适用范围：本标准规定了碳酸钠生产技术的术语和定义、基本生产要求、设计要求、生产过程控制、生产设备维护和保养、产品品质及包装要求、生产工艺安全、工业卫生设计及工作场所有害因素职业接触限值。 本标准适用于现有、新建(含改、扩建)的采用氨碱法、联碱法和天然碱加工法生产工业碳酸钠的生产工艺过程。

适用范围：本标准规定了水溶性化工品中杂质氟离子（F-)含量的离子色谱分析方法。本标准适用于氟离子含量≤400 mg/kg的水溶性化工品中氟离子含量的测定。本标准有机化工品定量限为0.02 mg/kg，无机化工品定量限为4.0 mg/kg。本标准不适用于不溶性和主成分含氟的化工品。

适用范围：本指导性技术文件规定了使用液相色谱-质谱联用分析方法进行定性定量分析的通用规则。 本指导性技术文件适用于使用液相色谱-质谱联用分析方法对化合物定性定量分析的一般要求。

适用范围：本标准规定了俄歇电子能谱仪(Auger electron spectrometer)的检定方法。本标准适用于激发源为电子束，且带有溅射清洁用离子枪的俄歇电子能谱仪。

适用范围：本标准规定了应用透射电子显微镜对黄瓜绿斑驳花叶病毒进行形态学检测的技术要求和规范。本标准适用于黄瓜绿斑驳花叶病毒的检验检疫与鉴定。

适用范围：本标准规定了在俄歇电子能谱（AES）和X射线光电子能谱（XPS）中使用惰性气体离子以保证溅射深度剖析具有好的深度分辨率以及最佳表面清洁效果而采取的离子束对准方法。这些方法分为两类：一类通过法拉第杯测量离子束流，另一类通过成像方法。法拉第杯方法也规定了离子束束流密度和束流分布的测量。这些方法不包括深度分辨率的优化。这些方法均适用于束斑直径小于1 mm的离子枪。

适用范围：本标准规定了采用电子背散射衍射（Electron backscatter diffraction, EBSD）技术对金属及合金中的相进行定性和定量分析时参数校正、数据采集的方法。本标准适用于EBSD对金属及合金试样的相分析，其他多晶或单晶材料的EBSD相分析也可参照执行。

适用范围：本标准规定了用透射电子显微镜（以下简称透射电镜)检测含有金、银纳米颗粒材料的生物试样超微结构的技术和规范。本标准规定的各项准则，主要适用于透射电子显微镜对金、银纳米材料的生物效应检测分析。

适用范围：本标准规定了透射电镜（TEM）在很大放大倍率范围内所记录的图像的校准方法。用于校准的标准物质具有周期性结构，例如衍射光栅复型、半导体的超点阵结构或X射线分析的分光晶体以及碳、金或硅的晶体晶格像。 本标准适用于记录在照相胶片上或成像板上或数字相机内置传感器采集的 TEM图像的放大倍率。本标准也可用于校准标尺，但不适用于专用的临界尺寸测长透射电镜（CD-TEM）和扫描透射电镜（STEM）。

适用范围：本标准规定了分离膜产品中全氟辛烷磺酰基化合物（PFOS）和全氟辛酸（PFOA）的液相色谱串联质谱测定方法。本标准适用于分离膜产品中全氟辛烷磺酰基化合物（PFOS）和全氟辛酸（PFOA）的定性和定量测定。

适用范围：本标准规定了用透射电子显微镜（以下简称透射电镜）检测含有碳基纳米材料的生物样品超微结构的技术和规范。 本标准适用于含碳基纳米材料的生物薄试样透射电镜分析检测。

适用范围：本标准规定了生物试样扫描电子显微镜分析的技术要求和规范。本标准适用于各种类型的扫描电子显微镜。

适用范围：本标准规定了用于评估扫描电子显微镜（SEM）生成的数字图像锐度的3种方法：傅立叶变换（FT）法、衬度梯度（CG）法、导数（DR）法。

适用范围：本标准规定了分析者使用X射线光电子能谱（XPS)分析试样后应报告信息的最低要求。包括原始记录和分析记录的信息。

适用范围：本标准规定了黄磷生产技术的术语和定义、基本生产要求、设计要求、生产过程控制、生产设备维护和保养、产品品质要求、生产工艺安全、污染物控制。本标准适用于现有、新建（含改、扩建）的采用电炉法生产黄磷装置。

适用范围：本标准规定了采用辉光放电质谱(GDMS)法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测量范围是本方法的检出限至0.1%（质量分数)，检出限根据所用仪器及测量条件确定。通过合适的标准样品校正，也可以测量质量分数大于0.1%的杂质元素含量。单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量。

适用范围：本标准规定了测定化工产品中砷的通用方法。 本标准中的二乙基二硫代氨基甲酸银光度法适用于砷含量在1 μg～20 μg范围内的溶液测定，原子荧光光度法适用于砷含量在0.005 μg～2.5 μg范围内的溶液测定。