19 试验
65 农业
77 冶金
  • GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 被代替
    译:GB/T 1558-1997 Test method for substitutional atomic carbon content of silicon by infrared absorption
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1997-12-22 | 实施时间: 1998-08-01
  • GB/T 17169-1997 硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法 废止
    译:GB/T 17169-1997 Test method for the surface quality of polished silicon wafers and epitaxial wafers by optical-reflection
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H24金相检验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1997-12-22 | 实施时间: 1998-08-01
  • GB/T 8750-1997 半导体器件键合金丝 被代替
    译:GB/T 8750-1997 Gold wire for semiconductor devices lead bonding
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H68贵金属及其合金
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1997-12-22 | 实施时间: 1998-08-01
  • GB/T 16595-1996 晶片通用网格规范 被代替
    译:GB/T 16595-1996 Specification for a universal wafer grid
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1996-11-04 | 实施时间: 1997-04-01
  • GB/T 12963-1996 硅多晶 被代替
    译:GB/T 12963-1996 Polycrystalline silicon
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1996-11-04 | 实施时间: 1997-04-01
  • GB/T 12962-1996 硅单晶 被代替
    译:GB/T 12962-1996 Monocrystalline silicon
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1996-11-04 | 实施时间: 1997-04-01
  • GB/T 16596-1996 确定晶片坐标系规范 被代替
    译:GB/T 16596-1996 Specification for establishing a wafer coordinate system
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1996-11-04 | 实施时间: 1997-04-01
  • GB/T 12965-1996 硅单晶切割片和研磨片 被代替
    译:GB/T 12965-1996 Monocrystalline silicon as cut slices and lapped slices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1996-11-04 | 实施时间: 1997-04-01
  • GB/T 5238-1995 锗单晶 被代替
    译:GB/T 5238-1995 Monocrystalline germanium
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H81半金属
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-10-17 | 实施时间: 1996-03-01
  • GB/T 15713-1995 锗单晶片 被代替
    译:GB/T 15713-1995 Monocrystalline germanium slices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.040.20绝缘气体 【中国标准分类号(CCS)】 :H81半金属
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-10-17 | 实施时间: 1996-03-01
  • GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法 被代替
    译:GB/T 6618-1995 Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-04-18 | 实施时间: 1995-12-01
  • GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 被代替
    译:GB/T 6616-1995 Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-04-18 | 实施时间: 1995-12-01
  • GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法 被代替
    译:GB/T 6619-1995 Test methods for bow of silicon slices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-04-18 | 实施时间: 1995-12-01
  • GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法 被代替
    译:GB/T 6621-1995 Test methods for surface flatness of silicon polished slices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-04-18 | 实施时间: 1995-12-01
  • GB/T 14849.3-1993 工业硅化学分析方法 钙量的测定 被代替
    译:GB/T 14849.3-1993 Silicon metal—Determination of calcium content
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1993-12-24 | 实施时间: 1994-09-01
  • GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 被代替
    译:GB/T 14847-1993 Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1993-12-24 | 实施时间: 1994-09-01
  • GB/T 14139-1993 硅外延片 被代替
    译:GB/T 14139-1993 Silicon epitaxial wafers
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H81半金属
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1993-02-06 | 实施时间: 1993-10-01
  • GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 被代替
    译:GB/T 14141-1993 Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1993-02-06 | 实施时间: 1993-10-01
  • GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法 被代替
    译:GB/T 14142-1993 Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniques
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H26金属无损检验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1993-02-06 | 实施时间: 1993-10-01
  • GB/T 13789-1992 单片电工钢片带磁性能测量方法 被代替
    译:GB/T 13789-1992 Magnetic sheet and strip—Methods of measurement of magnetic properties by means of a single sheet tester
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.040.10绝缘油 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1992-11-16 | 实施时间: 1993-06-01