国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
-
被代替
译：GB/T 12963-2014 Electronic-grade polycrystalline silicon适用范围：本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-12-31 | 实施时间： 2015-09-01收藏 -
被代替
译：GB/T 30652-2014 Trichlorosilane for silicon epitaxial适用范围：本标准规定了硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书以及订货单 (或合同)内容。 本标准适用于以粗三氯氢硅为原料经过提纯而制得的硅外延用三氯氢硅（以下简称产品）。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-12-31 | 实施时间： 2015-09-01收藏
-
现行
译：GB/T 13389-2014 Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon适用范围：本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系，该换算关系也适用于掺锑硅单晶，还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-12-31 | 实施时间： 2015-09-01收藏
-
被代替
译：GB/T 30656-2014 Polished monocrystalline silicon carbide wafers适用范围：本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-12-31 | 实施时间： 2015-09-01收藏
-
被代替
译：GB/T 31092-2014 Monocrystalline sapphire ingot适用范围：本标准规定了蓝宝石单晶晶锭的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书、订货单（或合同）内容。 本标准适用于蓝宝石单晶晶锭，产品可用于制造氮化镓外延薄膜及其他用途的蓝宝石单晶衬底材料（以下简称晶锭）。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-12-22 | 实施时间： 2015-09-01收藏
-
被代替
译：GB/T 2881-2014 Silicon metal适用范围：本标准规定了工业硅的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和订货单（或合同）的内容。 本标准适用于矿热炉内炭质还原剂与硅石熔炼所生产的工业硅，主要用于配制合金、制取多晶硅和生产有机硅等。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H81半金属发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-12-05 | 实施时间： 2015-08-01收藏
-
现行
译：GB/T 30861-2014 Germanium substrate for solar cell适用范围：本标准规定了太阳能电池用锗衬底片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于垂直梯度凝固法（VGF）和直拉法（CZ）制备的太阳能电池用锗衬底片（以下简称锗衬底片）。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-04-01收藏
-
现行
译：GB/T 30854-2014 Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting适用范围：本标准规定了LED发光用氮化镓基外延片（以下简称外延片）的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于LED发光用氮化镓基外延片。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-04-01收藏
-
被代替
译：GB/T 30858-2014 Polished mono-crystalline sapphire substrate product适用范围：本标准规定了蓝宝石单晶衬底抛光片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于单面抛光蓝宝石衬底片(以下简称蓝宝石衬底片)。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-04-01收藏
-
现行
译：GB/T 30855-2014 GaP substrates for LED epitaxial chips适用范围：本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片（以下简称衬底）的要求、检验方法以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-04-01收藏
-
被代替
译：GB/T 30867-2014 Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers适用范围：本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。 本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm～1 mm的碳化硅单晶片。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-02-01收藏
-
被代替
译：GB/T 30856-2014 GaAs substrates for LED epitaxial chips适用范围：本标准规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底片（以下简称衬底）的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-04-01收藏
-
被代替
译：GB/T 30866-2014 Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers适用范围：本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。 本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-02-01收藏
-
被代替
译：GB/T 30868-2014 Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers—Chemically etching适用范围：本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。 本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-07-24 | 实施时间： 2015-02-01收藏
-
废止
译：GB/T 14863-2013 Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes适用范围：本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。 本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值（见附录A）相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2013-12-31 | 实施时间： 2014-08-15收藏
-
现行
译：GB/T 30453-2013 Metallographs collection for original defects of crystalline silicon适用范围：本标准给出了硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料的各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷的术语及其形貌特征图谱。分析了其产生的原因和消除方法。 本标准适用于硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种缺陷的检验。硅器件、集成电路的生产研究也可参考本标准。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2013-12-31 | 实施时间： 2014-10-01收藏
-
现行
译：GB/T 30110-2013 Measuring methods of parameters of HgCdTe epilayers used for space infrared detectors适用范围：本标准规定了空间红外探测器用碲镉汞（HgCdTe）外延材料性能参数的测试方法和测试设备要求。 本标准适用于空间红外探测器用碲镉汞外延材料的参数测试，其他用途的碲镉汞外延材料参数的测试可参照使用。【国际标准分类号(ICS)】 ：49.060航空航天用电气设备和系统 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2013-12-17 | 实施时间： 2014-05-15收藏
-
现行
译：GB/T 29852-2013 Test method for measuring phosphorus,arsenic and antimony in silicon materials used for photovoltaic applications by secondary ion mass spectrometry适用范围：本标准规定了用二次离子质谱仪（SIMS）测定光伏电池用硅材料中磷、砷和锑含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中施主杂质磷、砷和锑含量的定量分析，其中磷、砷和锑的浓度均大于1×1014atoms/cm3。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2013-11-12 | 实施时间： 2014-04-15收藏
-
现行
译：GB/T 29851-2013 Test method for measuring boron and aluminium in silicon materials used for photovoltaic applications by secondary ion mass spectrometry适用范围：本标准规定了用二次离子质谱仪（SIMS）测定光伏电池用硅材料中硼和铝含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中受主杂质硼和铝含量的定量分析，其中硼和铝的浓度均大于1×1013atoms/cm3。其他受主杂质的测量也可参照本标准。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2013-11-12 | 实施时间： 2014-04-15收藏
-
现行
译：GB/T 29849-2013 Test method for measuring surface metallic contamination of silicon materials used for photovoltaic applications by inductively coupled plasma mass spectrometry适用范围：本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪（ICPMS）测定光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、镍、铜、锌、钼含量的测定。各元素的测量范围见表1。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2013-11-12 | 实施时间： 2014-04-15收藏
被代替
被代替
现行
被代替
被代替
被代替
现行
现行
被代替
现行
被代替
被代替
被代替
被代替
废止
现行
现行
现行
现行
现行