GB/T 46611-2025 电光调制器用铌酸锂单晶薄膜

ICS31030

CCSQ.65

中华人民共和国国家标准

GB/T46611—2025

电光调制器用铌酸锂单晶薄膜

Lithiumniobatesingle-crystalthinfilmforelectro-opticmodulator

2025-10-31发布2026-05-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T46611—2025

目次

前言

…………………………Ⅴ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

要求

4………………………3

外观质量

4.1……………3

薄膜层表面晶向允差

4.2………………5

键合偏转角度允差

4.3…………………5

键合强度

4.4……………5

光学均匀性

4.5…………………………5

线性电光系数

4.6………………………5

单畴化程度

4.7…………………………5

衬底电阻率

4.8…………………………5

检测方法

5…………………6

检测环境

5.1……………6

总厚度

5.2………………6

总厚度变化

5.3…………………………6

局部厚度变化和局部厚度变化率

5.4…………………6

边缘区宽度

5.5…………………………6

表面外观质量

5.6………………………6

点平均厚度允差和点厚度变化

5.71717……………6

弯曲度

5.8………………6

正表面粗糙度

5.9………………………6

薄膜层表面晶向允差

5.10………………6

键合偏转角度允差

5.11…………………6

键合强度

5.12……………6

光学均匀性

5.13…………………………7

线性电光系数

5.14………………………7

单畴化程度

5.15…………………………7

衬底电阻率

5.16…………………………7

检查与验收规则

6…………………………7

检查与验收

6.1…………………………7

检验分类

6.2……………7

Ⅰ

GB/T46611—2025

检验项目

6.3……………7

批次检验

6.4……………8

周期检验

6.5……………9

包装标签标志储存和运输

7、/、……………9

包装

7.1…………………9

标签标志

7.2/…………………………10

储存

7.3…………………10

运输

7.4…………………10

附录规范性键合偏转角度的测量方法

A()……………11

测量目的

A.1…………………………11

测量方法

A.2…………………………11

测量环境

A.3…………………………11

测量仪器

A.4…………………………11

测量原理

A.5…………………………11

测量步骤

A.6…………………………12

数据处理

A.7…………………………12

附录规范性光学均匀性的测量方法

B()……………13

测量目的

B.1……………13

测量方法

B.2……………13

测量环境

B.3……………13

测量仪器

B.4……………13

测量原理

B.5……………13

测量步骤

B.6……………14

数据处理

B.7……………14

附录规范性线性电光系数的测量方法

C()……………15

测量目的

C.1……………15

测量方法

C.2……………15

测量环境

C.3……………15

测量仪器

C.4……………15

测量原理

C.5……………15

测量步骤

C.6……………16

数据处理

C.7……………16

附录规范性单畴化程度的测量方法

D()………………17

测量目的

D.1……………17

测量方法

D.2……………17

测试环境

D.3……………17

测量仪器

D.4……………17

Ⅱ

GB/T46611—2025

测量原理

D.5……………17

测量步骤

D.6……………17

数据处理

D.7……………17

Ⅲ

GB/T46611—2025

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中国建筑材料联合会提出

。

本文件由全国人工晶体标准化技术委员会归口

(SAC/TC461)。

本文件起草单位济南晶正电子科技有限公司上海新硅聚合半导体有限公司中国科学院半导体

:、、

研究所华中科技大学武汉安湃芯研科技有限公司中国科学院新疆理化技术研究所珠海光库科技股

、、、、

份有限公司广州铌奥光电子有限公司电子科技大学海思光电子有限公司武汉光谷信息光电子创新

、、、、

中心有限公司中国科学院微电子研究所江西匀晶光电技术有限公司兰州大学山东大学南开大学

、、、、、、

南通南里台科技有限公司上海交通大学济南量子技术研究院中国电子科技集团公司第二十六研究

、、、

所南京南智先进光电集成技术研究院有限公司浙江大学宁波元芯电子科技有限公司北京世维通科

、、、、

技股份有限公司天津华慧芯科技集团有限公司北京玻色量子科技有限公司上海图灵智算量子科技

、、、

有限公司无锡光子芯片联合研究中心苏州易缆微半导体技术有限公司苏州旭创科技有限公司中国

、、、、

电子科技集团公司第五十五研究所中国电子科技集团公司第四十四研究所天津津航技术物理研究

、、

所合肥芯智华光子科技有限公司北京理工大学江苏华兴激光科技有限公司

、、、。

本文件主要起草人胡文梁龙跃欧欣陈阳李明王文亭孙军强夏金松孙军吉贵军蔡鑫伦

:、、、、、、、、、、、

陈开鑫陈鑫肖希黄凯李志华夏宗仁田永辉唐供宾薄方刘丹何宇王东周郑名扬丁雨憧

、、、、、、、、、、、、、、

陈哲明冯杰严仲刘柳戴向阳李俊慧王旭阳陈帅乔石珺战永兴方啸天魏海殷祥季梦溪

、、、、、、、、、、、、、、

钱广刘鹏浩张洪波孙文宝华平壤徐鹏飞

、、、、、。

Ⅴ

GB/T46611—2025

电光调制器用铌酸锂单晶薄膜

1范围

本文件规定了电光调制器用铌酸锂单晶薄膜的要求检查与检验规则包装标签标志储存和运

、、、/、

输要求描述了检测方法

,。

本文件适用于铌酸锂薄膜层厚度为直径为和

100nm~1000nm,76.2mm、100.0mm、150.0mm

切向的电光调制器用同成分铌酸锂单晶薄膜其他规格的铌酸锂单晶薄膜参照执行

200.0mm,X,。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

包装储运图示标志

GB/T191—2008

光学零件表面疵病

GB/T1185

硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

GB/T1551

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20121:(AQL)

计划

硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6618

硅片弯曲度测试方法

GB/T6619

半导体材料术语

GB/T14264

电子数显外径千分尺

GB/T20919

洁净室及相关受控环境第部分按粒子浓度划分空气洁净度等级

GB/T25915.1—20211:

硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

GB/T29505

声表面波器件用单晶晶片规范与测量方法

GB/T30118(SAW)

蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法

GB/T30857

硅片表面薄膜厚度的测试光学反射法

GB/T40279

半导体器件微机电器件晶圆间键合强度测量

GB/T41853

3术语和定义

和界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264、GB/T6619GB/T30118。

31

.

铌酸锂单晶薄膜lithiumniobatesingle-crystalthinfilmTFLN

;

在特定衬底上制备的厚度为化学式为的铌酸锂单晶化合物薄膜

100nm~1000nm,LiNbO3。

注通常包含依次层叠的铌酸锂单晶薄膜层绝缘层捕获层和衬底其中捕获层可以根据需求选择省略

:TFLN、、。,。

其结构如图所示

1。

1