SJ 2214.6-1982 半导体光敏三极管集电极－发射极反向击穿电压的测试方法
SJ 2214.6-1982 Method of measurement for collector-emitter reverse breakdown voltage of semiconductor phototransistors
基本信息
标准号
SJ 2214.6-1982
标准类型
行业标准-电子
标准状态
废止
发布日期
1982-11-30
实施日期
1983-07-01
发布单位/组织
-
归口单位
-
适用范围
-
发布历史
-
1982年11月
文前页预览
当前资源暂不支持预览
研制信息
- 起草单位：
- -
- 起草人：
- -
- 出版信息：
- 页数：1页 | 字数：- | 开本： -
内容描述
暂无内容
定制服务
推荐标准
- GB/T 24975.7-2010 低压电器环境设计导则 第7部分：接线端子 2010-08-09
- GB/T 24976.1-2010 电器附件环境设计导则 第1部分：总则 2010-08-09
- GB/T 24976.2-2010 电器附件环境设计导则 第2部分：电缆管理用导管系统和槽管系统 2010-08-09
- GB/T 24975.6-2010 低压电器环境设计导则 第6部分：按钮信号灯 2010-08-09
- GB/T 24976.5-2010 电器附件环境设计导则 第5部分：家用和类似用途插头插座 2010-08-09
- GB/T 24976.3-2010 电器附件环境设计导则 第3部分：家用和类似用途电缆卷盘 2010-08-09
- GB/T 24976.6-2010 电器附件环境设计导则 第6部分：家用和类似用途器具耦合器 2010-08-09
- GB/T 24976.4-2010 电器附件环境设计导则 第4部分：工业用插头插座和耦合器 2010-08-09
- GB/T 24975.5-2010 低压电器环境设计导则 第5部分：熔断器 2010-08-09
- GB/T 24976.8-2010 电器附件环境设计导则 第8部分：家用和类似用途固定式电气装置的开关 2010-08-09