GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
GB/T 34900-2017 Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer
国家标准
中文简体
现行
页数：12页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2017-11-01
实施日期
2018-05-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
适用范围
本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微双端固支梁结构表面形貌进行残余应变测量的方法。本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微双端固支梁结构。
发布历史
-
2017年11月
研制信息
- 起草单位：
- 天津大学、中机生产力促进中心、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、南京理工大学、中国电子科技集团公司第十三研究所
- 起草人：
- 郭彤、胡晓东、李海斌、于振毅、裘安萍、程红兵、崔波、朱悦
- 出版信息：
- 页数：12页 | 字数：20 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS31.200
L55
中华人民共和国国家标准
/—
GBT349002017
微机电系统()技术
MEMS
基于光学干涉的MEMS微结构
残余应变测量方法
Micro-electromechanicalsstemtechnolo—
ygy
MeasurinmethodforresidualstrainmeasurementsofMEMSmicrostructures
g
usinanoticalinterferometer
gp
2017-11-01发布2018-05-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT349002017
目次
前言…………………………Ⅲ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4测量方法………
定制服务
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