适用范围：本文件规定了扫描电子显微镜法测定石墨烯薄膜覆盖度的样品制备、扫描电子显微镜（SEM）测定、图像处理、覆盖度计算、不确定度评定、测定示例及测试报告。本文件适用于采用化学气相沉积法制备的生长在各种金属基底上的、由于生长原因未完全覆盖的且畴间距不大于200μm的石墨烯薄膜覆盖度的测定，采用其他方法制备的石墨烯薄膜覆盖度测定可参照本文件

适用范围：本文件规定了直流标准电能表的产品分类、结构与机械性能、电气性能、计量性能、气候适应性、电磁兼容等要求以及检验规则、包装、运输和贮存，描述了相应的试验方法。 本文件适用于新制造的、受控环境中使用的直流标准电能表（以下简称“标准表”）的设计、生产、制造、使用和检测。 注：受控环境指有温度、湿度调节或电磁屏蔽等措施的场所，通常包括实验室、生产车间等。

适用范围：本文件描述了一般传感器主要静态性能指标的定义和计算方法。 本文件适用于研制、生产、使用过程中传感器主要静态性能指标的计算，也适用于制定或修订各种传感器的产品标准。

适用范围：本文件界定了用区域法评定表面结构的术语、定义和参数。

适用范围：本文件规定了采用漫射红外辐射或宽波束红外辐射作为信息载体［主要承载音频和（或）视频信号，以及与音视频设备相关的控制数据］的系统组件的要求，描述了相应的测量方法。 本文件适用于自由辐射红外信号传输系统，室内空间及不同规模用户群体的信号传输是典型应用场景。 本文件不适用于安防系统、工业级应用设备（如测控自动化装置）、交通管理系统、残疾人辅助系统、类电缆传输红外系统及窄波束红外系统，但窄波束红外系统可能对本文件所适用的系统产生干扰。

适用范围：本文件规定了电离辐射厚度计的产品分类、技术要求、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和随行文件,描述了对应的试验方法。 本文件适用于利用电离辐射对被测材料的厚度或单位面积质量进行非破坏性静态测量的电离辐射厚度计(以下简称“厚度计”)。

适用范围：本文件描述了用浮力法测定20 ℃~30 ℃玻璃密度的方法。 本文件适用于各类密度一致的玻璃材料和制品。

适用范围：本文件规定了测量中子用场所剂量仪和个人剂量计的校准方法，以及其能量响应和角响应的确定方法。 本文件适用于测量中子用场所剂量仪和个人剂量计的校准及其中子能量响应和角响应的确定。

适用范围：本文件规定了用于校准辐射防护仪器用中子测量仪器并确定其能量响应的中子参考辐射,能量范围从热中子至20 MeV中子。 本文件仅涉及中子参考辐射的辐射特性和产生方法,参考文献[1]和[2]中描述利用这些参考辐射进行校准的流程。 本文件规定的参考辐射如下: a) 放射源(包括在慢化体中的源)产生的中子辐射场; b) 加速器带电粒子核反应产生的中子辐射场; c) 核反应堆产生的中子辐射场。 根据中子参考辐射的产生方法和用途的不同,分以下3个章节描述中子参考辐射。 a) 第4章给出了用于校准中子测量仪器的具有宽谱的中子放射源。实验室宜利用这些中子源对已通过型式试验的中子测量仪器进行常规校准。 b) 第5章给出了用于确定中子测量仪器能量响应的中子参考辐射,包括加速器产生的单能中子源和反应堆产生的宽谱或准单能中子源。由于只有专业的、配置足够设备的实验室才具有产生这些参考辐射的条件,因此对实验细节只做简要介绍。 c) 第6章给出了热中子辐射场。这些辐射场能通过慢化放射性核素中子源、加速器中子源或反应堆中子源产生。

适用范围：本文件规定了利用放射源产生的β参考辐射场的要求。该参考辐射用于校准测定量为 Hp(0.07)、H'(0.07;Ω)、Hp(3)和 H'(3;Ω)的个人和场所剂量(率)仪,以及确定其作为β粒子能量和入射角函数的响应。β剂量测定的基本量是组织等效板模中的吸收剂量率。本文件给出了用于产生β参考辐射场的放射性核素的特性和适当的源结构的示例,并且描述了 β粒子最大剩余能量以及在ICRU球中0.07 mm 深度处剂量当量率的测量方法。最大β能量范围0.22 MeV~3.6 MeV,相应的平均β能量为0.07 MeV~1.2 MeV,剂量当量率范围为大约10μSv·h-1到至少10 Sv·h-1。此外,还给出了一些放射源剂量当量率随入射角的变化。然而,正如ICRU 报告56[5]中所指出的,用于场所监测的周围剂量当量 H* (10)和用于个人监测的个人剂量当量 Hp(10)仅适用于强贯穿辐射,对于任何β辐射都不适合,即使是穿透10 mm 组织的辐射(Emax>2MeV)。

适用范围：本文件规定了对工业铂热电阻（以下简称“铂热电阻”）和工业铂感温元件（以下简称“元件”）的要求及其温度-电阻关系。铂热电阻和元件的电阻值是温度的规定函数。 本文件中的温度值采用1990 年国际温标（ITS-90）。除表A.1 外，单位为摄氏度（ ℃）的温度以符号t表示，表A.1则使用其正式的全称t 90/℃。 本文件适用于温度系数α 值为3.851×10 -3 ℃-1 的元件。温度系数α 由公式（1）给出： 公式见原文 式中： R100 ——t=100 ℃时的电阻值； R0 ——t=0 ℃时的电阻值。 本文件涵盖了—200 ℃~+850 ℃温度范围的不同允差级别的元件或铂热电阻，也适用于涵盖局部该温度范围的元件或铂热电阻。 测量不确定度小于0.1 ℃的温度-电阻关系只能用于有极高稳定性和需要单独标定的元件或铂热电阻。这可能需要用比本文件所示更复杂的内插方程。此类方程的详细说明不在本文件的范围内。