GB/T 17473.3-1998 厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定

GB/T17473.3-1998

谧全

前「习

方阻是贵金属浆料的一个重要参数，也是浆料在产品生产、科研和使用中质量控制的一个重要指

标。目前我国尚未制定出浆料方阻的测试方法标准，也没有查阅到有关该测试方法的国际标准或国外先

进标准。

本标准主要参照有关的技术资料，结合对浆料的方阻测量实际情况而制定的。

本标准的附录A是标准的附录。

本标准由中国有色金属工业总公司提出。

标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口。

本标准由昆明贵金属研究所负责起草。

本标准主要起草人：陈一、金勿毁。

中华人民共和国国家标准

厚膜微电子技术用贵金属浆料

测试方法方阻测定GB/T17473.3-1998

Testmethodsofpreciousmetalpastes

usedforthickfilmmicroelectronics

-Determinationofsheetresistance

1范围

本标准规定了贵金属浆料方阻的测试方法。

本标准适用于贵金属烧结型浆料方阻的测定。非贵金属浆料亦可参照使用。

2引用标准

下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均

为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。

GB/T2421-1989电工电子产品基本环境试验规程总则

GB/T8170-1987数值修约规则

3原理

将浆料用丝网印刷在陶瓷基片上，经烧成后，膜层在一定温度及其厚度、宽度不变的情况下，其电阻

与膜层带的长度成正比。通过测量规定膜层长度下的电阻，可计算出方阻。

4材料

4.1试样基片为AI,O。含量不少于95％的陶瓷基片，其表面粗糙度范围为0.5^-1.5um在（测量距离

为10mm的条件下测量）。

5仪器与设备