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现行
译:GB/T 34479-2017 Specification for alphanumeric marking of silicon wafers
适用范围:本标准规定了硅片或其他半导体晶片上字母数字标志的编码规范,包括标志的形状和尺寸、字母数字代码的定义、要求和字母数字错码检验方法等。本标准适用于在硅片及其他晶片正面或背面的编码标志。注: 字母数字标志及关联信息存入数据库,可被简单的自动光学字符读数(OCR)仪或人工进行独立、快速识别,确保晶片制造商对晶片标记的一致性。
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2017-10-14 | 实施时间: 2018-07-01
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现行
译:T/CPIA 0001-2007 Ground-based photovoltaic module Design verification and formalization quality assurance guidelines for photovoltaic modules
适用范围:主要技术内容:本导则适用于按照IEC 61215进行光伏组件设计鉴定和定型的组件生产厂。本导则的目的是为通过认证的光伏组件的性能和可靠性的一致性提供更高的置信度。本导则是在假设组织的质量管理体系已经满足GB/T 19001或者相应质量管理体系要求的基础上,提出的具体要求。通过按照本导则对制造系统进行维护,期望光伏组件产品的性能与通过IEC 61215或者IEC 62108的试验序列测定的性能保持一致
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :F10/19能源
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2017-09-18 | 实施时间: 2017-10-01
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现行
译:T/CPIA 0005-2017 Photovoltaic tin-plated welding wire
适用范围:主要技术内容:本标准规定了光伏涂锡焊带的术语和定义、要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存。本标准适用于地面晶体硅光伏组件用涂锡焊带以及薄膜组件用汇流带
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :K83物理电源
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2017-09-18 | 实施时间: 2017-10-01
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现行
译:T/CPIA 0003-2017 The technical requirements for the outer dimensions and installation holes of ground-mounted crystalline silicon photovoltaic modules
适用范围:主要技术内容:本标准规定了带边框的地面用晶体硅光伏组件的外形尺寸、安装孔位置和安装孔尺寸。本标准适用于60/72片太阳电池(电池尺寸:156.75mm±0.25mm)组件(系统电压≤1500V,且符合IEC61730-1中污染等级1或者污染等级2/材料组Ⅰ的规定,双玻组件与双面发电组件除外)
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :P30/39工业与民用建筑工程
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2017-09-18 | 实施时间: 2017-10-01
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现行
译:T/CPIA 0002-2017
适用范围:主要技术内容:本标准规定了晶体硅光伏组件回收再利用的术语与定义、基本原则、收集、运输、贮存、拆解、处理、再生利用等。本标准适用于废弃的晶体硅光伏组件的回收处理和再生利用
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :F10/19能源
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2017-09-18 | 实施时间: 2017-10-01
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废止
译:T/SZSA 015-2017 COB LED light source packaging product technical specification
适用范围:主要技术内容:范围规范性引用文件术语和定义分类与分档分类方法命名规则要求外观光电技术参数要求环境适应性的要求有害物质限值寿命检测方法检测条件外观光、电和颜色性能寿命与光通量维持率环境适应性有害物质限值检验规则标识、使用说明、包装、存储标识使用说明书包装运输贮存本标准规定了COB LED光源的分类、命名规则、技术要求、检验方法、包装和和贮存方面的要求。本标准适用于COB LED光源。注:本标准不适用于驱动电源与LED光源一体的COB(即:光引擎)
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :K70/79电气照明
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2017-01-10 | 实施时间: 2017-02-10
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现行
译:YS/T 724-2016 Silicon power for polycrystalline
适用范围:本标准规定了多晶硅生产用硅粉的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容等。
本标准适用于多晶硅生产用硅粉。
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2016-07-11 | 实施时间: 2017-01-01
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现行
译:YS/T 1160-2016 Silicon powder-quantitative phase analysis—Determination of silicon dioxide content—Value K method of X-ray diffraction
适用范围:本标准规定了工业硅粉中二氧化硅含量的测定方法。
本标准适用于工业硅粉中二氧化硅含量的测定,测定范围为≥1%。
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :H12轻金属及其合金分析方法
发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2016-07-11 | 实施时间: 2017-01-01
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现行
译:YS/T 1167-2016 Monocrystalline silicon etched wafers
适用范围:本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括区熔中子嬗变和气相掺杂)制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片(以下简称腐蚀片)。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2016-07-11 | 实施时间: 2017-01-01
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现行
译:GB/T 32651-2016 Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry
适用范围:本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定,其中铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、硼(B)、磷(P)、钙(Ca)、钠(Na)、镁(Mg)、铝(Al)、砷(As)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、锰(Mn)、钴(Co)、镓(Ga)等元素的测定范围为5 μg/kg~50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料,例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2016-04-25 | 实施时间: 2016-11-01
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现行
译:GB/T 32573-2016 Silicon powder—Determination of total carbon content—Infrared absorption method after combustion in an induction furnace
适用范围:本标准规定了利用感应炉燃烧后红外吸收法测定硅粉中总碳含量的方法。
本标准适用于生产多晶硅的原料硅粉中总碳含量的测定。测定范围为0.001%~1.0%(质量分数)。
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2016-02-24 | 实施时间: 2016-11-01
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现行
译:GB/T 12962-2015 Monocrystalline silicon
适用范围:本标准规定了硅单晶的牌号及分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的硅单晶。产品主要用于制作半导体元器件。
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-12-10 | 实施时间: 2017-01-01
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现行
译:GB/T 32279-2015 Specification for order entry format of silicon wafers
适用范围:本标准规定了硅片订货单的格式要求和使用。本标准适用于硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、硅单晶外延片、太阳能电池用硅单晶切割片、太阳能电池用多晶硅片的订货单格式,其他半导体材料的订货单可参照本标准执行。
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-12-10 | 实施时间: 2017-01-01
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现行
译:SJ/T 11552-2015 Using Brewster angle to measure the content of silicon interstitial oxygen using P-polarized radiation and infrared absorption spectroscopy
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
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现行
译:GB/T 31854-2015 Test method for measuring metallic impurities content in silicon materials used for photovoltaic applications by inductively coupled plasma mass spectrometry
适用范围:本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP—MS)测定光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质含量的方法。
本标准适用于光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质铁、铬、镍、铜、锌含量的测定。各元素的测量范围见表1。
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-07-03 | 实施时间: 2016-03-01
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现行
译:GB/T 31476-2015 Requirements for solders for high-quality interconnections in electronics assembly
适用范围:本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊料的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。
本标准适用于电子产品组装中钎焊连接用的焊料,包括含铅焊料、无铅焊料和特殊焊料。
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-05-15 | 实施时间: 2016-01-01
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现行
译:GB/T 31474-2015 Soldering fluxes for high-quality interconnections in electronics assembly
适用范围:本标准规定了电子装联用高质量内部互连用助焊剂(简称助焊剂)的分类、技术要求、试验方法、检测规则和产品的标识、包装、运输、储存。
本标准主要适用于印制板组装及电气和电子电路接点锡焊用助焊剂。
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-05-15 | 实施时间: 2016-01-01
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现行
译:GB/T 31475-2015 Requirements for solder paste for high-quality interconnections in electronics assembly
适用范围:本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊锡膏(简称焊锡膏)的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。
本标准适用于表面组装元器件和电子电路互连时软钎焊所使用的焊锡膏。
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-05-15 | 实施时间: 2016-01-01
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废止
译:SJ/T 11502-2015 SJ/T 11502-2015 Specification for polished silicon carbide single crystal wafers
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
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现行
译:SJ/T 11497-2015 The test method for thermal stability of gallium arsenide wafers
【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01