国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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现行
译：GB/Z 123.2-2025 Nanomanufacturing—Material specifications—Luminescent nanomaterials—Part 2:Detail specification for general lighting and display applications适用范围：本文件规定了常规照明和显示用单分散发光纳米材料的基本要求和光学要求，以实现发光纳米材料生产过程的可靠量产和质量控制。 依据本文件，客户可以采用标准化的方式对发光纳米材料提出明确要求，并用标准测量方法进行验证。 本文件不适用于发光纳米材料混合物或聚集体。【国际标准分类号(ICS)】 ：07.030物理学、化学 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2025-12-03 | 实施时间： -收藏 -
即将实施
译：GB/T 30858-2025 Polished mono-crystalline sapphire substrate wafer适用范围：本文件规定了蓝宝石单晶衬底抛光片（以下简称“蓝宝石衬底片”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于直径不大于200 mm的蓝宝石衬底片。产品主要用于外延生长半导体薄膜、生产蓝宝石图形化衬底、蓝宝石键合衬底等。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2025-10-31 | 实施时间： 2026-05-01收藏
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即将实施
译：GB/T 30856-2025 GaAs substrates for LED epitaxial chips适用范围：本文件规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底(以下简称“砷化镓衬底”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于LED外延芯片用砷化镓单晶衬底的生产、检测及质量评价。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2025-08-01 | 实施时间： 2026-02-01收藏
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现行
译：GB/T 25074-2025 Solar-grade polycrystalline silicon适用范围：本文件规定了太阳能级硅多晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单等内容。 本文件适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的太阳能级硅多晶（以下简称硅多晶)。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2025-06-30 | 实施时间： 2026-01-01收藏
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现行
译：GB/T 44334-2024 Silicon epitaxial wafers with buried layers适用范围：本文件规定了埋层硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于具有埋层结构的硅外延片的生产制造、测试分析和质量评价，产品主要用于制作集成电路芯片和半导体分立器件。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2024-08-23 | 实施时间： 2025-03-01收藏
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现行
译：GB/T 14264-2024 Terminology of semiconductor materials适用范围：本文件界定了半导体材料的一般术语和定义，材料制备与工艺及缺陷的术语和定义，以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2024-04-25 | 实施时间： 2024-11-01收藏
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现行
译：GB/T 43885-2024 Silicon carbide epitaxial wafers适用范围：本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于在导电型碳化硅衬底上，生长碳化硅同质外延层的外延片，产品用于制作碳化硅电力电子器件。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2024-04-25 | 实施时间： 2024-11-01收藏
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现行
译：GB/T 43662-2024 Patterned sapphire substrate适用范围：本文件规定了蓝宝石图形化衬底片（以下简称“衬底”）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于蓝宝石图形化衬底片的研发、生产、测试、检验及性能质量的评价。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2024-03-15 | 实施时间： 2024-10-01收藏
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现行
译：GB/T 43612-2023 Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials适用范围：本文件规定了导电型4H碳化硅(4HSiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-12-28 | 实施时间： 2024-07-01收藏
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现行
译：GB/T 35307-2023 Granular polysilicon produced by fluidized bed method适用范围：本文件规定了流化床法颗粒硅的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于以氯硅烷、硅烷气为原料，采用流化床法生产的颗粒状多晶硅(以下简称颗粒硅)。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-08-06 | 实施时间： 2024-03-01收藏
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现行
译：GB/T 30652-2023 Trichlorosilane for silicon epitaxial适用范围：本文件规定了硅外延用三氯氢硅（SiHCl 3）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于以三氯氢硅为原料精制提纯而制得的硅外延用三氯氢硅（以下简称产品）。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-08-06 | 实施时间： 2024-03-01收藏
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现行
译：GB/T 29057-2023 Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy适用范围：本文件规定了多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过低温红外光谱法或光致发光光谱法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中施主、受主、代位碳和间隙氧杂质含量等的规程。本文件适用于评价硅芯上沉积生长的棒状多晶硅。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-08-06 | 实施时间： 2024-03-01收藏
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现行
译：GB/T 30656-2023 Polished monocrystalline silicon carbide wafers适用范围：本文件规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于生产电力电子器件、射频微波器件及LED发光器件的外延材料用碳化硅单晶抛光片。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-03-17 | 实施时间： 2023-10-01收藏
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现行
译：GB/T 31092-2022 Monocrystalline sapphire bar适用范围：本文件规定了蓝宝石单晶晶棒的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于衬底、光学用途的蓝宝石单晶晶棒(以下简称“晶棒”)。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-12-30 | 实施时间： 2023-07-01收藏
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现行
译：GB/T 12963-2022 Electronic-grade polycrystalline silicon适用范围：本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于以氯硅烷、硅烷制得的电子级多晶硅（以下简称“多晶硅”）。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-12-30 | 实施时间： 2023-07-01收藏
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译：GB/T 41652-2022 Silicon electrode and silicon ring for plasma etching machine适用范围：本文件规定了刻蚀机用硅电极及硅环的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件以及订货单内容。本文件适用于p直拉硅单晶加工成的刻蚀机用直径200 mm～450 mm的硅电极及硅环。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-07-11 | 实施时间： 2023-02-01收藏
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译：GB/T 41325-2022 Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit适用范围：本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向、电阻率0.1 Ω·cm～100 Ω·cm的Low-COP抛光片。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-03-09 | 实施时间： 2022-10-01收藏
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译：GB/T 26069-2022 Annealed monocrystalline silicon wafers适用范围：本文件规定了硅单晶退火片（以下简称退火片）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片，产品用于技术代180 nm～22 nm的集成电路。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-03-09 | 实施时间： 2022-10-01收藏
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译：GB/T 20230-2022 Indium phosphide single crystal适用范围：本文件规定了磷化铟单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电器件用的磷化铟单晶锭及磷化铟单晶抛光片。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-03-09 | 实施时间： 2022-10-01收藏
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译：GB/T 20229-2022 Gallium phosphide single crystal适用范围：本文件规定了磷化镓单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电及声光器件用的磷化镓单晶锭及磷化镓单晶研磨片。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-03-09 | 实施时间： 2022-10-01收藏
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