T/CSMT-DZ 005-2023 显示用量子点材料性能测试方法

ICS31.030

CCSL90

团体标准

/—

TCSMT-DZ0052023

显示用量子点材料性能测试方法

Measurementmethodsofuantumdotserformancefordislaalications

qppypp

2023-03-21发布2023-04-20实施

中国计量测试学会发布

中国标准出版社出版

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TCSMT-DZ0052023

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

、………………………

3术语定义和缩略语1

3.1术语和定义…………………………1

3.2缩略语………………2

4测试条件…………………2

4.1测试环境条件………………………2

4.2测试暗室条件………………………2

4.3测试启动条件………………………2

4.4测试配置……………2

5发光器件制备及要求……………………3

5.1发光器件制备………………………3

()………………

5.2发光器件要求校准3

6效率测试方法……………4

6.1亮度计法……………4

6.2积分球法……………7

7亮度维持时间……………9

7.1测试设备……………9

7.2测试步骤……………10

7.3测试结果……………10

()………………

附录规范性标准发光器件制备方法

A11

()……………………

附录资料性发光器件成像示例

B13

()()……………

附录资料性发光器件亮度衰减示例示意图

CQLED14

图测量系统安装示意图…………………

13

图基于亮度计法采集发光器件的成像图……………………

2QLED4

图亮度随电压变化曲线…………………

37

图电流密度随电压变化曲线……………

47

图电流效率随电压变化曲线……………

57

图电流效率随亮度变化曲线……………

67

图电流效率随电流密度变化曲线………………………

77

图积分球测试外量子效率的装置示意图………………

88

()………

图9QLED发光器件与信号输入光纤积分球直接接触处的侧视图和顶视图8

Ⅰ

/—

TCSMT-DZ0052023

图A.1QLED发光器件基本结构示意图………………12

()………………

图B.1QLED发光器件像素成像示例13

()……………………

图C.1QLED发光器件亮度衰减示例逐渐衰减14

()…………

图C.2QLED发光器件亮度衰减示例先增强后逐渐衰减14

表基于亮度计法采集测试结果示例……………………

14

Ⅱ

/—

TCSMT-DZ0052023

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

本文件由京东方科技集团股份有限公司提出。

本文件由中国计量测试学会归口。

:、、

本文件起草单位京东方科技集团股份有限公司中国计量科学研究院杭州远方光电信息股份有

、()、()、、

限公司联想北京有限公司通标标准技术服务上海有限公司厦门市计量检定测试院深圳中国计

量科学研究院技术创新研究院。

:、、、、、、、、、、、

本文件主要起草人王宇高阳陈卓李延钊张志刚陈赤徐英莹李倩潘建根林巍巍苏跃峰

、。

梁倩霞阮育娇

Ⅲ

/—

TCSMT-DZ0052023

显示用量子点材料性能测试方法

1范围

本文件描述了显示用发光量子点材料的效率和寿命测试方法。

本文件适用于电致发光量子点材料性能的评价。

2规范性引用文件

。,

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

,;,()

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

本文件。

/—光度学物理光度系统

GBT201512006CIE

/—:

有机发光二极管显示器第部分光学和光电参数测试方法

GBT20871.6120136-1

/—纳米技术硒化镉量子点纳米晶体表征荧光发射光谱法

GBT360812018

、

3术语定义和缩略语

3.1术语和定义

/—和/—界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

GBT360812018GBT201512006

3.1.1

量子点uantumdots

q

一种具有量子限域效应的荧光纳米粒子。

:,。

注主要由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素组成尺寸一般介于2nm~10nm具有激发光谱波长范围宽而发射光谱波长范

,,

围窄荧光发射峰的波长随纳米晶体尺寸的减少而逐渐蓝移荧光发射峰半峰宽与纳米晶尺寸的单分散性相关

的光学特性。

3.1.2

量子点发光二极管uantumdotslihtemittindiodes

qgg

、。

以量子点为发光层的不需要额外光源的发光二极管

:,,

注在给定电压或电流的情况下发光层两侧的电子和空穴在量子点中相遇并形成激子激子经由辐射复合而发出

光子。

3.1.3

发光器件luminousunit

、、(、)、

不带薄膜晶体管驱动的不带电流驱动控制的任意像素结构面积大小可以在通电情况下直接

()。

发光或断电情况下不发光的器件结构

3.1.4

电流效率currentefficienc

y

器件正面发光的亮度与电流密度的比值。

-1

:·。

注单位为cdA

1