19 试验
65 农业
77 冶金
  • GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 被代替
    译:GB/T 6616-2009 Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
    适用范围:本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径或边长大于25 mm、厚度为0.1 mm~1 mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时,衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1 000倍。 硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10-3 Ω·cm~2×102 Ω·cm和2×103 Ω/~3×103 Ω/。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 现行
    译:GB/T 14141-2009 Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
    适用范围:本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层,方块电阻的测量范围为10 Ω~5 000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 14139-2009 硅外延片 被代替
    译:GB/T 14139-2009 Silicon epitaxial wafers
    适用范围:本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装运输、贮存等。本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的n型外延层(N/N+)和在p型硅抛光片衬底上生长的P型外延层(P/P+)的同质硅外延片。产品主要用于制作硅半导体器件。其他类型的硅外延片可参照使用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 现行
    译:GB/T 14144-2009 Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
    适用范围:本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。 本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×1016 at·cm-3至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
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  • GB/T 14264-2009 半导体材料术语 被代替
    译:GB/T 14264-2009 Semiconductor materials—Terms and definitions
    适用范围:本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。 本标准适用于元素和化合物半导体材料。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 被代替
    译:GB/T 24578-2009 Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy
    适用范围:1.1本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法,本方法使用单色X光源全反射X光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。1.2本标准适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片,尤其适用于清洗后硅片自然氧化层,或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 现行
    译:GB/T 13388-2009 Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
    适用范围:2.1本标准规定了α角的测量方法,α角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。2.2本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB/T 12964和GB/T 12965中的规定,且硅片角度偏离应在-5°到+5°范围之内。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定 多晶硅表面金属污染物 现行
    译:GB/T 24579-2009 Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法 现行
    译:GB/T 24575-2009 Test method for measuring surface sodium,aluminum,potassium,and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 现行
    译:GB/T 24580-2009 Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法 现行
    译:GB/T 6620-2009 Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning
    适用范围:本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)翘曲度的非接触式测试方法。本标准适用于测量直径大于50 mm,厚度大于180 μm的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测试方法也适用于监视器件加工过程中硅片翘曲度的热化学效应。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法 被代替
    译:GB/T 14146-2009 Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
    适用范围:本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 现行
    译:GB/T 6617-2009 Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
    适用范围:本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 现行
    译:GB/T 4061-2009 Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion
    适用范围:本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。 本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料,以细硅芯为发热体,在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物 现行
    译:GB/T 24577-2009 Test methods for analyzing organic contaminants on silicon wafer surfaces by thermal desorption gas chromatography
    适用范围:1.1本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法,采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。1.2本标准描述了热解吸气相色谱仪(TD-GC)以及有关样品制备和分析的相关程序。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 24298-2009 热双金属横向弯曲试验方法 现行
    译:GB/T 24298-2009 Standard test method for cross curvature of thermostat metals
    适用范围:本标准规定了热双金属片、带材横向弯曲的测量方法、测量装置、取样、试样制备及计算公式等。本标准适用于热双金属横向弯曲的测量,也适用于其他材料横向弯曲的精确测量。本标准不涉及所有的安全要素内容,在使用本标准前,使用者有责任制定适宜的安全制度。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.120.20连接装置 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-09-30 | 实施时间: 2010-02-01
  • GB/T 24299-2009 热双金属碟形元件机械寿命试验方法 现行
    译:GB/T 24299-2009 Test method for the mechanical life of snap action discs of thermostat bimetal
    适用范围:本标准规定了热双金属碟形元件(以下简称碟形元件)机械寿命的试验方法和装置。 本标准适用于间接加热、直接加热和混合加热工作条件下的碟形元件机械寿命试验。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.120.20连接装置 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-09-30 | 实施时间: 2010-02-01
  • GB/T 24297-2009 热双金属螺旋形元件热偏转率试验方法 现行
    译:GB/T 24297-2009 The test method for thermal deflection rate of spiral and helix coils of thermostat bimetal
    适用范围:本标准规定了热双金属螺旋形元件热偏转率测量的原理、方法和设备要求。本标准适用于测定热双金属平螺旋形元件和直螺旋形元件的热偏转率,也适用于厚度小于0.3 mm热双金属温曲率的测量。本标准是判定一批热双金属螺旋形元件验收或拒收的质量检验手段。本标准有助于确定在某一偏转量下,螺旋形元件材料的最佳厚度和长度。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.120.20连接装置 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-09-30 | 实施时间: 2010-02-01
  • GB/T 24272-2009 热双金属平螺旋形元件机械转矩率试验方法 现行
    译:GB/T 24272-2009 Test method for mechanical torque rate of spiral coils of thermostat metal
    适用范围:本标准规定了热双金属平螺旋形元件机械转矩率测量的原理、方法和设备要求。本标准适用于测定热双金属平螺旋形元件的机械转矩率。也适用于精确地测定其他材料平螺旋形元件的机械转矩率。可用于确定热双金属平螺旋元件的机械力。本标准可在给定机械力矩情况下,确定材料的最优厚度和长度。本标准可用于热双金属的质量测试以确定接收或拒收。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.120.20连接装置 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-06-19 | 实施时间: 2010-02-01
  • GB/T 24271-2009 热双金属条形元件技术条件 现行
    译:GB/T 24271-2009 Specification for strip component of thermostat metals
    适用范围:本标准规定了热双金属条形元件的术语及定义、订货内容、尺寸、外形、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标记及质量证明书等内容。本标准适用于热继电器、断路器等低压电器的热双金属条形元件(以下简称元件),也可适用于在其他场合使用的热双金属条形元件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.120.20连接装置 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-06-19 | 实施时间: 2010-02-01