SJ 2214.4-1982 半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法
SJ 2214.4-1982 Method of measurement for reverse break-down voltage of semiconductor photodiodes
基本信息
标准号
SJ 2214.4-1982
标准类型
行业标准-电子
标准状态
废止
发布日期
1982-11-30
实施日期
1983-07-01
发布单位/组织
-
归口单位
-
适用范围
-
发布历史
-
1982年11月
文前页预览
当前资源暂不支持预览
研制信息
- 起草单位:
- -
- 起草人:
- -
- 出版信息:
- 页数:1页 | 字数:- | 开本: -
内容描述
暂无内容
定制服务
推荐标准
- T/CSTM 01386-2025 橡胶助剂 预分散母胶粒 MBTS-75 2025-05-23
- T/CADZ 0009-2025 聚苯硫醚(PPS)纤维技术要求 2025-05-30
- T/CITS 419-2025 3D打印连续碳纤维增强复合材料技术要求 2025-05-23
- T/CITS 412-2025 液化天然气(LNG)船用聚氨酯保温板 2025-05-23
- T/SHPTA 126-2025 可熔融加工全氟烷基聚合物(PFA)管 2025-05-28
- T/GDC 144-2025 MUHDPE-PANS合金管 2025-05-30
- T/SHPTA 127-2025 电子用反应型聚氨酯热熔胶 2025-05-28
- T/CITS 427-2025 仿树木结构膜材料制备技术规范 2025-05-26
- T/CITS 426-2025 高性能陶瓷基复合膜技术要求 2025-05-26
- T/CADZ 0008-2025 水电解槽隔膜用聚苯硫醚(PPS) 2025-05-30