国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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即将实施
译:GB/T 47901-2026 Gallium arsenide substrates for laser epitaxial chips适用范围:本文件规定了激光器外延芯片用砷化镓衬底的分类和牌号,技术要求,试验方法,检验规则,标志和随行文件,包装、运输和贮存,以及订货单内容。 本文件适用于传感器、光通信等领域用激光器外延芯片用砷化镓衬底(以下简称“衬底片”)的生产、检验与质量评价。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01收藏 -
即将实施
译:GB/T 47917-2026 300 mm silicon epitaxial wafers适用范围:本文件规定了直径300 mm硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于在直径300 mm硅抛光片衬底上生长的硅外延片。产品用于制作线宽14 nm及以上集成电路和分立器件。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01收藏 -
即将实施
译:GB/T 47902-2026 Polished single-crystal diamond wafers适用范围:本文件规定了金刚石单晶抛光片的分类和牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于微波等离子化学气相沉积(MPCVD)制备的金刚石单晶抛光片的生产、检验与质量评价。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01收藏 -
即将实施
译:GB/T 47404-2026 Monocrystalline silicon carbide适用范围:本文件规定了碳化硅单晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于直径不大于300 mm的4 H及6 H碳化硅单晶。 注:产品主要用于制作碳化硅单晶抛光片,广泛用于制作电力电子器件、射频微波器件及发光二极管(LED)发光器件。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-03-31 | 实施时间: 2026-10-01收藏 -
现行
译:GB/T 26071-2026 Monocry stallinesilicon and wafers for solar cells适用范围:本文件规定了太阳能电池用硅单晶(简称“硅单晶”)及硅单晶片(简称“硅片”)的牌号与分类、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法。 本文件适用于直拉法制备的硅单晶以及经加工制成的硅单晶片。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-01-28 | 实施时间: 2026-08-01收藏 -
现行
译:GB/T 35305-2026 Gallium arsenide monocrystalline and monocrystalline polished wafers for solar cell适用范围:本文件规定了太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片的分类和牌号、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法。 本文件适用于太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片的生产、检测及质量评价。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-01-28 | 实施时间: 2026-08-01收藏 -
现行
译:GB/T 47097-2026 Polished monocrystalline aluminum nitride wafers适用范围:本文件规定了氮化铝单晶抛光片(以下简称“抛光片”)的牌号与分类、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法。 本文件适用于微波功率器件用直径为25.4 mm和50.8 mm的抛光片的生产、检验及质量评价。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-01-28 | 实施时间: 2026-08-01收藏 -
现行
译:GB/Z 123.2-2025 Nanomanufacturing—Material specifications—Luminescent nanomaterials—Part 2:Detail specification for general lighting and display applications适用范围:本文件规定了常规照明和显示用单分散发光纳米材料的基本要求和光学要求,以实现发光纳米材料生产过程的可靠量产和质量控制。 依据本文件,客户可以采用标准化的方式对发光纳米材料提出明确要求,并用标准测量方法进行验证。 本文件不适用于发光纳米材料混合物或聚集体。【国际标准分类号(ICS)】 :07.030物理学、化学 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-12-03 | 实施时间: -收藏 -
现行
译:GB/T 30858-2025 Polished mono-crystalline sapphire substrate wafer适用范围:本文件规定了蓝宝石单晶衬底抛光片(以下简称“蓝宝石衬底片”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于直径不大于200 mm的蓝宝石衬底片。产品主要用于外延生长半导体薄膜、生产蓝宝石图形化衬底、蓝宝石键合衬底等。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-10-31 | 实施时间: 2026-05-01收藏 -
现行
译:GB/T 30856-2025 GaAs substrates for LED epitaxial chips适用范围:本文件规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底(以下简称“砷化镓衬底”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于LED外延芯片用砷化镓单晶衬底的生产、检测及质量评价。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-08-01 | 实施时间: 2026-02-01收藏 -
现行
译:GB/T 25074-2025 Solar-grade polycrystalline silicon适用范围:本文件规定了太阳能级硅多晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单等内容。 本文件适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的太阳能级硅多晶(以下简称硅多晶)。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-06-30 | 实施时间: 2026-01-01收藏 -
现行
译:GB/T 44334-2024 Silicon epitaxial wafers with buried layers适用范围:本文件规定了埋层硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于具有埋层结构的硅外延片的生产制造、测试分析和质量评价,产品主要用于制作集成电路芯片和半导体分立器件。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-08-23 | 实施时间: 2025-03-01收藏 -
现行
译:GB/T 14264-2024 Terminology of semiconductor materials适用范围:本文件界定了半导体材料的一般术语和定义,材料制备与工艺及缺陷的术语和定义,以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-04-25 | 实施时间: 2024-11-01收藏 -
现行
译:GB/T 43885-2024 Silicon carbide epitaxial wafers适用范围:本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于在导电型碳化硅衬底上,生长碳化硅同质外延层的外延片,产品用于制作碳化硅电力电子器件。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-04-25 | 实施时间: 2024-11-01收藏 -
现行
译:GB/T 43662-2024 Patterned sapphire substrate适用范围:本文件规定了蓝宝石图形化衬底片(以下简称“衬底”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于蓝宝石图形化衬底片的研发、生产、测试、检验及性能质量的评价。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-03-15 | 实施时间: 2024-10-01收藏 -
现行
译:GB/T 43612-2023 Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials适用范围:本文件规定了导电型4H碳化硅(4HSiC)晶体材料缺陷的形貌特征,产生原因和缺陷图谱。本文件适用于半导体行业碳化硅(晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-12-28 | 实施时间: 2024-07-01收藏 -
现行
译:GB/T 35307-2023 Granular polysilicon produced by fluidized bed method适用范围:本文件规定了流化床法颗粒硅的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于以氯硅烷、硅烷气为原料,采用流化床法生产的颗粒状多晶硅(以下简称颗粒硅)。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-08-06 | 实施时间: 2024-03-01收藏 -
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译:GB/T 30652-2023 Trichlorosilane for silicon epitaxial适用范围:本文件规定了硅外延用三氯氢硅(SiHCl 3)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于以三氯氢硅为原料精制提纯而制得的硅外延用三氯氢硅(以下简称产品)。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-08-06 | 实施时间: 2024-03-01收藏 -
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译:GB/T 29057-2023 Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy适用范围:本文件规定了多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过低温红外光谱法或光致发光光谱法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中施主、受主、代位碳和间隙氧杂质含量等的规程。本文件适用于评价硅芯上沉积生长的棒状多晶硅。【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-08-06 | 实施时间: 2024-03-01收藏 -
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译:GB/T 30656-2023 Polished monocrystalline silicon carbide wafers适用范围:本文件规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于生产电力电子器件、射频微波器件及LED发光器件的外延材料用碳化硅单晶抛光片。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-03-17 | 实施时间: 2023-10-01收藏
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