GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
GB/T 26066-2010 Practice for shallow etch pit detection on silicon
国家标准
中文简体
现行
页数：6页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 26066-2010
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2011-01-10
实施日期
2011-10-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。
本标准适用于检测111或100晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于0.001 Ω·cm。
本标准适用于检测111或100晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于0.001 Ω·cm。
发布历史
-
2011年01月
研制信息
- 起草单位：
- 洛阳单晶硅有限责任公司
- 起草人：
- 田素霞、张静雯、王文卫、周涛
- 出版信息：
- 页数：6页 | 字数：8 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS29.045
H80
中华人民共和国国家标准
/—
GBT260662010
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
Practiceforshallowetchitdetectiononsilicon
p
2011-01-10发布2011-10-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
中华人民共和国
国家标准
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
/—
GBT260662010
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中国标准出版社出版发行
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