GB/T 45767-2025 氮化硅陶瓷基片
GB/T 45767-2025 Silicon nitride ceramic substrates
基本信息
本文件适用于功率半导体模块氮化硅陶瓷基片，其他功能用氮化硅陶瓷基片参照使用。
发布历史
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2025年06月
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研制信息
- 起草单位：
- 中材高新氮化物陶瓷有限公司、衡阳凯新特种材料科技有限公司、浙江多面体新材料有限公司、浙江立泰复合材料股份有限公司、吉林长玉特陶新材料技术股份有限公司、山东工业陶瓷研究设计院有限公司、浙江德汇电子陶瓷有限公司、株洲瑞德尔智能装备有限公司、河南诺兰特新材科技有限公司、山东国瓷功能材料股份有限公司、河北高富氮化硅材料有限公司、罗杰斯科技(苏州)有限公司、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国国检测试控股集团淄博有限公司、株洲艾森达新材料科技有限公司、泰晟新材料科技有限公司、江苏富乐华功率半导体研究院有限公司、基迈克材料科技(苏州)有限公司、福建臻璟新材料科技有限公司、安阳亨利高科实业有限公司、南通三责精密陶瓷有限公司、安徽蓝讯通信科技有限公司、江西氮化硅新材料有限公司、福建华清电子材料科技有限公司、娄底市安地亚斯电子陶瓷有限公司、无锡海古德新技术有限公司、济南大学、湖南维尚科技有限公司、湖南省新化县鑫星电子陶瓷有限责任公司、浙江正天新材料科技有限公司、山东明辉特种陶瓷有限公司
- 起草人：
- 孙峰、尚超峰、张辉、王再义、董廷霞、张业雷、董伟强、陈常祝、李勇全、栾婷、张景贤、张国军、王玉金、李应新、蒋丹宇、王新刚、李凯、吴萍、张云鹤、孙伟、田卓、黄世东、高礼文、李博闻、戴玮明、葛荘、刘卫平、曲鹏、夏静豪、李秋菊、闫永杰、朱伟、林文松、李光、黄文思、康丁华、莫雪魁、陈平松、严回、曾小锋、袁振伟、张恒举、黄荣厦、张雪莲、曹建辉、蒋伟鑫、刘深、赵德刚、林德陇、王美玲
- 出版信息：
- 页数：16页 | 字数：22 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS8106030
CCSQ.32.
中华人民共和国国家标准
GB/T45767—2025
氮化硅陶瓷基片
Siliconnitrideceramicsubstrates
2025-06-30发布2026-01-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T45767—2025
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由中国建筑材料联合会提出
。
本文件由全国工业陶瓷标准化技术委员会归口
(SAC/TC194)。
本文件起草单位中材高新氮化物陶瓷有限公司衡阳凯新特种材料科技有限公司浙江多面体新
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材料有限公司浙江立泰复合材料股份有限公司吉林长玉特陶新材料技术股份有限公司山东工业陶
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瓷研究设计院有限公司浙江德汇电子陶瓷有限公司株洲瑞德尔智能装备有限公司河南诺兰特新材
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科技有限公司山东国瓷功能材料股份有限公司河北高富氮化硅材料有限公司罗杰斯科技苏州有
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限公司中国科学院上海硅酸盐研究所中国国检测试控股集团淄博有限公司株洲艾森达新材料科技
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有限公司泰晟新材料科技有限公司江苏富乐华功率半导体研究院有限公司基迈克材料科技苏州
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有限公司福建臻璟新材料科技有限公司安阳亨利高科实业有限公司南通三责精密陶瓷有限公司安
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徽蓝讯通信科技有限公司江西氮化硅新材料有限公司福建华清电子材料科技有限公司娄底市安地
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亚斯电子陶瓷有限公司无锡海古德新技术有限公司济南大学湖南维尚科技有限公司湖南省新化县
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鑫星电子陶瓷有限责任公司浙江正天新材料科技有限公司山东明辉特种陶瓷有限公司
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本文件主要起草人孙峰尚超峰张辉王再义董廷霞张业雷董伟强陈常祝李勇全栾婷
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张景贤张国军王玉金李应新蒋丹宇王新刚李凯吴萍张云鹤孙伟田卓黄世东高礼文
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李博闻戴玮明葛荘刘卫平曲鹏夏静豪李秋菊闫永杰朱伟林文松李光黄文思康丁华
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莫雪魁陈平松严回曾小锋袁振伟张恒举黄荣厦张雪莲曹建辉蒋伟鑫刘深赵德刚林德陇
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王美玲
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Ⅰ
GB/T45767—2025
氮化硅陶瓷基片
1范围
本文件规定了氮化硅陶瓷基片的产品分类与标记技术要求试验方法检验规则标志包装运输
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和贮存
。
本文件适用于功率半导体模块氮化硅陶瓷基片其他功能用氮化硅陶瓷基片参照使用
,。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
。,
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
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本文件
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包装储运图示标志
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GB/T1408.11:
计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样计划
GB/T2828.11:(AQL)
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GB/T5594.44:
值的测试方法
电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法体积电阻率测试方法
GB/T5594.5
产品几何技术规范表面结构轮廓法接触触针式仪器的标称特性
GB/T6062(GPS)()
电子陶瓷名词术语
GB/T9530
精细陶瓷弹性模量试验方法弯曲法
GB/T10700
厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
GB/T14619—2013
精细陶瓷室温硬度试验方法
GB/T16534
精细陶瓷线热膨胀系数试验方法顶杆法
GB/T16535
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GB/T16555、、
精细陶瓷术语
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闪光法测量热扩散系数或导热系数
GB/T22588
精细陶瓷密度和显气孔率试验方法
GB/T25995
氮化铝陶瓷散热基片
GB/T39975—2021
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GB/T41605
精细陶瓷陶瓷薄板室温弯曲强度试验方法三点弯曲或四点弯曲法
GB/T45763
3术语和定义
和界定的以及下列术语和定义适用于本文件
GB/T9530GB/T17991。
31
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氮化硅陶瓷基片siliconnitrideceramicsubtrate
能够在表面印制导体图形膜元件或粘贴电子元器件的片状氮化硅陶瓷支撑物
、。
注以下简称基片
:。
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定制服务
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