适用范围：本文件规定了铜基双金属带的分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于新能源、航空航天、 电子、汽车等领域用的以铜及铜合金为基层金属， 以镍、铜或铝为复层金属的铜基双金属带材

适用范围：本文件规定了电池级氟化锂的关键杂质的分类与限制、控制体系、纯度保障、试验方法。 本文件适用于以碳酸锂、氢氧化锂等为原料，经化学反应、提纯等工艺制得的，用于锂离子电池正极材料生产的电池级氟化锂产品。 5控制体系 原料杂质控制 5.1.1原料选型标准 原料选型标准应符合下列规定： a)氢氧化锂原料：LiOH?H?O纯度不低于99.5%，其中Na、K含量均不大于0.0005%，Fe含量不大于0.0003%，Cl?含量不大于0.0010%；? b)碳酸锂原料：Li2CO3纯度不低于99.5%，其中Na、K含量均不大于0.0005%，Fe、Ni、Cu含量均不大于0.0003%，Cl?含量不大于0.0010%，SO42?含量不大于0.0010%，确保原料中关键杂质含量符合后续生产工艺控制要求； c)氟化氢原料：HF纯度不低于99.9%，其中SO?2?含量不大于0.0005%，重金属总量不大于0.0001%； d)工艺用水：应采用GB/T 6682规定的一级水，电导率不大于0.01 mS/m，Si含量不大于0.0001%。 5.1.2原料验收与储存 原料验收与储存应符合下列规定：? a)原料到货后应按批检验，检验项目包括纯度及关键杂质含量，不合格原料不得入库；? b)氢氧化锂应储存于干燥、密封的塑料容器中，防潮期限不超过3个月；氟化氢应储存于专用耐腐蚀钢瓶，避免阳光直射，储存温度不超过30 ℃。 生产过程杂质控制 5.2.1合成反应控制 合成反应控制应符合下列规定： a)原料配比：氢氧化锂与氟化氢按1:1.02～1:1.05摩尔比投料，避免过量HF引入杂质；? b)反应条件：控制反应温度为40 ℃～50 ℃，搅拌速率为200 r/min～300 r/min，反应时间2 h～3 h，防止局部过反应产生副产物；? c)设备要求：反应釜采用聚四氟乙烯内衬或哈氏合金材质； d) 复检要求：合成反应结束后，需取样检测反应液中Na、K、Fe等Ⅰ类杂质及Ca、Mg等Ⅱ类杂质含量，检测结果符合本文件4.2.1规定后方可进入下一工序，若检测不合格，需重新调整反应条件并进行二次反应后再次复检。 5.2.2分离与洗涤控制 分离与洗涤控制应符合下列规定： a)过滤工艺：采用0.22 μm聚四氟乙烯滤膜进行压滤，过滤压力控制在0.3 MPa～0.5 MPa，滤饼

适用范围：本文件规定了镍钴铝三元前驱体的分类和牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于制备镍钴铝酸锂正极材料用的镍钴铝三元前驱体

适用范围：本文件规定了高纯钽磁控溅射环的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于电子薄膜制造用的高纯钽磁控溅射环

适用范围：本文件规定了超细晶锡青铜带箔材的分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于连接器、开关、继电器等行业用超细晶锡青铜带箔材

适用范围：本文件规定了电池级硫化锂的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于固体电解质用的电池级硫化锂

适用范围：本文件规定了冶炼副产品氧化锡的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于钨冶炼、铅冶炼和铜冶炼过程中的副产品氧化锡，该产品主要用于锡冶炼领域

适用范围：本文件规定了电子级精密铜带的术语和定义、分类与标记、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存、订货单内容要求。 本文件适用于制作电子元器件用的电子级精密铜带，如微电机、继电器、保护器、电接插件、精密开关、传感器、连接器等用的电子级精密铜带。 5.4.3镀层质量（适用于镀层铜带） 镀层均匀性 镀层厚度公差为±0.005mm，在铜带宽度方向和长度方向均匀选取10个测量点，镀层厚度极差≤0.003mm。 镀层附着性 按GB/T 232的规定进行180°弯曲试验（弯曲半径为铜带厚度的2倍），镀层无剥落、起皮现象；按胶带粘贴法（采用3M 610 胶带，粘贴压力0.5MPa，粘贴时间1min 后快速撕离）测试，镀层无脱落。 镀层耐腐蚀性 镀锡铜带、镀镍铜带按 GB/T 10125中性盐雾试验（NSS）方法，试验时间 48h 后，表面无明显锈蚀、变色；镀银铜带、镀钯铜带、镀金铜带试验时间72h后，表面无明显锈蚀、变色、镀层脱落。 耐腐蚀性能 铜带应具有一定的耐腐蚀性，按 GB/T 10125中性盐雾试验（NSS）方法，试验时间 48h 后，质量损失应≤5mg/dm2，表面无明显锈蚀、点蚀。 残余应力 残余应力指标：卷曲直径 ≥300 mm（自由放置 24 h）；横向弓形 ≤0.5 mm/100 mm；纵向翘曲 ≤1 I-unit（干涉单位）。 清洁度 单位面积残留油脂 ≤1 mg/m2；氯离子 ≤0.1 μg/cm2；硫离子 ≤0.1 μg/cm2。 晶间腐蚀 电子级精密铜带经晶间腐蚀试验后，不应出现因晶间腐蚀导致的性能劣化。对于黄铜带，其耐脱锌腐蚀性能应符合GB/T 10119的要求或供需双方协议。其他铜合金的晶间腐蚀要求可由供需双方协商确定。 晶粒度 电子级精密铜带的晶粒度要求见表5

适用范围：本文件规定了锌合金屋面瓦的分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于建筑物屋面覆盖及装饰用的锌瓦类产品

适用范围：本文件规定了医用钨合金丝材的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于粉末冶金法生产钨坯经压力加工后制备的医用钨合金丝材

适用范围：本文件规定了铂钴铬二氧化硅溅射靶材的分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于机械硬盘磁存储介质的磁记录层材料

适用范围：本文件规定了集成电路用钴阳极的分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于集成电路用各类钴阳极产品

适用范围：本文件规定了铜铟镓合金粉的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于制造铜铟镓靶材所使用的合金粉

适用范围：本文件规定了半导体封装用键合丝所用母材的分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于半导体封装用键合丝所用的母材

适用范围：本文件规定了碲铜合金板材的分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于接触器用碲铜板材

适用范围：本文件规定了氧化亚镍（NiO）的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于供生产磁性材料、搪瓷及陶瓷涂料、玻璃颜料、 电池以及冶金、显像管行业使用的氧化亚镍，也可作为制造镍盐及镍催化剂的原料

适用范围：本文件规定了氧化物弥散强化铂和铂铑板材、片材、丝材的术语和定义、分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件与订货单内容。本文件适用于玻璃纤维制造用漏板、搅拌器、光学玻璃坩埚的氧化物弥散强化铂和铂铑的板、片材， 以及加热丝、测温热电偶中使用的氧化物弥散强化铂和铂铑丝材

适用范围：本文件规定了铜铝复合扁线材的产品分类、技术要求、试验方法、过程控制、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于风力发电、变压器、新能源汽车等领域用铜铝复合扁线材