适用范围：范围:本标准规定了晶片精密研磨盘用修正轮的型式规格、技术要求、试验方法、检验规则、 标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于晶片精密研磨盘用修正轮; 主要技术内容:标准名称中的“研磨盘”是指晶片双面研磨机的上、下研磨盘。修正轮的材质为灰铸铁或球墨铸铁，用于铸铁研磨盘的修整。外形为齿轮状，厚度25-40毫米，正反面开有刮研槽。标准给出了修正轮常用的6种结构型式，以及6种规格的外径和厚度尺寸、外圈的齿数和模数。标准中对修正轮三项关键指标规定的尺寸公差，代表了国内一流、国际先进技术水平。1）修正轮整个工作面的平面度，本标准规定应≤0.02 mm；2）修正轮正反两面的平行度，本标准规定应≤0.005 mm；3）修正轮4个或6个为一组，组内各修正轮之间的厚度误差，本标准规定应≤0.02 mm

适用范围：范围:本标准规定了石英晶片倒边波形筒的型式规格、技术要求、试验方法、检验规则、标志、 包装、运输和贮存。 本标准适用于石英晶片倒边波形筒; 主要技术内容:标准名称中的“石英晶片”是指压电石英晶体毛坯片。“倒边波形筒”是倒边滚筒的一种结构型式，其他类型有“倒边球”、“倒边直筒”等。标准给出了波形筒的基本结构型式，常用的2个系列共14种规格的内径和内壁波形R尺寸。标准规定了倒边波形筒的材料、尺寸公差、表面质量、装配互换性等基本技术要求

适用范围：范围:本标准规定了晶片精密研磨盘的规格型号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包 装、运输和贮存。 本标准适用于研磨晶片的精密研磨盘; 主要技术内容:标准名称中的“晶片”包括：——半导体材料晶片，如：硅单晶Si，锗单晶Ge等；——复合半导体材料晶片，如：GaAs，GaN，InP等；——光电材料晶片，如：LiNbO3，BBO等；——超硬材料晶片，如蓝宝石Sapphire，碳化硅SiC等。标准名称中的“精密研磨盘”区别于“粗研磨盘”。标准给出了晶片研磨盘的12个规格型号，包括了国内晶片研磨盘的主要规格型号。精密研磨盘的关键技术指标是平面度和平行度，标准中对各规格的研磨盘分别给出了平面度和平行度要求，规定的指标代表了国内一流、国际先进水平

适用范围：主要技术内容:本标准规定了五轴数控成形磨床的术语和定义、结构形式、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、贮存和运输、质量承诺。本标准适用于磨削工件直径Φ0.03 mm-Φ25 mm、长度≤250 mm的五轴数控成形磨床（以下简称“磨床”）