适用范围：主要技术内容:本文件规定了红外测油仪（以下简称测油仪）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存。本文件适用于采用红外分光光度法测量固体、气体及水体中油类含量的测油仪。此仪器分为实验室、便携式、在线式3种类型

适用范围：范围:本文件适用于配备直径2.0 m以内积分球的光电综合测试仪主要性能检测，其他光电综合测试仪可参考使用; 主要技术内容:本文件规定了配积分球的光电综合测试仪的术语和定义、主要性能要求及检测方法

适用范围：范围:本文件适用于一维条码检测仪、二维条码检测仪的检测，其他相同原理的条码检测设备可参考使用; 主要技术内容:本文件规定了条码检测仪的术语和定义、性能要求及检测方法

适用范围：范围:本文件适用于紫外线能量计的性能检测，其他相关紫外线能量计可参考使用; 主要技术内容:本文件规定了紫外线能量计的术语和定义、性能要求及检测方法

适用范围：范围:本文件适用于紫外分析仪(包括三用紫外分析仪、暗箱式紫外分析仪、可照相紫外分析仪等系列)的性能检测，其他紫外分析仪可参考使用; 主要技术内容:本文件规定了紫外分析仪的术语和定义、要求及检测方法

适用范围：本文件规定了个人眼护具视野范围检测的准备、程序和参数计算。本文件适用于个人眼护具视野范围的检测。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了产品的术语和定义、要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存等方面的要求。本文件适用于全自动高速旋光仪（以下简称仪器）

适用范围：范围:本文件规定了用高分辨X射线衍射法表征6H和4H碳化硅单晶衬底基平面弯曲的方法。 本文件适用于（0001）面或（0001）面偏晶向的6H和4H-碳化硅单晶衬底中基平面弯曲的表征; 主要技术内容:碳化硅（SiC）具有高临界击穿场强、高的热导率、高电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大功率器件。使用碳化硅作为衬底生长器件结构时，衬底质量对外延层的质量起决定性作用。大尺寸碳化硅单晶常常呈现基平面的摇摆曲线衍射峰位随着单晶直径衍射位置的改变而变化的现象，这种衍射峰位的移动源于基平面弯曲。由于基平面弯曲的存在，导致同质外延或异质外延层边缘位置的c轴偏离中心位置的c轴，影响后续器件制备工艺的均匀性与可靠性。只有掌握了碳化硅单晶衬底基平面弯曲的特性，才能够深入了解基平面弯曲产生的原因，提供单晶生长条件优化的方向，进而提升单晶质量。因此有必要发展一种能够准确、全面的表征碳化硅单晶基平面弯曲特性的方法。目前我国以X射线衍射法表征碳化硅单晶片的晶面弯曲特性的标准属于空白领域，因此特制定本标准

适用范围：范围:本文件规定了色散镜的术语和定义、产品分类和标记、技术要求、薄膜材料、光谱和色散特性测试要求和产品包装和运输等。 本文件适用于超快激光中的介质或金属介质色散镜; 主要技术内容:本文件规定了色散镜的术语和定义、产品分类和标记、技术要求、薄膜材料、光谱和色散特性测试要求和产品包装和运输等。本文件适用于超快激光中的介质或金属介质色散镜

适用范围：范围:本文件规定了采用光谱法测定单层光学薄膜的光谱特性，并以此反演出膜层光学常数的测试方法。 本文件适用于50nm～5000nm的介质光学薄膜和基片，薄膜为氧化物、氟化物、硫化物等化合物，基片为各种可见光透明光学玻璃、可见光透明各向同性晶体; 主要技术内容:本文件规定了采用光谱法测定单层光学薄膜的光谱特性，并以此反演出膜层光学常数的测试方法。本文件适用于50nm～5000nm的介质光学薄膜和基片，薄膜为氧化物、氟化物、硫化物等化合物，基片为各种可见光透明光学玻璃、可见光透明各向同性晶体

适用范围：本文件规定了液相色谱仪测试用标准色谱柱的术语和定义、标准柱参数、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于液相色谱仪测试用标准色谱柱（以下简称“标准柱”）。

适用范围：本文件规定了纺织用色立体颜色标号、测量、色差评价的要求，提供了颜色分析与搭配的建议。 本文件适用于纺织品设计、加工、使用等领域中对颜色的定量表示和分析与搭配应用，其他行业颜色的定量表示和分析与搭配应用也可参照使用。

适用范围：本标准描述了红外硫系光学薄膜（以下简称“薄膜”）折射率的测试原理、测试条件、仪器设备、样品、测试步骤、数据处理与折射率计算、计算精度和测试报告。 本标准适用于红外硫系光学薄膜折射率的测试，其他光学薄膜折射率的测试可参照使用。

适用范围：范围:本文件规定了分子荧光光谱法测定石墨烯量子点蓝光发射相对荧光量子产率的术语和定义、测量原理、仪器、试剂和设备、样品的前处理、测量条件和步骤、数据处理和计算、不确定度来源分析和检测报告。 本文件适用于分子荧光光谱法表征石墨烯量子点蓝光发射相对荧光量子产率，石墨烯量子点的其他荧光发射带和其他纳米颗粒的发光性质表征（配合合适的荧光量子产率参考/标准物质）亦可参照执行; 主要技术内容:本文件规定了分子荧光光谱法测定石墨烯量子点蓝光发射相对荧光量子产率的术语和定义、测量原理、仪器、试剂和设备、样品的前处理、测量条件和步骤、数据处理和计算、不确定度来源分析和检测报告。本文件适用于分子荧光光谱法表征石墨烯量子点蓝光发射相对荧光量子产率，石墨烯量子点的其他荧光发射带和其他纳米颗粒的发光性质表征（配合合适的荧光量子产率参考/标准物质）亦可参照执行

适用范围：范围:本文件规定了紫外/可见分光光度法测定石墨烯量子点类酶活力的术语和定义、测量原理、仪器、试剂和设备、样品的前处理、测量条件和步骤、数据处理和计算、不确定度来源分析和检测报告。 本文件适用于紫外/可见分光光度法表征石墨烯量子点的类酶活力，底物为邻苯二胺，底物浓度为9.74 mmol?L-1。其他纳米颗粒类酶活力的表征亦可参照执行; 主要技术内容:本文件规定了紫外/可见分光光度法测定石墨烯量子点类酶活力的术语和定义、测量原理、仪器、试剂和设备、样品的前处理、测量条件和步骤、数据处理和计算、不确定度来源分析和检测报告。本文件适用于紫外/可见分光光度法表征石墨烯量子点的类酶活力，底物为邻苯二胺，底物浓度为9.74 mmol?L-1。其他纳米颗粒类酶活力的表征亦可参照执行

适用范围：主要技术内容:5.1偏差印制电路行业AOI（自动光学检测）设备的线宽识别能力，即其相对不同等级线宽标准板的线宽识别检测值，与标准板线宽宽度之间的差值，不超过±10%。5.2镜头畸变度文字印制电路行业AOI（自动光学检测）设备对放置在参考平面上不同位置的标准板进行检测，并求出每个等级线宽在不同位置之间的最大差值，即为镜头畸变度

适用范围：本文件规定了光学对比度法（包括反射光谱法和光学图片法）测量石墨烯相关二维材料的层数的仪器设备、样品准备、测量步骤、测试报告等内容。 本文件适用于利用机械剥离法或化学气相沉积法(CVD: chemical vapor deposition)制得的晶体质量高、横向尺寸不小于2 μm、层数不多于5的石墨烯薄片及石墨烯薄膜的层数测量。其他方法制得的石墨烯薄片及石墨烯薄膜可参照本文件执行。

适用范围：本文件规定了使用拉曼光谱测量石墨烯相关二维材料的层数的方法。 本文件适用于利用机械剥离法制备的、横向尺寸不小于2 μm的石墨烯薄片的层数测量。化学气相沉积（CVD: chemical vapor deposition)法制备的以AB堆垛或ABC堆垛的石墨烯薄片可参照本方法执行。 注1： 测量石墨烯薄片的层数时，可单独或者综合几种方法联合测量并相互验证。 注2： 第5章给出了基于2D模的线型（A法)。第6章给出了基于SiO2/Si衬底的硅拉曼模峰高（B法)进行石墨烯薄片层数测量的拉曼光谱法。附录A给出了拉曼光谱法测量石墨烯薄片层数的各种方法概要一览表。附录B给出了基于石墨烯薄片G模的峰高（C法)进行石墨烯薄片层数测量的拉曼光谱法。

适用范围：本标准规定了原子力显微镜法（AFM）测量氧化石墨烯厚度的样品制备、测量步骤及结果计算等。 本标准适用于片径尺寸不小于300 nm 的氧化石墨烯厚度的测量。其他二维材料厚度的AFM测量可参照使用。

适用范围：本文件给出了以棉布、绸、化学纤维织物为材质制作的中国共产主义青年团团旗（以下简称团旗)颜色标准样品的旗面图案及外观、要求、试验方法、检验规则和贮存。本文件适用于制作团旗颜色标准样品。