1. 当前位置：
  2. 首页 >
  3. 行业标准 >
  4. SJ 2215.9-1982

SJ 2215.9-1982 半导体光耦合器（三极管）反向截止电流的测试方法

SJ 2215.9-1982 Method of measurement for reverse cut-off current of semiconductor photocouplers transistors

行业标准-电子 中文(简体) 废止 已被新标准代替，建议下载标准 SJ/T 2215-2015 | 页数：1页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
SJ 2215.9-1982
标准类型
行业标准-电子
标准状态
废止
中国标准分类号（CCS）
L54 半导体光敏器件
国际标准分类号（ICS）
-
发布日期
1982-11-30
实施日期
1983-07-01
发布单位/组织
-
归口单位
-
适用范围
-

发布历史

文前页预览

当前资源暂不支持预览

研制信息

起草单位：
-
起草人：
-
出版信息：
页数：1页 | 字数：- | 开本： -

内容描述

暂无内容

定制服务

    推荐标准

    关联标准

    同系列标准
    SJ 2215 第1部分
    SJ 2215.1-1982 半导体光耦合器测试方法总则
    第1部分 废止
    SJ 2215 第2部分
    SJ 2215.2-1982 半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法
    第2部分 废止
    SJ 2215 第3部分
    SJ 2215.3-1982 半导体光耦合器（二极管）正向电流的测试方法
    第3部分 废止
    SJ 2215 第4部分
    SJ 2215.4-1982 半导体光耦合器（二极管）反向电流的测试方法
    第4部分 废止
    SJ 2215 第5部分
    SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法
    第5部分 废止
    SJ 2215 第6部分
    SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器（二极管）结电容的测试方法
    第6部分 废止
    SJ 2215 第7部分
    SJ 2215.7-1982 半导体光耦合器集电极－发射极反向击穿电压的测试方法
    第7部分 废止
    SJ 2215 第8部分
    SJ 2215.8-1982 半导体光耦合器输出饱和压降的测试方法
    第8部分 废止
    SJ 2215 第10部分
    SJ 2215.10-1982 半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法
    第10部分 废止
    SJ 2215 第11部分
    SJ 2215.11-1982 半导体光耦合器脉冲上升、下降、延迟、贮存时间的测试方法
    第11部分 废止
    SJ 2215 第12部分
    SJ 2215.12-1982 半导体光耦合器入出间隔离电容的测试方法
    第12部分 废止
    SJ 2215 第13部分
    SJ 2215.13-1982 半导体光耦合器入出间绝缘电阻的测试方法
    第13部分 废止
    SJ 2215 第14部分
    SJ 2215.14-1982 半导体光耦合器入出间绝缘电压的测试方法
    第14部分 废止
    被以下标准替代
    SJ/T 2215-2015
    SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法
    现行

    相似标准推荐

    更多>