国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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译:GB/T 4937.32-2023 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 32:Flammability of platic-encapsulated devices(externally induced)适用范围:本文件适用于半导体器件(分立器件和集成电路),以下简称器件。 本文件用于确定器件是否由于外部发热造成燃烧。本试验使用针焰,模拟内部装有元器件的设备在故障条件下可能引起的小火焰的影响。 注:除了本章增加的内容以及第2章和第4章增加了标题并重新编号外,本试验方法与IEC 60749(1996)第4章1.2的试验方法一致。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-05-23 | 实施时间: 2023-12-01收藏 -
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译:GB/T 4937.42-2023 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 42:Temperature and humidity storage适用范围:本文件描述了评价半导体器件耐高温高湿环境能力的试验方法。 本文件适用于评价塑封半导体器件和其他类型封装半导体器件的芯片金属化互连耐腐蚀能力。也可作为由于湿气通过钝化层渗透而导致漏电的加速方法,以及多种试验前的预处理方法。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-05-23 | 实施时间: 2023-12-01收藏 -
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译:GB/T 4937.27-2023 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 27:Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing—Machine model (MM)适用范围:本文件依据半导体器件对规定的机器模型(MM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了半导体器件ESD测试和分级的标准程序。本文件相对于人体模型ESD,用作一种可选的测试方法,目的是提供可靠、可重复的ESD测试结果,以此进行准确分级。本文件适用于半导体器件,属于破坏性试验。半导体器件的ESD测试从本文件、人体模型(HBM见GB/T 4937.26)或GB/T 4937系列中的其他测试方法中选择。MM与HBM测试的结果相似但不完全相同。除另有规定外,HBM测试方法为所选方法。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-05-23 | 实施时间: 2023-12-01收藏 -
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译:GB/T 42709.7-2023 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 7:MEMS BAW filter and duplexer for radio frequency control and selection适用范围:本文件界定了用于射频控制和选择的MEMS体声波谐振器、滤波器和双工器的术语和定义,给出了基本额定值和特性,描述了测试方法,用于评估和确定其性能。本文件规定了体声波谐振器、滤波器和双工器的试验方法和通用要求,用于能力批准程序或鉴定批准程序的质量评定。【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-05-23 | 实施时间: 2023-12-01收藏 -
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译:GB/T 4937.23-2023 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 23:High temperature operating life适用范围:本文件描述了随时间的推移,偏置条件和温度对固态器件影响的试验方法。该试验以加速寿命模式模拟器件工作,主要用于器件的鉴定和可靠性检验。短期的高温偏置寿命通常称之为老炼,可用于筛选试验中剔除早期失效产品。本文件未规定老炼的详细要求和应用。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-05-23 | 实施时间: 2023-12-01收藏 -
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译:GB/T 42709.5-2023 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 5:RF MEMS switches适用范围:本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号,描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关,射频MEMS开关的一般说明见附录A。按接触方式分类,包括直流触点型开关和电容触点型开关;按结构分类,包括串联开关和并联开关,射频MEMS开关的几何结构说明见附录B;按开关网络分类,包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等;按驱动方式分类,包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR(软件无线电)电话、测试设备、可调谐器件和系统、卫星等方面应用广泛,射频MEMS开关的应用说明见附录E。【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-05-23 | 实施时间: 2023-09-01收藏 -
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译:GB/T 42706.5-2023 Electronic components—Long-term storage of electronic semiconductor devices—Part 5:Die and wafer devices适用范围:本文件规定了单个芯片、部分晶圆或整个晶圆,以及带金属结构(引入金属层、植球植柱等)芯片的贮存条件和规则,同时为含有芯片或晶圆的通用和专用封装产品提供了操作指导。 本文件适用于预计贮存时间超过12个月的芯片和晶圆的长期贮存。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-05-23 | 实施时间: 2023-09-01收藏 -
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译:GB/T 4937.31-2023 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 31:Flammability of platic-encapsulated devices(internally induced)适用范围:本文件适用于半导体器件(分立器件和集成电路),以下简称器件。 本文件用于确定器件是否由于过负荷引起内部发热而燃烧。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-05-23 | 实施时间: 2023-12-01收藏 -
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译:GB/T 42706.2-2023 Electronic components—Long-term storage of electronic semiconductor devices—Part 2:Deterioration mechanisms适用范围:本文件描述了电子元器件在实际贮存条件下随时间推移的退化机理和退化方式,以及评估一般退化机理的试验方法。通常本文件与IEC 624351一起使用,用于预计贮存时间超过12个月的长期贮存器件。特定类型电子元器件的退化机理在IEC 624355~IEC 624359中加以规定。【国际标准分类号(ICS)】 :31.020电子元器件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-05-23 | 实施时间: 2023-09-01收藏 -
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译:DB13/T 5696-2023 The rapid screening method for defects in GaN HEMT RF power devices based on high-temperature reverse bias testing【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-DB13)河北省地方标准 | 发布时间: 2023-05-06 | 实施时间: 2023-06-06收藏 -
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译:DB13/T 5695-2023 The testing method for trap effect of GaN HEMT RF device【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-DB13)河北省地方标准 | 发布时间: 2023-05-06 | 实施时间: 2023-06-06收藏 -
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译:GB/T 42210-2022 Point to Point (P2P) signal interface for liquid crystal display panels—Electrical parameters适用范围:本文件规定了液晶显示屏用点对点信号接口的电参数,包含发出端电参数、接收端电参数等内容。 本文件适用于液晶显示屏用时序控制器和源极驱动芯片之间的点对点信号通信接口。【国际标准分类号(ICS)】 :31.120电子显示器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L47其他发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2022-12-30 | 实施时间: 2023-07-01收藏 -
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译:GB/T 42209-2022 Point to Point(P2P) signal interface for liquid crystal display panels—Transport protocols适用范围:本文件规定了液晶显示屏用点对点(P2P)信号接口的传输协议,包含发送端协议、接收端协议、数据包、时钟校准等内容。 本文件中规定了两种传输协议方案: ——传输协议方案一:8位/10位编解码传输协议; ——传输协议方案二:8位/9位编解码传输协议。 本文件适用于液晶显示屏用时序控制器和源极驱动芯片之间的点对点信号通信接口。【国际标准分类号(ICS)】 :31.120电子显示器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L47其他发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2022-12-30 | 实施时间: 2023-07-01收藏 -
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译:SJ/T 11845.3-2022 Low-frequency noise parameter-based reliability evaluation method for electronic components Part 3: Diodes. (English translation only)【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
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译:SJ/T 11866-2022 Semiconductor optical devices on silicon substrate white light power LED specification【国际标准分类号(ICS)】 :31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 :L45微波、毫米波二、三极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
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译:SJ/T 11851-2022 SJ/T 11851-2022 Semiconductor discrete devices - Detailed specification for NPN silicon small power switching transistor pair S3DK5794【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
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译:SJ/T 11874-2022 Stress test procedure for discrete semiconductors used in electric vehicles【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
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译:SJ/T 11849-2022 Semiconductor discrete devices 3DG3500, 3DG3501 type NPN silicon high frequency small power transistor detailed specification【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
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译:SJ/T 11848-2022 Detailed specification for 3DG2484 type NPN silicon high frequency small power transistor in semiconductor discrete devices【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
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译:SJ/T 11824-2022 SJ/T 11824-2022 Metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) equivalent capacitance and voltage change rate test method【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏
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