—201821:

膜集成电路和混合膜集成电路总规范

GB/T8976—1996

集成电路术语

GB/T9178—1988

半导体器件集成电路第部分膜集成电路和混合膜集成电路分规范

GB/T11498—201821:

采用鉴定批准程序

()

半导体器件集成电路第部分膜集成电路和混合膜集成电路空白

GB/T13062—201821-1:

详细规范采用鉴定批准程序

()

微波电路频率源测试方法

GB/T35002—2018

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T9178—1988。

31

.

合成频率源synthesizedfrequencysources

采用频率合成技术产生的频率源即通过对参考基准频率进行某种数学运算来获取大量与参考基

,

准频率相同精确度的信号然后再根据实际需要来选择所需的频率

,。

注合成频率源根据合成原理的不同主要分为三种直接合成频率源锁相式合成频率源直接数字合成频率源

::、、。

4参数分类和特性要求

41静态参数

.

合成频率源的静态参数应包含电源电流

。

42动态参数

.

合成频率源的动态参数指标如下

:

1