GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

GB/T 36646-2018 Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy

国家标准 中文简体 现行 页数:17页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 36646-2018
相关服务
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2018-09-17
实施日期
2019-01-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
适用范围
本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”)的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。
本标准适用于制备直径50.8 mm~152.4 mm氮化物半导体材料的HVPE设备。

发布历史

研制信息

起草单位:
东莞市中镓半导体科技有限公司、中国电子技术标准化研究院
起草人:
刘鹏、孙永健、丁晓民、冯亚彬、王健辉
出版信息:
页数:17页 | 字数:28 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS31.220

L95

中华人民共和国国家标准

/—

GBT366462018

制备氮化物半导体材料用

氢化物气相外延设备

Euimentforrearationofnitridesemiconductormaterialsb

qpppy

hdridevaorhaseeitax

ypppy

2018-09-17发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

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GBT366462018

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4产品分类和标记…………………………2

4.1分类…………………2

4.2型号标记……………2

5工作条件…………………3

5.1电源…………………3

5.2环境温度……………3

5.3相对湿度……………3

5.4大气压力……………3

5.5洁净室等级…………………………4

5.6冷却水………………4

5.7动力气体……………4

6要求………………………4

6.1压升率………………4

6.2气体输运系统……………………

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