适用范围：主要技术内容:本标准规定了免水洗分散黑色浆产品的要求、采样、试验方法、检验规则、应用工艺以及标志、标签、包装、运输和贮存。本标准适用于免水洗分散黑色浆的产品质量及应用工艺控制,其他免水洗分散色浆产品可参照执行

适用范围：主要技术内容:本标准规定了道路与街路用灯杆LED显示终端的术语和定义、分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量承诺。 本标准适用于道路与街路用灯杆LED显示终端产品（以下简称“显示终端”）

适用范围：主要技术内容:本标准规定了户外LED全彩显示屏的术语和定义、分类、基本要求、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存以及质量承诺。 本标准适用于以显示文字、图文、视频内容为主，全天候户外LED全彩显示屏（以下简称为“显示屏”）

适用范围：主要技术内容:本标准涉及的产品制造范围主要应用在LED原材料节约的生产加工过程，通过建立原材料节约的生产加工标准，可以对原材料进行二次回收利用，如在焊接工艺中，利用合金线比如银铜线代替金线达到优化用材的目的，铜价格便宜，提炼方法采用氧化还原及电解精炼，对环境影响较少。在点胶过程中，独特的荧光粉配方以及荧光粉“悬浮”技术，可使白光LED发光颜色均匀性好并具有高发光效率；在设备方面，使用高速固晶机、高速球焊机、自动配胶机与高速脱泡搅拌机、高速切割机、高速测试分选机、高速测试分选机、高速编带等设备增加加工精度、降低产品不良率。通过采用高性能设备提高劳动生产率、缩减生产占地面积、提高原&辅料使用率，降低产品不良率，节约原材料及能耗；达到原材料节约的生产加工目的，非常适合用于电子产品制造领域，因此该标准的建立，能够全面提升LED封装行业的企业绿色制造化水平

适用范围：范围:本标准规定了一种用于发光二极管（LED）或LED阵列的热特性的电学法热阻测试方法。 本标准适用于直流方式供电的LED，且无自发热的条件下，待测LED的正向电压应与环境温度呈明显线性关系。 本标准适用于实验室环境和小批量的单颗LED和一定结构的LED阵列（包括LED的串联、并联、混联）的稳态和瞬态条件下热阻和结温的测试。 本标准不适用于激光二极管的热阻和结温测试; 主要技术内容:本标准规定了一种用于发光二极管（LED）或LED阵列的热特性的电学法热阻测试方法。本标准适用于直流方式供电的LED，且无自发热的条件下，待测LED的正向电压应与环境温度呈明显线性关系。本标准适用于实验室环境和小批量的单颗LED和一定结构的LED阵列（包括LED的串联、并联、混联）的稳态和瞬态条件下热阻和结温的测试。本标准不适用于激光二极管的热阻和结温测试

适用范围：范围:本标准给出了非气密封装的功率半导体器件，包含但不限于绝缘栅双极晶体管、场效应晶体管、二极管的稳态湿热高压偏置试验方法，用以评价器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性。 本标准适用于硅半导体器件以及宽禁带半导体器件; 主要技术内容:高温高湿反偏测试是考核器件在高温高湿偏压条件下的耐久性的一项可靠性试验，其主要的失效机理为与湿度相关的腐蚀、电化学效应引起的阻断能力下降、漏电升高。通常情况下，该项测试采用的阻断电压较低，如 AEC-Q101中规定偏置电压不超过100V。采用较低偏置电压的原因在于行业内普遍认为，阻断电压过高引起的较大的漏电流会导致器件的自加热，影响湿气进入封装内部。然而，近几年的研究成果及在实际使用过程中发现，功率器件在高温高湿环境下承受高偏压时失效率明显要更高，现有测试方法已不再满足器件高温高湿耐久性的验证需求。同时，高温高湿反偏测试涉及到温度、湿度、偏压三种应力，而这三种应力的施加方式在AEC-Q101中并未进行详细规定。本项目通过深入研究高温高湿反偏测试中，不同封装器件抵御湿气进入的能力，以及施加高电压对于测试方法的影响，对检测方法和要求进行更具针对性和更为详尽的规定和说明，从而建立一套更为严谨的用以评价非气密封装的功率半导体器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性的检测标准

适用范围：GB/T 18910的本部分规定了反射型液晶显示模块详细的质量评价程序、检查要求、筛选程序、样品要求以及测试和测量程序要求。 本部分适用于反射型液晶显示模块，包括字段显示、有源或无源矩阵显示的反射型液晶显示模块，可以是单色、多色或彩色显示，包括背光不点亮状态时的半反半透型液晶显示模块，前置背光不点亮状态的反射型液晶显示模块。本部分不适用于包括触摸屏的液晶显示模块，也不适用与包含带前置背光的反射型液晶显示模块，为了保证测试的准确性，在测试此类产品时请取掉触摸屏和前置背光。

适用范围：GB/T 38001的本部分规定了用于评价柔性显示模块的机械应力试验方法，包括采用液晶显示（LCD）、电子纸（EPD）和有机发光二极管显示（OLED）等技术的柔性显示模块。本部分尽可能包括了各种机械应力试验方法。

适用范围：本标准适用于SiC基半导体分立器件的设计、生产制造和供货

适用范围：主要技术内容:范围规范性引用文件术语和定义分类与命名规则技术要求试验方法检验规则标志、包装、运输和储存附录A （规范性附录） 展示道具LED照明产品选配控制装置要求附录B （资料性附录） （光）照度计使用规范附录C （资料性附录） （光）亮度计使用规范附录D （资料性附录） 积分球介绍附录E （资料性附录） 红外线测试使用规范附录F （资料性附录） 展示道具用LED模块产品在各个应用类别中使用的平均照度范围值及测试方法本标准规定了展示道具用LED模块产品（以下简称“LED道具模块”）的分类、技术要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、存储要求。本标准适用于室内和室外使用的展示道具用LED模块产品

适用范围：主要技术内容:本标准规定了正电子发射断层扫描仪用锗酸铋闪烁晶体的术语和定义、产品编号、技术要求、检测方法、检验规则、标志、运输和贮存。本标准适用于正电子发射断层扫描仪用锗酸铋闪烁晶体

适用范围：范围:本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求; 主要技术内容:本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求。本标准规定了极限值试验，特性参数测试、耐久性测试，根据特性参数确认模块特性，由此判断是否通过极限值试验。参数包括（集电极-发射极电压VCES, 二极管反向电压VR、集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压±VGES、最大集电极电流IC、二极管正向（直流）电流IF、集电极峰值电流ICM、二极管正向峰值电流IFM、反偏安全工作区RBSOA、短路安全工作区1 SCSOA1、二极管正向（不重复）浪涌电流IFSM、端子和底板之间的绝缘电压Visol等）。本标准还规定了检测报告中应给出的信息

适用范围：主要技术内容:本标准规定了室内小间距LED显示屏的术语和定义、分类、基本要求、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存以及质量承诺。本标准适用于以显示视频图像、动画、图片、文字等内容为主，像素间距不大于2.5 mm的全彩色室内小间距LED显示屏（以下简称为“显示屏”）

适用范围：主要技术内容:碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体之一，具有比硅更高的击穿场强、更快的饱和速度和电子漂移速度、更宽的禁带宽度和更高的热导率等特性，可制作性能更加优异的高效、高温、高频、大功率、抗辐射功率器件。不仅能够在直流、交流输电，不间断电源，开关电源，工业控制等传统工业领域广泛应用，而且在太阳能、风能、电动汽车航空航天等领域也具有广阔的应用前景。随着SiC 肖特基势垒二极管的技术发展、市场逐步开启，Si二极管的标准在某些方面的规定既不能体现SiC二极管优越的特性，也限制了SiC二极管在某些突出特性方面的发展，制定《碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范》，以支撑产品的设计、生产、测量、验收等工作

适用范围：GB/T 4937的本部分适用于半导体器件（分立器件和集成电路）。 本部分的目的是测量键合强度或确定键合强度是否满足规定的要求。

适用范围：GB/T 4937的本部分对已封装的半导体集成电路和半导体分立器件进行60Co γ射线源电离辐射总剂量试验提供了一种试验程序。本部分提供了评估低剂量率电离辐射对器件作用的加速退火试验方法。这种退火试验对低剂量率辐射或者器件在某些应用情况下表现出时变效应的应用情形是比较重要的。本部分仅适用于稳态辐照，并不适用于脉冲型辐照。本部分主要针对军事或空间相关的应用。本试验可能会导致辐照器件的电性能产生严重退化，因而被认为是破坏性试验。

适用范围：GB/T 4937的本部分规定了塑封表面安装半导体器件(SMD)的耐焊接热评价方法。该试验为破坏性试验。