适用范围：本标准规定了用光学投影仪测量硅片直径的方法。本标准适用于测量圆形硅片的直径，可测最大直径为300 mm。本标准不适用于测量硅片的不圆度。

适用范围：本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、运输、贮存。本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。

适用范围：本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片（以下简称硅片）翘曲度的非接触式测试方法。本标准适用于测量直径大于50 mm，厚度大于180 μm的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测试方法也适用于监视器件加工过程中硅片翘曲度的热化学效应。

适用范围：本标准规定了高纯二氧化锗的要求、试验方法、检验规则和包装、标志、运输、贮存及合同内容等。 本标准适用于以高纯四氯化锗为原料，经水解、洗涤和烘干制得的高纯二氧化锗。产品供制作还原锗、有机锗、催化剂、光纤用四氯化锗、锗酸铋(BGO)晶体及化合物晶体等。

适用范围：本标准规定了还原锗锭的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)。 本标准适用于以高纯二氧化锗为原料，经氢还原法制备的锗锭。产品主要用于制备区熔锗锭。

适用范围：本标准规定了区熔锗锭的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、储存等。 本标准适用于以还原锗锭及锗单晶返料为原料，经区熔提纯而制得的高纯锗锭。ZGe-0区熔锗锭主要用于制备探测器用高纯单晶，ZGe-1区熔锗锭主要用于制备半导体单晶、红外光学锗单晶、锗合金等。