GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底
GB/T 30856-2014 GaAs substrates for LED epitaxial chips
国家标准
中文简体
现行
页数：13页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2014-07-24
实施日期
2015-04-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底片（以下简称衬底）的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。
本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。
本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。
发布历史
-
2014年07月
研制信息
- 起草单位：
- 中国科学院半导体研究所、有研光电新材料有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司
- 起草人：
- 赵有文、提刘旺、林泉、于洪国、惠峰、赵坚强
- 出版信息：
- 页数：13页 | 字数：22 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS29.045
H83
中华人民共和国国家标准
/—
GBT308562014
LED外延芯片用砷化镓衬底
GaAssubstratesforLEDeitaxialchis
pp
2014-07-24发布2015-04-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT308562014
前言
本标准按照/—给出的规则起草。
GBT1.12009
(/)(/
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会SACTC203及材料
定制服务
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