适用范围：本标准规定了流化床法生产的颗粒硅的术语和定义、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于以硅烷气为原料，采用流化床法生产的颗粒状多晶硅产品。

适用范围：本标准规定了直径200 mm硅外延片的术语和定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书。本标准适用于在N型和P型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片。产品主要用于制作集成电路或半导体器件。

适用范围：本标准规定了太阳能级多晶硅的术语和定义、牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的棒状多晶硅或经破碎形成的块状多晶硅。

适用范围：本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定，其中铁（Fe）、铬（Cr）、镍（Ni）、铜（Cu）、锌（Zn）、硼（B）、磷（P）、钙（Ca）、钠（Na）、镁（Mg）、铝（Al）、砷（As）、钪（Sc）、钛（Ti）、钒（V）、锰（Mn）、钴（Co）、镓（Ga）等元素的测定范围为5 μg/kg～50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料，例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。

适用范围：本标准规定了利用感应炉燃烧后红外吸收法测定硅粉中总碳含量的方法。 本标准适用于生产多晶硅的原料硅粉中总碳含量的测定。测定范围为0.001%～1.0%（质量分数）。

适用范围：本标准规定了硅单晶的牌号及分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同)内容等。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的硅单晶。产品主要用于制作半导体元器件。

适用范围：本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP—MS)测定光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质铁、铬、镍、铜、锌含量的测定。各元素的测量范围见表1。

适用范围：本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用锗衬底片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于垂直梯度凝固法（VGF）和直拉法（CZ）制备的太阳能电池用锗衬底片（以下简称锗衬底片）。

适用范围：本标准规定了用二次离子质谱仪（SIMS）测定光伏电池用硅材料中磷、砷和锑含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中施主杂质磷、砷和锑含量的定量分析，其中磷、砷和锑的浓度均大于1×1014atoms/cm3。

适用范围：本标准规定了用二次离子质谱仪（SIMS）测定光伏电池用硅材料中硼和铝含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中受主杂质硼和铝含量的定量分析，其中硼和铝的浓度均大于1×1013atoms/cm3。其他受主杂质的测量也可参照本标准。

适用范围：本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。 本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。

适用范围：本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪（ICPMS）测定光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、镍、铜、锌、钼含量的测定。各元素的测量范围见表1。

适用范围：本标准规定了直径300 mm、p型、100晶向、电阻率0.5 Ω·cm～20 Ω·cm规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直径300 mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足集成电路IC用线宽90 nm技术需求的衬底片。

适用范围：本标准规定了直径300 mm、p型、晶向、电阻率0.5Ω·cm～20Ω·cm的硅单晶切割片和磨削片(简称硅片)产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直径300 mm直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片，产品将进一步加工成抛光片，用于制作集成电路IC用线宽90nm技术需求的衬底片。

适用范围：本标准规定了直径300 mm、p型、100晶向、电阻率0.5 Ω·cm～20 Ω·cm硅单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于由直拉法制备的硅单晶，主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13 μm及以下技术需求的300 mm硅单晶抛光片。

适用范围：本标准规定了太阳能级铸造多晶硅块的产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅块。

适用范围：本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用锗单晶棒的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单内容。 本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗单晶滚圆棒。

适用范围：本标准规定了太阳能级多晶硅的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和包装、标志、运输、贮存及订货单（或合同）内容等。 本标准适用于以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。产品主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产。