GB/T 39159-2020 集成电路用高纯铜合金靶材

ICS77.150.30

H62GB

中华人民共和国国家标准

GB/T39159-2020

集成电路用高纯铜合金靶材

Highpuritycopperalloytargetforintegratedcircuit

2020-11-19发布2021-10-01实施

国家市场监督管理总局申＃

国家标准化管理委员会保叩

GB/T39159-2020

前言

本标准按照GB/T1.12009给出的规则起草。

本标准由中国有色金属工业协会提出。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）归口。

本标准起草单位z宁波江丰电子材料股份有限公司、有研亿金新材料有限公司、宁波微泰真空技术

有限公司。

本标准主要起草人g曹欢欢、袁海军、姚力军、玉学浑、曾浩、边逸军、钟伟华、周友平、贺昕、慕二龙、

高岩、江伟龙。

I

GB/T39159-2020

集成电路用高纯铜合金靶材

1范围

本标准规定了集成电路用高纯铜合金靶材（以下简称靶材〉的分类、技术要求、试验方法、检验规则

及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。

本标准适用于集成电路制造用的高纯铜铝（CuAD合金靶材和高纯铜锤（CuMn）合金靶材。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注目期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单〉适用于本文件。

GB/T8170数值修约规则与极限数值的表示和判定

GB/T8651金属板材超声板波探伤方法

GB/T14265金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则

GB/T36165金属平均晶粒度的测定电子背散射衍射(EBSD)法

YS/T347铜及铜合金平均晶粒度测定方法

YS/T482铜及铜合金分析方法光电发射光谱法

YS/T837溅射靶材－背板结合质量超声波检验方法

YS/T922高纯铜化学分析方法痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

靶材阳咆et

在溅射沉积技术中的阴极部分。该阴极材料在带正电荷的阳离子撞击下以分子、原子或离子的形

式脱离阴极而在阳极表面沉积。

3.2

靶坯targetblank

阴极上用作溅射材料的材料。

3.3

背板backingplate

用来支撑或固定靶材的材料。

注E靶坯与背板可以通过焊接〈如奸焊、电子柬焊、扩散焊等）、机械复合、粘接等方式连接。

3.4

表面粗糙度surfacerougbn酬

Ra

加工表面具有的较小间距和微小峰谷的不平度。轮廓的平均算术偏差值Ra，即在一定测量长度t

范围内，轮廓上各点至中线距离y绝对值的平均算术偏差a用公式表示2

1

GB/T39159-2020

Ra二＋I:IyI缸

4分类

4.1靶材按照结构形式分为复合体靶材和单体靶材，结构示意图如图1所示。

a)复合体靶材b)单体靶材

圄1靶材结构示意图

4.2靶材按照合金成分不同，分为高纯CuAI合金靶材和高纯CuMn含金靶材．

4.3产品牌号应符合表l的规定。

表1牌号

牌号

靶材种类

Cu-D.11%Al

高纯CuAl舍金靶材

高纯CuMn合金靶材｜Cu-0.26%MnICu-0.43%MnICu-0.60%MnICu-0.69%MnICu-0.86%Mn

5技术要求

5.1化学成分

高纯CuAI舍金靶材的化学成分要求应符合表2规定，高纯CuMn含金靶材的化学成分要求应符

合表3规定，

表2高纯CnAI合金靶材的化学成分

Cu-0.11%Al

牌号

0.11±0.01

Al含量（质量分数）／%

99.9999

Cu+Al含量＂（质量分数）／%，不小于

Ag0.3

As0.02

B0.01

Bi0.02

杂质元素含量

（质量分数）／10•%，不大于Ca0.02

Cd0.05

c。0.02

Cr0.02

2

GB/T39159-2020

表2（续〕

Fe0.2

K0.02

Li0.02

Mg0.05

Mn0.05

Na0.02

Nb0.01

Ni0.1

p0.02

杂质元素啻量

（质量分数）／10-•%，不大于Sb0.02

Si0.1

Sn